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公开(公告)号：TW201740211A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106105219
申请日：2017-02-17
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 希可利 哈奇 爾金 , CEKLI, HAKKI ERGUN , 石橋真史 , ISHIBASHI, MASASHI , 凡 迪傑克 里昂 保羅 , VAN DIJK, LEON PAUL , 凡 哈倫 理查 喬哈奈 法蘭西卡斯 , VAN HAREN, RICHARD JOHANNES FRANCISCUS , 柳星蘭 , LIU, XING LAN , 強布洛特 雷納 瑪麗亞 , JUNGBLUT, REINER MARIA , 艾凡德斯奇吉 賽德利克 馬可 , AFFENTAUSCHEGG, CEDRIC MARC , 歐頓 羅納德 亨利克斯 喬哈奈 , OTTEN, RONALD HENRICUS JOHANNES
CPC classification number: G03F9/7034 , G03F7/70258 , G03F7/70633 , G03F7/70783 , G03F9/7011
Abstract: 一種微影程序，其包括：將一基板(W)夾持(CL)至一基板支撐件(WT)上；量測(AS)橫越該經夾持基板之標記之位置；及使用經量測之該等位置將一圖案施加至該經夾持。基於橫越該基板而量測之該等位置中的一翹曲誘發性特性(402、404、406)之辨識而將一校正(WCOR)應用於該經施加圖案在該基板之局域化區中之定位。在一項實施例中，首先藉由使用該等經量測位置及其他資訊(CDAT)推斷該翹曲基板之一或多個形狀特性(FFW)來產生該校正。接著，基於該等經推斷形狀特性，應用一夾持模型(WCM)以回應於夾持而模擬該翹曲基板之變形。第三，基於該經模擬變形計算該校正(LCOR)。可由一查找表整合及/或實施此等步驟中的一些或全部。
Abstract in simplified Chinese: 一种微影进程，其包括：将一基板(W)夹持(CL)至一基板支撑件(WT)上；量测(AS)横越该经夹持基板之标记之位置；及使用经量测之该等位置将一图案施加至该经夹持。基于横越该基板而量测之该等位置中的一翘曲诱发性特性(402、404、406)之辨识而将一校正(WCOR)应用于该经施加图案在该基板之局域化区中之定位。在一项实施例中，首先借由使用该等经量测位置及其他信息(CDAT)推断该翘曲基板之一或多个形状特性(FFW)来产生该校正。接着，基于该等经推断形状特性，应用一夹持模型(WCM)以回应于夹持而仿真该翘曲基板之变形。第三，基于该经仿真变形计算该校正(LCOR)。可由一查找表集成及/或实施此等步骤中的一些或全部。
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公开(公告)号：TWI616730B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106105219
申请日：2017-02-17
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 希可利 哈奇 爾金 , CEKLI, HAKKI ERGUN , 石橋真史 , ISHIBASHI, MASASHI , 凡 迪傑克 里昂 保羅 , VAN DIJK, LEON PAUL , 凡 哈倫 理查 喬哈奈 法蘭西卡斯 , VAN HAREN, RICHARD JOHANNES FRANCISCUS , 柳星蘭 , LIU, XING LAN , 強布洛特 雷納 瑪麗亞 , JUNGBLUT, REINER MARIA , 艾凡德斯奇吉 賽德利克 馬可 , AFFENTAUSCHEGG, CEDRIC MARC , 歐頓 羅納德 亨利克斯 喬哈奈 , OTTEN, RONALD HENRICUS JOHANNES
CPC classification number: G03F9/7034 , G03F7/70258 , G03F7/70633 , G03F7/70783 , G03F9/7011
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公开(公告)号：TW201805728A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106115403
申请日：2017-05-10
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 希可利 哈奇 爾金 , CEKLI, HAKKI ERGUN , 石橋真史 , ISHIBASHI, MASASHI , 范 戴 凡 溫蒂 喬漢娜 瑪汀娜 , VAN DE VEN, WENDY JOHANNA MARTINA , 羅伊羅夫斯 威廉 賽納 克里斯汀 , ROELOFS, WILLEM SEINE CHRISTIAN , 麥克 納馬拉 艾略特 葛雷德 , MC NAMARA, ELLIOTT GERARD , 拉曼 里茲維 , RAHMAN, RIZVI , 庫柏斯 米切爾 , KUPERS, MICHIEL , 舒密特-韋佛 艾密爾 彼得 , SCHMITT-WEAVER, EMIL PETER , 德爾維尼 艾瑞克 亨利 亞德里安 , DELVIGNE, ERIK HENRI ADRIAAN
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , G01N21/956 , H01L21/66
CPC classification number: G03F7/70633 , G01N21/956 , G03F9/7046 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 在執行一微影處理步驟之前或之後自橫越一基板(W')之部位獲得量測。此等量測之實例包括在將一圖案施加至該基板之前進行的對準量測，及在已施加一圖案之後的諸如疊對之效能參數之量測。自所有可能量測部位(302)當中選擇一量測部位集合(606、606'或606'')。回應於使用量測部位之一初步選擇(610)而獲得之量測，動態地選擇(202c)該等經選擇量測部位之至少一子集。可使用初步高度量測以選擇用於對準之量測部位。在本發明之另一態樣中，基於諸如高度量測之補充資料或歷史資料來偵測離群值量測。
Abstract in simplified Chinese: 在运行一微影处理步骤之前或之后自横越一基板(W')之部位获得量测。此等量测之实例包括在将一图案施加至该基板之前进行的对准量测，及在已施加一图案之后的诸如叠对之性能参数之量测。自所有可能量测部位(302)当中选择一量测部位集合(606、606'或606'')。回应于使用量测部位之一初步选择(610)而获得之量测，动态地选择(202c)该等经选择量测部位之至少一子集。可使用初步高度量测以选择用于对准之量测部位。在本发明之另一态样中，基于诸如高度量测之补充数据或历史数据来侦测离群值量测。
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公开(公告)号：TWI668518B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW106115403
申请日：2017-05-10
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 希可利 哈奇 爾金 , CEKLI, HAKKI ERGUN , 石橋真史 , ISHIBASHI, MASASHI , 范 戴 凡 溫蒂 喬漢娜 瑪汀娜 , VAN DE VEN, WENDY JOHANNA MARTINA , 羅伊羅夫斯 威廉 賽納 克里斯汀 , ROELOFS, WILLEM SEINE CHRISTIAN , 麥克 納馬拉 艾略特 葛雷德 , MC NAMARA, ELLIOTT GERARD , 拉曼 里茲維 , RAHMAN, RIZVI , 庫柏斯 米切爾 , KUPERS, MICHIEL , 舒密特-韋佛 艾密爾 彼得 , SCHMITT-WEAVER, EMIL PETER , 德爾維尼 艾瑞克 亨利 亞德里安 , DELVIGNE, ERIK HENRI ADRIAAN
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , G01N21/956 , H01L21/66
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