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公开(公告)号:KR20200127045A
公开(公告)日:2020-11-09
申请号:KR20207030858
申请日:2017-04-11
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor: TINNEMANS PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS , MATHIJSSEN SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , ROOBOL SANDER BAS , LIN NAN
Abstract: 관심구조체(T)는예컨대 x-선또는 EUV 파장대역에서방사선으로조사되고, 산란된방사선은검출기(19, 274, 908, 1012)에의해검출된다. 프로세서(PU)는예컨대방사선과구조체간의상호작용을시뮬레이션하는단계(S16) 및상기검출된방사선과상기시뮬레이션된 상호작용을비교하는단계(S17)에의해라인폭(CD) 또는오버레이(OV)와같은특성을계산한다. 이방법은검사방사선에의해야기된상기구조체의변화들을고려하여수정된다(S14a, S15a, S19a). 이러한변화들은예컨대재료의수축또는광학특성들의변화일수 있다. 상기변화들은현재관측또는이전관측에서검사방사선에의해야기될수 있다.