公开(公告)号：KR20180030191A

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：KR20187004699

申请日：2016-08-03

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： POLYAKOV ALEXEY OLEGOVICH ,  QUINTANILHA RICHARD ,  BANINE VADIM YEVGENYEVICH ,  VERSCHUREN COEN ADRIANUS

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  H05G2/00

CPC classification number: H05G2/00 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G21K1/06

Abstract: 리소그래피에의해제조되거나리소그래피에서사용되는타겟구조체(T)는역콤프턴산란에의해생성된 EUV 방사선(304)으로적어도제 1 회상기구조체를조사함으로써검사된다. 반사또는투과과정에서타겟구조체에의해산란된방사선(308)이검출되고(312) 타겟구조체의특성이검출된산란된방사선에기초하여프로세서(340)에의해계산된다. 방사선은 0.1 nm 내지 125 nm의 EUV 범위에속하는제 1 파장을가질수 있다. 동일한소스를사용하여전자에너지를조절하면서, 구조체는 EUV 범위에속하는상이한파장, 및/또는더 짧은(x-선) 파장및/또는더 긴(UV, 가시) 파장으로수 회조사될수 있다. 역콤프턴산란소스내에서전자에너지를고속스위칭함으로써, 상이한파장에서의조사가초당수 회수행될수 있다.

Abstract translation: 通过光刻产生的或用于光刻的目标结构（T）通过用局部康普顿散射产生的EUV辐射（304）照射至少第一移相器结构来检查。 在反射或透射期间由目标结构散射的辐射308被检测312，并且处理器340基于检测到的散射辐射来计算目标结构的特性。 辐射可具有落入0.1nm至125nm的EUV范围内的第一波长。 通过控制具有相同源的电子能量，该结构可以以不同的波长进行调查几次，和/或较短的（x射线）的波长和/或更长的（UV，可见光）的波长属于EUV范围内。 通过快速切换背对背散射源内的电子能量，可以每秒多次执行不同波长的辐照。