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公开(公告)号：KR20180030191A
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：KR20187004699
申请日：2016-08-03
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： POLYAKOV ALEXEY OLEGOVICH , QUINTANILHA RICHARD , BANINE VADIM YEVGENYEVICH , VERSCHUREN COEN ADRIANUS
CPC classification number: H05G2/00 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G21K1/06
Abstract: 리소그래피에의해제조되거나리소그래피에서사용되는타겟구조체(T)는역콤프턴산란에의해생성된 EUV 방사선(304)으로적어도제 1 회상기구조체를조사함으로써검사된다. 반사또는투과과정에서타겟구조체에의해산란된방사선(308)이검출되고(312) 타겟구조체의특성이검출된산란된방사선에기초하여프로세서(340)에의해계산된다. 방사선은 0.1 nm 내지 125 nm의 EUV 범위에속하는제 1 파장을가질수 있다. 동일한소스를사용하여전자에너지를조절하면서, 구조체는 EUV 범위에속하는상이한파장, 및/또는더 짧은(x-선) 파장및/또는더 긴(UV, 가시) 파장으로수 회조사될수 있다. 역콤프턴산란소스내에서전자에너지를고속스위칭함으로써, 상이한파장에서의조사가초당수 회수행될수 있다.
Abstract translation: 通过光刻产生的或用于光刻的目标结构（T）通过用局部康普顿散射产生的EUV辐射（304）照射至少第一移相器结构来检查。 在反射或透射期间由目标结构散射的辐射308被检测312，并且处理器340基于检测到的散射辐射来计算目标结构的特性。 辐射可具有落入0.1nm至125nm的EUV范围内的第一波长。 通过控制具有相同源的电子能量，该结构可以以不同的波长进行调查几次，和/或较短的（x射线）的波长和/或更长的（UV，可见光）的波长属于EUV范围内。 通过快速切换背对背散射源内的电子能量，可以每秒多次执行不同波长的辐照。
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公开(公告)号：KR20200140317A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：KR20207031476
申请日：2019-04-05
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： QUINTANILHA RICHARD , MIDDLEBROOKS SCOTT ANDERSON , KOOPMAN ADRIANUS CORNELIS MATHEUS , MANGNUS ALBERTUS VICTOR GERARDUS
IPC: G03F7/20
Abstract: 리소그래피시스템에의해수행되는리소그래피공정에의해생성되는구조체를검사하는검사툴에대한측정시퀀스를결정하는방법이제시되며, 상기방법은리소그래피시스템에의해수행되는리소그래피공정에대한모델을도출하는단계 -상기모델은리소그래피시스템을설명하는시스템변수들의세트와리소그래피공정으로발생하는구조체를나타내는출력변수간의관계를포함함- ; 출력변수에서의 1 이상의시스템변수의관찰가능성을결정하는단계; 및관찰가능성에기초하여검사툴에대한측정시퀀스를결정하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR20180030163A
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：KR20187004493
申请日：2016-08-01
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： QUINTANILHA RICHARD
CPC classification number: G03F7/7065 , G01N21/4788 , G01N21/95607 , G01N2021/95615 , G01N2201/06113 , G01N2201/12 , G02B21/365 , G02B21/367 , G03F1/24 , G03F1/84 , G21K7/00 , G21K2207/00 , G21K2207/005
Abstract: 제품구조체(407, 330')는결함(360-366)을가지고형성된다. 적어도부분간섭성인 EUV 방사선의스폿(S)이제품구조체(604) 상에제공되어상기제품구조체에의해산란된후에방사선에의해형성되는적어도하나의회절패턴(606)을캡쳐한다. 레퍼런스데이터(612)는공칭제품구조체를기술한다. 제품구조체의적어도하나의합성이미지(616)가캡쳐된이미지데이터로부터계산된다. 합성이미지로부터의데이터가레퍼런스데이터와비교되어제품구조체내의결함(660-666)을식별한다. 일실시예에서, 복수개의회절패턴이직렬중첩스폿(S(1)-S(N))을사용하여획득되고, 합성이미지는회절패턴및 상대변위에대한지식을사용하여계산된다. EUV 방사선은관심대상구조체의치수에가까운, 5 내지 50 nm의범위에속하는파장을가질수 있다.
Abstract translation: 产品结构407和330'形成有缺陷360-366。 在制品结构604上提供至少部分相干的EUV辐射的点（S），以捕获由制品结构散射后由辐射形成的至少一个衍射图案606。 参考数据612描述标称产品结构。 从捕获的图像数据计算产品结构的至少一个合成图像616。 将来自合成图像的数据与参考数据进行比较，以确定产品结构中的缺陷660-666。 在一个实施例中，使用串联重叠点S（1）-S（N）获得多个衍射图案，并且使用关于衍射图案和相对位移的知识来计算合成图像。 EUV辐射可以具有落在5和50nm之间的波长，这接近感兴趣的结构的尺寸。
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公开(公告)号：NL2013839A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：NL2013839
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： QUINTANILHA RICHARD
Abstract: A scatterometer is used to measure a property of structures on a substrate. A target grating comprises lines arranged periodically over an distance gp in a first direction, each line individually extending a distance gL in a second direction. The grating is illuminated with a spot of radiation and diffracted radiation is detected and used to calculate a measurement of CD, side wall angle and the like. The spot defines a field of view customized to the grating such that an extent fP of the spot in said first direction is greater than distance gp while an extent fL of the spot in said second direction is less than distance gL- The grating may be smaller than conventional gratings. The calculation can be simplified and made more robust, using a mathematical model that assumes that the grating is finite in the first direction but infinite in the second direction.
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公开(公告)号：NL2008936A
公开(公告)日：2013-01-29
申请号：NL2008936
申请日：2012-06-05
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： QUINTANILHA RICHARD
IPC: G03F7/20
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公开(公告)号：NL2012996A
公开(公告)日：2015-01-06
申请号：NL2012996
申请日：2014-06-13
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： QUINTANILHA RICHARD
IPC: G03F7/20
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公开(公告)号：NL2010458A
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：NL2010458
申请日：2013-03-15
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： QUINTANILHA RICHARD
IPC: G03F7/20
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