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    COMPOSITION FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DEVICES, OPTICAL DEVICES, MICROMACHINES AND MECHANICAL PRECISION DEVICES
    1.
    发明申请
    COMPOSITION FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DEVICES, OPTICAL DEVICES, MICROMACHINES AND MECHANICAL PRECISION DEVICES 审中-公开
    用于制造集成电路装置，光学装置，微型计算机和机械精密装置的组合物

    公开(公告)号：WO2014013396A2

    公开(公告)日：2014-01-23

    申请号：PCT/IB2013055728

    申请日：2013-07-12

    Applicant: BASF SE ,  BASF SCHWEIZ AG ,  BASF CHINA CO LTD

    Inventor： KLIPP ANDREAS ,  HONCIUC ANDREI ,  MONTERO PANCERA SABRINA ,  BAAN ZOLTAN

    CPC classification number: G03F7/32 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322

    Abstract: Aqueous composition for developing photoresists applied to semiconductor substrates, said aqueous composition comprising a quaternary ammonium compound of formula I wherein (a) R1 is selected from a C4 to C30 organic radical of formula -X-CR10 R11 R12, wherein R10, R11 and R12 are independently selected from a C1 to C20 alkyl and two or three of R10, R11 and R12 may together form a ring system, and R2, R3 and R4 are selected from R1 or a C1 to C10 alkyl, C1 to C10 hydroxyalkyl C1 to 1C30 aminoalkyl or C1 to C20A alkoxyalkyl, and X is a chemical bond or a C1 to C4 divalent organic radical, or (b) R and R2 areindependently selected from an organic radical of formula IIa or IIb (IIa) 20 or wherein Y is C4 to C20 alkanediyl, Y 2 is a one-, two-or tricyclic C to C20 carbocyclic or heterocyclic aromatic system, and R3 and R4 are selected from R or a C to C 10 alkyl, C to C 10 hydroxyalkyl, C to C 30 aminoalkyl, or C to C 20 alkoxyalkyl, and X is a chemical bond or a C to C 4 divalent organic radical, and Xis a chemical bond or a C to C 4 divalent organic radical, or30 (c)at least two of R, R 2, R 3, and R 4 together form a saturated mono, bi or tricyclic C to C 30 organic ring system and the remaining R 3 and R 4, if any, together form a monocyclic C to C 30 organic ring system or are selected from a C to C 10 alkyl, C to C 10 hydroxyalkyl, C to C 30 aminoalkyl, or C to C20 alkoxyalkyl, and Xis a chemical bond or a C1 to C4 divalent organic radical, or 3 (d)a combination thereof, and wherein Z is a counter-ion and z is an integer, which is chosen so that the overall bulky quaternary ammonium compound is electrically uncharged.

    Abstract translation: 用于开发应用于半导体衬底的光致抗蚀剂的水性组合物，所述水性组合物包含式I的季铵化合物，其中（a）R 1选自式-X-CR 10 R 11 R 12的C 4至C 30有机基团，其中R 10，R 11和R 12 独立地选自C1至C20烷基，R10，R11和R12中的两个或三个可以一起形成环系，R2，R3和R4选自R1或C1至C10烷基，C1至C10羟烷基C1至1C30 氨基烷基或C1至C20A烷氧基烷基，X为化学键或C1至C4二价有机基团，或（b）R和R 2独立地选自式IIa或IIb（IIa）20的有机基团或其中Y为C4至 C20链烷二基，Y 2是一，二或三环C至C20碳环或杂环芳族体系，R3和R4选自R或C至C10烷基，C至C10羟基烷基，C至C30氨基烷基 或C至C 20烷氧基烷基，X为化学键或C至C 4二价有机物 自由基，X是化学键或C至C 4二价有机基团，或30（c）R，R 2，R 3和R 4中的至少两个一起形成饱和的单，双或三环C至C 30有机基团 环系统，剩余的R 3和R 4（如果有的话）一起形成单环C至C 30有机环系，或选自C 1至C 10烷基，C 1至C 10羟基烷基，C至C 30氨基烷基或C 至20个烷氧基烷基，X为化学键或C1至C4二价有机基团，或3（d）其组合，并且其中Z为抗衡离子，z为整数，其选择为使得整体大体积季 铵化合物是电不带电的。

    COMPOSITION FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DECICES, OPTICAL DEVICES, MICROMACHINES AND MECHANICAL PRECISION DEVICES
    2.
    发明专利
    COMPOSITION FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DECICES, OPTICAL DEVICES, MICROMACHINES AND MECHANICAL PRECISION DEVICES 未知

    公开(公告)号：MY171072A

    公开(公告)日：2019-09-24

    申请号：MYPI2015000076

    申请日：2013-07-12

    Applicant: BASF SE

    Inventor： KLIPP ANDREAS ,  HONCIUC ANDREI ,  PANCERA SABRINA MONTERO ,  BAAN ZOLTAN

    Abstract: Aqueous composition for developing photoresists applied to semiconductor substrates, said aqueous composition comprising a quaternary ammonium compound of formula I Wherein a) R1 is selected from a C4 to C30 organic radical of formula -X-CR10R11R12, wherein R10, R11 and R12 are independently selected from a C1 to C20 alkyl and two or three of R10, R11 and R12 may together form a ring system, and R2, R3 and R4 are selected from R1 or a C1 to C10 alkyl, C1 to C10 hydroxyalkyl C1 to C30 aminoalkyl or C1 to C20 alkoxyalkyl, and X is a chemical bond or a C1 to C4 divalent organic radical, or b) R1 and R2 are independently selected from an organic radical of formula Ila or lib wherein Y1 is C4 to C20 alkanediyl, Y2 is a one-, two- or tricyclic C5 to C20 carbocyclic or heterocyclic aromatic system, and R3 and R4 are selected from R1 or a C1 to C10 alkyl, C1 to C10 hydroxyalkyl, C1 to C30 aminoalkyl, or C1 to C20 alkoxyalkyl, and X is a chemical bond or a C1 to C4 divalent organic radical, and X is a chemical bond or a C1 to C4 divalent organic radical, or c) at least two of R1, R2, R3, and R4 together form a saturated mono, bi or tricyclic C5 to C30 organic ring system and the remaining R3 and R4, if any, together form a monocyclic C5 to C30 organic ring system or are selected from a C1 to C10 alkyl, C1 to C10 hydroxyalkyl, C1 to C30 aminoalkyl, or C1 to C20 alkoxyalkyl, and X is a chemical bond or a C1 to C4 divalent organic radical, or d) a combination thereof, and wherein Z is a counter-ion and z is an integer, which is chosen so that the overall bulky quaternary ammonium compound is electrically uncharged.

    PROCESO PARA AISLAR UN DERIVADO DE ÁCIDO (TIO)FOSFÓRICO.
    3.
    发明专利
    PROCESO PARA AISLAR UN DERIVADO DE ÁCIDO (TIO)FOSFÓRICO. 未知

    公开(公告)号：MX395707B

    公开(公告)日：2025-03-25

    申请号：MX2018006534

    申请日：2018-05-28

    Applicant: BASF SE

    Inventor： FLAJS ANTON ,  DENECKE HARTMUT ,  MUEHLHEIMS PHILIP ,  LANG TOBIAS ,  BAAN ZOLTAN

    IPC: C07F9/22

    Abstract: La presente invención se refiere a un proceso para aislar al menos un derivado de ácido (tio)fosfórico (1a), que tiene un punto de ebullición de al menos 70 °C, de una mezcla de productos (1) que comprende, como componente (1a), el al menos un derivado de ácido (tio)fosfórico, como componente (1b), al menos una sal seleccionada de (b1) sales de amonio y (b2) cloruros de metales alcalinos, como componente (1c), al menos un solvente polar, que se selecciona del grupo que consiste en solventes de éster y solventes de éter, y, opcionalmente como componente (1d), al menos un barredor de HCI; en donde el proceso se basa en el concepto de disolver primero el derivado de ácido (tio)fosfórico (1a) para poder eliminar la al menos una sal, y luego producir la formación de sólidos del derivado de ácido (tio)fosfórico (1a).

    Proceso para el aislamiento de un derivado del ácido (tio)fosfórico
    5.
    发明专利
    Proceso para el aislamiento de un derivado del ácido (tio)fosfórico 未知

    公开(公告)号：ES2913049T3

    公开(公告)日：2022-05-31

    申请号：ES16870094

    申请日：2016-12-01

    Applicant: BASF SE

    Inventor： LANG TOBIAS ,  BAAN ZOLTAN ,  MUEHLHEIMS PHILIP ,  FLAJS ANTON ,  DENECKE HARTMUT

    IPC: C07F9/22

    Abstract: Un proceso para aislar al menos un derivado del ácido (tio)fosfórico (1a), que tiene un punto de fusión de al menos 70 °C, donde al menos un derivado del ácido (tio)fosfórico (1a) es triamida del ácido N-(n-propil)tiofosfórico (NPPT) de una mezcla de productos (1) que comprende como componentes (1a) el al menos un derivado de ácido (tio)fosfórico; (1b) al menos una sal seleccionada del grupo que consta de (b1) sales de amonio de acuerdo con la fórmula general H2NR16R17Cl donde R16 y R17 se seleccionan independientemente entre sí del grupo que consiste en H y alquilo C1-C4; y (b2) cloruros de metales alcalinos; (1c) al menos un disolvente polar, que es acetato de etilo; y (1d) opcionalmente al menos un neutralizador de HCI; en donde el proceso comprende al menos los pasos de (a) calentar la mezcla de productos (1) a una temperatura de 40 °C a 60 °C; (b) separar el material sólido de la mezcla de productos calentada (1) para eliminar al menos una sal (1b) y obtener una solución que comprenda al menos un derivado del ácido (tio)fosfórico (1a), al menos un derivado polar solvente (1c) y opcionalmente el al menos un neutralizador de HCI (1d); (c) provocar la formación de sólidos por cristalización o precipitación de al menos un derivado de ácido (tio)fosfórico (1a) de la solución obtenida evaporando parcialmente al menos un disolvente (1c) de la solución o enfriando la solución y (d) aislar el material sólido separando el material sólido de las aguas madres, lavarlo y secarlo.

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