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    Uso de tensioactivos no iónicos alcoxilados como aditivo en composiciones acuosas de limpieza de membrana
    6.
    发明专利
    Uso de tensioactivos no iónicos alcoxilados como aditivo en composiciones acuosas de limpieza de membrana 未知

    公开(公告)号：ES2666122T3

    公开(公告)日：2018-05-03

    申请号：ES13731319

    申请日：2013-06-21

    Applicant: BASF SE

    Inventor： KINGMA AREND JOUKE ,  NEUMANN DIANA

    IPC: C11D1/42 ,  C11D1/44 ,  C11D1/72

    Abstract: El uso de un tensioactivo no iónico alcoxilado como aditivo para una composición acuosa de limpieza de membrana, en el que el tensioactivo tiene un valor de HLBd de desde 9 hasta 12,5 y un grado promedio de ramificación Bs >= 1,5 y en el que cuando X es O, el tensioactivo tiene la siguiente fórmula: **Fórmula** en la que - R es una cadena hidrocarbonada lineal o ramificada C8-C18, - R1, R2 y R3 son independientemente entre sí hidrógeno, metilo, etilo, propilo, isopropilo, o una mezcla de estos, - n tiene un valor de desde 1 hasta 8, - m tiene un valor de desde 1 hasta 8, y - p tiene un valor de desde 0 hasta 8; o en la que cuando X es N, el tensioactivo tiene la siguiente fórmula**Fórmula** en la que - R1, R2 y R3 son independientemente entre sí hidrógeno, metilo, etilo, propilo, isopropilo, o una mezcla de estos, - n tiene un valor de desde 1 hasta 8, - m tiene un valor de desde 1 hasta 8, y - p tiene un valor de desde 0 hasta 8.

    AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC AND POLYSILICON FILMS
    7.
    发明专利
    AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC AND POLYSILICON FILMS 未知

    公开(公告)号：SG10201510122PA

    公开(公告)日：2016-01-28

    申请号：SG10201510122P

    申请日：2011-12-07

    Applicant: BASF SE

    Inventor： VENKATARAMAN SHYAM SUNDAR ,  SU EASON YU-SHEN ,  KINGMA AREND JOUKE ,  NOLLER BASTIAN MARTEN

    Abstract: An aqueous polishing composition comprising (A) abrasive ceria particles and (B) amphiphilic nonionic surfactants selected water-soluble and water-dispersible, linear and branched polyoxyalkylene blockcopolymers of the general formula I: R[(B1)m/(B2)nY]p (I), wherein the indices and the variables have the following meaning: m, n, and p integers≧1; R hydrogen atom or monovalent or polyvalent organic residue, except C5-C20 alkyl groups; (B1) block of oxyethylene monomer units; (B2) block of substituted oxyalkylene monomer units wherein the substituents are selected from two methyl groups, alkyl groups of more than two carbon atoms and cycloalkyl, aryl, alkyl-cycloalkyl, alkyl-aryl, cycloalkyl-aryl and alkyl-cycloalkyl-aryl groups; and Y hydrogen atom or monovalent organic residue, except C5-C20 alkyl groups; with the proviso that when (B) contains more than one block (B1) or (B2) two blocks of the same type are separated by a block of the other type.

    AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC AND POLYSILICON FILMS
    10.
    发明专利
    AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC AND POLYSILICON FILMS 未知

    公开(公告)号：SG190334A1

    公开(公告)日：2013-06-28

    申请号：SG2013038492

    申请日：2011-12-07

    Applicant: BASF SE

    Inventor： VENKATARAMAN SHYAM SUNDAR ,  SU EASON YU-SHEN ,  KINGMA AREND JOUKE ,  NOLLER BASTIAN MARTEN

    Abstract: An aqueous polishing composition comprising (A) abrasive ceria particles and (B) amphiphilic nonionic surfactants selected water-soluble and water-dispersible, linear and branched polyoxyalkylene blockcopolymers of the general formula I: R[(B1)m/(B2)nY]p (I), wherein the indices and the variables have the following meaning: m, n, and p integers ≥ 1; R hydrogen atom or monovalent or polyvalent organic residue, except C5-C20 alkyl groups; (B1) block of oxyethylene monomer units; (B2) block of substituted oxyalkylene monomer units wherein the substituents are selected from two methyl groups, alkyl groups of more than two carbon atoms and cycloalkyl, aryl, alkyl-cycloalkyl, alkyl-aryl, cycloalkyl-aryl and alkyl-cycloalkyl-aryl groups; and Y hydrogen atom or monovalent organic residue, except C5-C20 alkyl groups; with the proviso that when (B) contains more than one block (B1) or (B2) two blocks of the same type are separated by a block of the other type.

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