中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

29 records (took 0.035 seconds)

    A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-XGeX MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION COMPRISING A SPECIFIC ORGANIC COMPOUND
    1.
    发明申请
    A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-XGeX MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION COMPRISING A SPECIFIC ORGANIC COMPOUND 审中-公开
    在包含特定有机化合物的CMP组合物存在下，制备包含元素锗和/或Si1-XGeX材料的化学机械抛光的半导体器件的制造方法

    公开(公告)号：WO2013018015A3

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：PCT/IB2012053877

    申请日：2012-07-30

    Applicant: BASF SE ,  NOLLER BASTIAN MARTEN ,  DRESCHER BETTINA ,  GILLOT CHRISTOPHE ,  LI YUZHUO ,  BASF CHINA CO LTD

    Inventor： NOLLER BASTIAN MARTEN ,  DRESCHER BETTINA ,  GILLOT CHRISTOPHE ,  LI YUZHUO

    IPC: C09G1/02

    CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

    Abstract: A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or Si1-xGex material with 0.1

    Abstract translation: 在化学机械抛光（CMP）组合物的存在下，包括化学机械抛光元素锗和/或Si1-xGex材料，其中0.1≤x≤1的半导体器件的制造方法，包括：（A）无机颗粒， 有机颗粒或其混合物或复合物，（B）至少一种类型的氧化剂，（C）至少一种类型的有机化合物，其包含至少{k}部分（Z），但不包括阴离子的盐 是无机的，其唯一的有机阳离子是[NR11R12R13R14] +，其中{k}是1,2或3，（Z）是羟基（-OH），烷氧基（-OR1），杂环烷氧基（-OR1， 杂环结构），羧酸（-COOH），羧酸酯（-COOR 2），氨基（-NR 3 R 4），杂环氨基（作为杂环结构的一部分的-NR 3 R 4），亚氨基（= N-R 5或-N = （= N-R5或-N = R6作为杂环结构的一部分），膦酸酯（-P（= O）（OR 7）（OR 8）），磷酸酯（-O-P（= O） ）），膦酸（-P（= 0）（OH）2），磷酸（-O-P（= O）（OH）2）部分，或其质子化或去质子化形式，R 1，R 2，R 7，R 9彼此独立地是烷基，芳基 ，烷基芳基或芳基烷基，R 3，R 4，R 5，R 8，R 10彼此独立地为H，烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，R 6为亚烷基或芳基亚烷基，R 11，R 12，R 13独立地为 其中，H，烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，R11，R12，R13不包含任何部分（Z），R 14是烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，R 14不包含任何部分（Z） 和（D）水性介质。

    ВОДНАЯ ПОЛИРУЮЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ И СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК, СОДЕРЖАЩИХ ПЛЕНКИ НА ОСНОВЕ ОКСИДКРЕМНИЕВОГО ДИЭЛЕКТРИКА И НА ОСНОВЕ ПОЛИКРЕМНИЯ
    6.
    发明专利
    ВОДНАЯ ПОЛИРУЮЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ И СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК, СОДЕРЖАЩИХ ПЛЕНКИ НА ОСНОВЕ ОКСИДКРЕМНИЕВОГО ДИЭЛЕКТРИКА И НА ОСНОВЕ ПОЛИКРЕМНИЯ 未知

    公开(公告)号：RU2588620C2

    公开(公告)日：2016-07-10

    申请号：RU2013131395

    申请日：2011-12-07

    Applicant: BASF SE

    Inventor： VENKATARAMAN SHIAM SUNDAR ,  SU ISON YUJ-SHEN ,  KINGMA AREND JOUKE ,  NOLLER BASTIAN MARTEN

    IPC: C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/32

    Abstract: Изобретениеотноситсяк новымводнымполирующимкомпозициям, которыеособенноподходятдляполированияполупроводниковыхподложек, содержащихпленкинаосновеоксидкремниевогодиэлектрикаи поликремния, необязательносодержащихпленкинаосновенитридакремния. Композициясодержит (A) абразивныечастицыоксидацерияи (B) амфифильныенеионогенныеповерхностно-активныевещества, выбранныеизрастворимыхв водеи диспергируемыхв воде, линейныхи разветвленныхполиоксиалкиленовыхблоксополимеровобщейформулы I:, где m, n и p являютсяцелымичислами≥ 1; R означаетатомводородаилиодновалентныйилиполивалентныйорганическийостаток, заисключением C-Cалкильныхгрупп; (B1) блококсиэтиленовыхмономерныхзвеньев; (B2) блокзамещенныхоксиалкиленовыхмономерныхзвеньев, гдезаместителивыбираютиздвухметильныхгрупп, алкильныхгрупп, имеющихболеедвухатомовуглерода, ициклоалкильных, арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильныхи алкил-циклоалкил-арильныхгрупп; и Y означаетатомводородаилиодновалентныйорганическийостаток, заисключением C-Cалкильныхгрупп; приусловии, чтоесли (B) содержитболееодногоблока (B1) или (B2), дваблокаодинаковоготипаразделеныблокомдругоготипа (В1) или (В2). Композицияобладаетзначительноулучшеннойселективностьюоксид/поликремнийи обеспечиваетполучениеполированныхпластин, имеющихпревосходнуюглобальнуюи локальнуюплоскостность. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 3 табл., 9 пр.

    КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СМР, СОДЕРЖАЩАЯ АБРАЗИВНЫЕ ЧАСТИЦЫ, СОДЕРЖАЩИЕ ДИОКСИД ЦЕРИЯ
    8.
    发明专利
    КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СМР, СОДЕРЖАЩАЯ АБРАЗИВНЫЕ ЧАСТИЦЫ, СОДЕРЖАЩИЕ ДИОКСИД ЦЕРИЯ 未知

    公开(公告)号：RU2661571C2

    公开(公告)日：2018-07-17

    申请号：RU2016105297

    申请日：2014-07-08

    Applicant: BASF SE

    Inventor： LAUTER MIKHAEL ,  LI YUZHUO ,  NOLLER BASTIAN MARTEN ,  LANGE ROLAND ,  RAJKHARDT ROBERT ,  LAN JONGKING ,  BOJKO VOLODIMIR ,  KRAUS ALEKSANDER ,  SEJERL JOAKHIM VON ,  USMAN IBRAKHIM SHEJK ANSAR ,  ZIBERT MAKS ,  KHARTNAGEL KRISTIN ,  DENGLER JOAKHIM ,  KHILLESKHAJM NINA SYUZANN

    IPC: C09G1/18 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

    Abstract: Группаизобретенийотноситсяк полимернойхимиии можетбытьиспользованав полупроводниковойпромышленности. Композициядляхимико-механическойполировкисодержит (А) абразивныечастицыдиоксидацерия; (В) одинилиболееполимеров. Каждаямакромолекулаполимеровсодержит (i) однуилиболееанионныхфункциональныхгруппи (ii) однуилиболееструктурныхединиц -(AO)-R. Апредставляетсобой CH, x = 2-4; а = 5-200. R представляетсобойводородилиразветвленнуюилилинейнуюалкильнуюгруппу, имеющуюот 1 до 4 атомовуглерода. Вполимересуммамолярныхмассвсехструктурныхединиц (ii) составляетпоменьшеймере 50% отмолярноймассыуказанногополимера (В). Дляполученияполупроводниковогоустройстваосуществляютхимико-механическуюполировкуподложкив присутствиикомпозициидляхимико-механическойполировки. Полимер (В) применяютдляподавленияагломерациичастиц, содержащихдиоксидцерия, и/илидляустановлениядзета-потенциалачастиц, содержащихдиоксидцерия. Обеспечиваютсяповышениеэффективностиполировки, высокаяскоростьудалениядиоксидакремнияи регулируемаяселективность. 4 н. и 14 з.п. ф-лы, 1 ил., 13 табл.

Patent Agency Ranking