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    CMOS-Bolometer
    2.
    发明专利
    CMOS-Bolometer 未知

    公开(公告)号：DE112013004116T5

    公开(公告)日：2015-05-07

    申请号：DE112013004116

    申请日：2013-08-20

    Applicant: FEYH ANDO ,  O'BRIEN GARY ,  PURKL FABIAN ,  BOSCH GMBH ROBERT ,  SAMARAO ASHWIN ,  YAMA GARY

    Inventor： YAMA GARY ,  SAMARAO ASHWIN ,  FEYH ANDO ,  PURKL FABIAN ,  O'BRIEN GARY

    IPC: G01J5/02 ,  G01J5/20 ,  H01L27/144

    Abstract: Ein Verfahren für das Herstellen einer Halbleitereinrichtung beinhaltet das Bilden wenigstens einer Opferschicht auf einem Substrat während eines komplementären Metalloxid-Halbleiter-(CMOS-)Prozesses. Eine Absorberschicht wird auf der Oberfläche der wenigstens einen Opferschicht abgelagert. Ein Teilbereich der wenigstens einen Opferschicht unterhalb der Absorberschicht wird entfernt, um eine Lücke zu bilden, über welche ein Teilbereich der Absorberschicht aufgehängt ist. Die Opferschicht kann ein Oxid des CMOS-Prozesses sein, wobei das Oxid entfernt wird, um die Lücke zu bilden, wobei ein selektiver Wasserstoff-Fluorsäure-Dampf-Trockenätz-Freigabeprozess benutzt wird. Die Opferschicht kann auch eine Polymerschicht sein, wobei die Polymerschicht entfernt wird, um die Lücke zu bilden, wobei ein O2-Plasma-Ätzprozess benutzt wird.

    ANISOTROPIC CONDUCTOR AND METHOD OF FABRICATION THEREOF
    4.
    发明申请
    ANISOTROPIC CONDUCTOR AND METHOD OF FABRICATION THEREOF 审中-公开
    各向异性导体及其制造方法

    公开(公告)号：WO2014189600A3

    公开(公告)日：2015-01-29

    申请号：PCT/US2014022175

    申请日：2014-03-08

    Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  FEYH ANDO ,  PURKL FABIAN ,  SAMARAO ASHWIN ,  YAMA GARY ,  O'BRIEN GARY

    Inventor： FEYH ANDO ,  PURKL FABIAN ,  SAMARAO ASHWIN ,  YAMA GARY ,  O'BRIEN GARY

    IPC: C23C28/00 ,  C23C16/455

    CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B7/0006 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/3142 ,  H01L45/146

    Abstract: An anisotropic conductor and a method of fabrication thereof. The anisotropic conductor includes an insulating matrix and a plurality of nanoparticles disposed therein. A first portion of the plurality of nanoparticles provides a conductor when subjected to a voltage and/or current pulse. A second portion of the plurality of the nanoparticles does not form a conductor when the voltage and or current pulse is applied to the first portion. The anisotropic conductor forms a conductive path between conductors of electronic devices, components, and systems, including microelectromechanical systems (MEMS) devices, components, and systems.

    Abstract translation: 各向异性导体及其制造方法。 各向异性导体包括绝缘基体和设置在其中的多个纳米颗粒。 多个纳米颗粒的第一部分在经受电压和/或电流脉冲时提供导体。 当电压和/或电流脉冲施加到第一部分时，多个纳米颗粒的第二部分不形成导体。 各向异性导体在电子器件，部件和系统的导体之间形成导电路径，包括微机电系统（MEMS）器件，部件和系统。

    Durchstimmbare Lithiumniobatresonatoren und -filter mittels Lithiierung und Delithiierung
    6.
    发明专利
    Durchstimmbare Lithiumniobatresonatoren und -filter mittels Lithiierung und Delithiierung 未知

    公开(公告)号：DE112017003939B4

    公开(公告)日：2025-02-13

    申请号：DE112017003939

    申请日：2017-09-06

    Applicant: BOSCH GMBH ROBERT

    Inventor： SAMARAO ASHWIN

    IPC: H03H9/25 ,  H10N30/079

    Abstract: Akustische-Oberflächenwelle(SAW)-Vorrichtung (100), die Folgendes umfasst:ein Siliciumsubstrat (108) mit einer Hauptoberfläche;ein piezoelektrisches Substrat (102), das aus Lithiumniobat gebildet ist;eine Metalloxidschicht (110), die zwischen dem Siliciumsubstrat (108) und dem piezoelektrischen Substrat (102) dazwischenliegt;wenigstens eine Elektrode (106) auf dem piezoelektrischen Substrat (102); undein Durchstimmungsschaltkreis (120), der dazu konfiguriert ist, ein Ladungszentrum des piezoelektrischen Substrats (102) zu verändern.

    LEIDENFROST-Effekt-basierte Mikrofluid-Mischeinrichtung
    7.
    发明专利
    LEIDENFROST-Effekt-basierte Mikrofluid-Mischeinrichtung 未知

    公开(公告)号：DE112017003965T5

    公开(公告)日：2019-04-18

    申请号：DE112017003965

    申请日：2017-09-07

    Applicant: BOSCH GMBH ROBERT

    Inventor： SAMARAO ASHWIN

    IPC: B01F13/00

    Abstract: Ein System und Verfahren zum Mischen von Fluiden unter Verwendung einer Mikrofluid-Mischeinrichtung beinhaltet das Erwärmen eines Mischabschnitts des Fluidmischkanals auf eine Leidenfrost-Temperatur. Die Leidenfrost-Temperatur entspricht einem Leidenfrost-Punkt von mindestens einem der zu mischenden Fluide. Die zu mischenden Fluide werden durch den Mischabschnitt des Fluidmischkanals geleitet, nachdem der Mischabschnitt auf die Leidenfrost-Temperatur erwärmt ist.

    MEMS DEVICE HAVING A GETTER
    8.
    发明公开
    MEMS DEVICE HAVING A GETTER 有权
    MEMS-VORRICHTUNG MIT EINEM GETTER

    公开(公告)号：EP2973685A4

    公开(公告)日：2016-10-12

    申请号：EP14774321

    申请日：2014-03-13

    Applicant: BOSCH GMBH ROBERT

    Inventor： SAMARAO ASHWIN ,  O'BRIEN GARY ,  FEYH ANDO ,  YAMA GARY ,  GRAHAM ANDREW ,  KIM BONGSANG ,  PURKL FABIAN

    IPC: H01L23/12 ,  B81B7/02 ,  H01L21/322

    CPC classification number: B81C1/00285 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3225 ,  H01L23/28

    Abstract: A microelectromechanical system (MEMS) device includes a high density getter. The high density getter includes a silicon surface area formed by porosification or by the formation of trenches within a sealed cavity of the device. The silicon surface area includes a deposition of titanium or other gettering material to reduce the amount of gas present in the sealed chamber such that a low pressure chamber is formed. The high density getter is used in bolometers and gyroscopes but is not limited to those devices.

    Abstract translation: 微机电系统（MEMS）装置包括高密度吸气剂。 高密度吸气剂包括通过孔化形成的硅表面积或者通过在器件的密封空腔内形成沟槽。 硅表面积包括钛或其它吸气材料的沉积物以减少存在于密封室中的气体的量，从而形成低压室。 高密度吸气剂用于测辐射热计和陀螺仪，但不限于这些设备。

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