公开(公告)号：WO2009136645A2

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：PCT/JP2009058724

申请日：2009-04-28

Applicant: CANON KK ,  SATO AYUMU ,  HAYASHI RYO ,  YABUTA HISATO ,  SANO MASAFUMI

Inventor： SATO AYUMU ,  HAYASHI RYO ,  YABUTA HISATO ,  SANO MASAFUMI

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78621

Abstract: Provided are a coplanar structure thin film transistor that allows a threshold voltage to change only a little under electric stress, and a method of manufacturing the same. The thin film transistor includes on a substrate at least: a gate electrode; a gate insulating layer; an oxide semiconductor layer including a source electrode, a drain electrode, and a channel region; a channel protection layer; and an interlayer insulating layer. The channel protection layer includes one or more layers, the layer in contact with the oxide semiconductor layer among the one or more layers being made of an insulating material containing oxygen, ends of the channel protection layer are thinner than a central part of the channel protection layer, the interlayer insulating layer contains hydrogen, and regions of the oxide semiconductor layer that are in direct contact with the interlayer insulating layer form the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 提供一种共面结构薄膜晶体管，其制造方法允许阈值电压在电应力下变化很小。 薄膜晶体管至少在基板上包括：栅电极; 栅极绝缘层; 包括源电极，漏电极和沟道区的氧化物半导体层; 通道保护层; 和层间绝缘层。 沟道保护层包括一层或多层，一层或多层中与氧化物半导体层接触的层由含氧的绝缘材料制成，沟道保护层的端部比通道保护层的中心部分薄 层间绝缘层含有氢，与层间绝缘层直接接触的氧化物半导体层的区域形成源电极和漏电极。

公开(公告)号：WO2013137421A3

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：PCT/JP2013057325

申请日：2013-03-08

Applicant: CANON KK

Inventor： YABUTA HISATO ,  WATANABE TAKAYUKI ,  KUBOTA MAKOTO ,  HAYASHI JUMPEI

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L41/1878 ,  B05B17/0607 ,  B41J2/045 ,  B41J2/14233 ,  G02B7/102 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/43 ,  H02N2/103 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

Abstract: Provided is a piezoelectric material having high Curie temperature, high insulation property, and high piezoelectric performance, the piezoelectric material including a perovskite-type metal oxide represented by the general formula (1): xBaTiO3-yBiFeO3-zBi(M0.5Ti0.5)O3, where M represents at least one kind of element selected from the group consisting of Mg, Ni, and Zn, x represents a value satisfying 0.25

Abstract translation: 提供具有高居里温度，高绝缘性和高压电性能的压电材料，压电材料包括由通式（1）表示的钙钛矿型金属氧化物：xBaTiO3-yBiFeO3-zBi（M0.5Ti0.5） O 3，其中M表示选自Mg，Ni和Zn中的至少一种元素，x表示满足0.25 <= x <= 0.75的值，y表示满足0.15 <= y <0.73的值， 并且z表示满足0.02 <= z <= 0.60的值，条件是其中钙钛矿型金属氧化物含有V的x + y + z = 1，V的含量为0.0005摩尔以上且0.0050摩尔， 相对于1摩尔钙钛矿型金属氧化物较小。 此外，提供了使用压电材料的压电元件，排液头，超声波马达和除尘装置。

公开(公告)号：WO2009041713A3

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：PCT/JP2008067877

申请日：2008-09-25

Applicant: CANON KK ,  HAYASHI RYO ,  YABUTA HISATO ,  TATEISHI YOSHINORI ,  KAJI NOBUYUKI

Inventor： HAYASHI RYO ,  YABUTA HISATO ,  TATEISHI YOSHINORI ,  KAJI NOBUYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: A method for manufacturing a field-effect transistor is provided. The field-effect transistor includes on a substrate a source electrode, a drain electrode, an oxide semiconductor layer, an insulating layer and a gate electrode. The method includes, after forming the insulating layer on the oxide semiconductor layer, an annealing step of increasing the electrical conductivity of the oxide semiconductor layers by annealing in an atmosphere containing moisture. The steam pressure at the annealing step is higher than the saturated vapor pressure in the atmosphere at the annealing temperature.

Abstract translation: 提供一种用于制造场效应晶体管的方法。 场效应晶体管在基板上包括源电极，漏电极，氧化物半导体层，绝缘层和栅电极。 该方法包括：在氧化物半导体层上形成绝缘层之后，通过在含有水分的气氛中进行退火来提高氧化物半导体层的导电性的退火步骤。 退火步骤中的蒸汽压力高于退火温度下大气中的饱和蒸气压。

公开(公告)号：AT503273T

公开(公告)日：2011-04-15

申请号：AT08857495

申请日：2008-11-27

Applicant: CANON KK

Inventor： SATO AYUMU ,  HAYASHI RYO ,  YABUTA HISATO ,  WATANABE TOMOHIRO

IPC: H01L29/786

Abstract: Provided is an oxide semiconductor device including an oxide semiconductor layer and an insulating layer coming into contact with the oxide semiconductor layer in which the insulating layer includes: a first insulating layer coming into contact with an oxide semiconductor, having a thickness of 50 nm or more, and including an oxide containing Si and O; a second insulating layer coming into contact with the first insulating layer, having a thickness of 50 nm or more, and including a nitride containing Si and N; and a third insulating layer coming into contact with the second insulating layer, the first insulating layer and the second insulating layer having hydrogen contents of 4×1021 atoms/cm3 or less, and the third insulating layer having a hydrogen content of more than 4×1021 atoms/cm3.

公开(公告)号：ES2453568T3

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：ES08740693

申请日：2008-04-15

Applicant: CANON KK

Inventor： YABUTA HISATO ,  ENDO AYANORI ,  KAJI NOBUYUKI ,  HAYASHI RYO

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

Abstract: Método de fabricación de un transistor de película fina de tipo puerta inferior que utiliza un semiconductor de óxido amorfo InxGayZnz como capa de canal, en el que el semiconductor de óxido amorfo contiene In, Ga y Zn en una proporción atómica de InxGayZnz, la densidad de masa M [g/cm3] del semiconductor de óxido amorfo satisface la expresión (1) siguiente: M ³ 0,94 x (7,121x + 5,941y + 5,675z)/(x+y+z) (1) en la que 0

公开(公告)号：DE602008005773D1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：DE602008005773

申请日：2008-11-27

Applicant: CANON KK

Inventor： SATO AYUMU ,  HAYASHI RYO ,  YABUTA HISATO ,  WATANABE TOMOHIRO

IPC: H01L29/786

公开(公告)号：JP2019001708A

公开(公告)日：2019-01-10

申请号：JP2018143724

申请日：2018-07-31

Applicant: CANON KK

Inventor： TANAKA HIDENORI ,  WATANABE TAKAYUKI ,  MURAKAMI SHUNSUKE ,  FURUTA TATSUO ,  YABUTA HISATO

IPC: C04B35/468 ,  B41J2/14 ,  G02B7/04 ,  G02B7/08 ,  G03B17/02 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H02N2/04 ,  H04N5/225 ,  H04R17/00

Abstract: 【課題】鉛を含まず、動作温度範囲内での圧電特性の変動が少なく、高機械的品質係数であって圧電特性が良好な圧電材料を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表わされるペロブスカイト型金属酸化物を含む主成分と、Mn、Li、Biを有する圧電材料であって、Mnの含有量が金属酸化物100重量部に対して金属換算で0.04重量部以上0.36重量部以下、Liの含有量αが金属酸化物100重量部に対して金属換算で0.0012重量部以下(0重量部を含む)、Biの含有量βが金属酸化物100重量部に対して金属換算で0.042重量部以上0.850重量部以下である圧電材料。(Ba1−xCax)a(Ti1−y−zZrySnz)O3(1)(式中、0.09≦x≦0.30、0.025≦y≦0.085、0≦z≦0.02、0.986≦a≦1.02)【選択図】図19

公开(公告)号：JP2019019051A

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：JP2018130952

申请日：2018-07-10

Applicant: CANON KK

Inventor： YASUI NOBUHIRO ,  YABUTA HISATO ,  OSHIMA KANAKO ,  SAITO HIROSHI ,  OHASHI RYOTA ,  KUBOTA JUN ,  KAMIBAYASHI AKIRA

IPC: C04B35/117 ,  B28B1/30 ,  C04B35/50 ,  C04B35/64 ,  C04B35/653

Abstract: 【課題】安定した造形が可能で、造形精度が確保された三次元造形物を得ることができるレーザー造形用粉体およびその使用方法を提供する。【解決手段】レーザー光の照射部における粉体を逐次焼結または溶融して凝固させることを繰り返して造形物を得るためのセラミックス造形用粉体であって、前記粉体は複数の組成物を含み、前記組成物の少なくとも1種類の組成物が、他の組成物より前記レーザー光に対し相対的に高い吸収を示す吸収体であり、前記レーザー光の照射により前記吸収体の少なくとも一部が前記レーザー光に対する吸収が相対的に低い他の組成物へ変化することを特徴とする粉体、および前記粉体を使用することを特徴とする粉体の使用方法。【選択図】なし