公开(公告)号：WO2005017623A2

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：PCT/FR2004/050377

申请日：2004-08-05

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  RABAROT, Marc ,  KIPP, Mathieu ,  KOPP, Christophe

Inventor： RABAROT, Marc ,  KIPP, Mathieu ,  KOPP, Christophe

IPC: G03F7/20

CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81C2201/0159 ,  G03F7/70216

Abstract: L'invention concerne un procédé de photolithographie permettant la réalisation de motifs dans une couche de résine photosensible (601) posée sur un substrat (600). Les motifs (607) comprennent des flancs (608) inclinés par rapport à une normale (n) à un plan principal du substrat et qui présentent un angle d'inclinaison (θ) bien supérieur à celui des motifs obtenus selon l'art antérieur. L'invention concerne également un dispositif permettant de mettre en oeuvre ledit procédé.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在放置在基板（600）上的感光树脂层（601）中产生图案的平版印刷方法。 所述图案（607）包括相对于主基板平面（n）倾斜的侧面（608），形成比由本领域先前技术可获得的图案的倾斜角度（θ）大的倾斜角度（θ） 。 还公开了用于实施本发明的方法的装置。

公开(公告)号：WO2006059030A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：PCT/FR2005/050997

申请日：2005-11-28

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  KOPP, Christophe ,  RABAROT, Marc ,  KIPP, Mathieu

Inventor： KOPP, Christophe ,  RABAROT, Marc ,  KIPP, Mathieu

IPC: B82B1/00

CPC classification number: G03F7/2014 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/7035

Abstract: L'invention concerne un procédé de photolithographie doté d'un système optique comportant au moins deux réseaux de diffraction superposés et permettant la réalisation de motifs inclinés dans une couche de photosensible (101) posée sur un substrat (100). Les motifs obtenus à l'aide d'un tel procédé comprennent au moins un flanc incliné par rapport à une normale (n) à un plan principal du substrat et qui présente un angle d'inclinaison bien supérieur à celui des motifs obtenus selon l'art antérieur. L'invention concerne également un dispositif permettant de mettre en oeuvre un tel procédé.

Abstract translation: 本发明涉及一种装备有光学系统的光刻方法，该光学系统包括至少两个重叠的衍射光栅，使得能够在设置在基板（100）上的感光层（101）中产生倾斜图案。 通过使用所述方法获得的图案包括相对于基底的正常（n）至基板的主平面倾斜的至少一个边缘，其倾斜角远大于通过现有技术方法获得的图案。 本发明还涉及一种用于实现所述方法的装置。

公开(公告)号：EP1652009B1

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：EP04786375.8

申请日：2004-08-05

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： RABAROT, Marc ,  KIPP, Mathieu ,  KOPP, Christophe

IPC: G03F7/20

CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81C2201/0159 ,  G03F7/70216

Abstract: The invention relates to a lithographic method for producing patterns in a photosensitive resin layer (601) placed on a substrate (600). Said patterns (607) comprises flanks (608) inclined with respect to a normal (n) to the main substrate plane forming an inclination angle (υ) which is much greater than the inclination angle of the patters obtainable by the previous state of the art. A device for carrying out the inventive method is also disclosed.

公开(公告)号：EP1652009A2

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：EP04786375.8

申请日：2004-08-05

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： RABAROT, Marc ,  KIPP, Mathieu ,  KOPP, Christophe

IPC: G03F7/20

CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81C2201/0159 ,  G03F7/70216

Abstract: The invention relates to a lithographic method for producing patterns in a photosensitive resin layer (601) placed on a substrate (600). Said patterns (607) comprises flanks (608) inclined with respect to a normal (n) to the main substrate plane forming an inclination angle (υ) which is much greater than the inclination angle of the patters obtainable by the previous state of the art. A device for carrying out the inventive method is also disclosed.