公开(公告)号：FR3072579A1

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：FR1759833

申请日：2017-10-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： THOMAS OLIVIER ,  BRULAIS SEBASTIEN ,  DANG HERVE ,  FREYTRICH LAURENT ,  GROS JEAN-PHILIPPE ,  PAULET JEROME ,  RAMAHEFA-ANDRY PRINCE ARNAUD

IPC: A63B24/00 ,  G06F15/173

Abstract: L'invention concerne le domaine du sport connecté et spécifiquement un procédé de quantification d'activité sportive mis en œuvre par un système de communication 1 comprenant: une balise de proximité 10 associée à un équipement sportif 2, un équipement de mesure 20, 21 et un nœud de communication 30, le procédé comprenant : Communiquer entre l'équipement de mesure 20 et la balise pour récupérer un premier paquet de données 210 comprenant un identifiant relatif à une activité sportive associée à l'équipement sportif 2 ; Transmettre, au nœud, un deuxième paquet de données 220 comprenant l'identifiant ; Au nœud, déterminer des données de paramétrage de l'équipement de mesure en fonction de l'identifiant ; Transmettre, à l'équipement de mesure, un troisième paquet de données 230 comprenant lesdites données de paramétrage ; et Au niveau de l'équipement de mesure paramétré, quantifier l'activité sportive.

公开(公告)号：FR3035998A1

公开(公告)日：2016-11-11

申请号：FR1554128

申请日：2015-05-07

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： JOVANOVIC NATALIJA ,  THOMAS OLIVIER

IPC: G11C11/34

Abstract: L'invention concerne une mémoire non volatile comprenant : un premier élément résistif comportant un premier et un deuxième nœud ; un circuit de programmation (302, 304) pour programmer le premier élément résistif pour prendre l'un d'un premier et d'un deuxième état résistif (LRS, HRS), le circuit de programmation comprenant : - un premier miroir de courant (306, 312) couplé à un premier rail de tension d'alimentation (VDDH) et ayant une première branche (312) couplée au premier nœud de l'élément résistif, et une deuxième branche (306) couplée à une première source de courant (310) ; et - un premier transistor (326) couplant le deuxième nœud du premier élément résistif à un deuxième rail de tension alimentation (GND).

公开(公告)号：FR2961950B1

公开(公告)日：2013-03-15

申请号：FR1002657

申请日：2010-06-24

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  FENOUILLET BERANGER CLAIRE ,  DENORME STEPHANE ,  THOMAS OLIVIER

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/335 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085

公开(公告)号：AT536636T

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：AT09161129

申请日：2009-05-26

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BATUDE PERRINE ,  CLAVELIER LAURENT ,  JAUD MARIE-ANNE ,  THOMAS OLIVIER ,  VINET MAUD

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/06

公开(公告)号：FR2944139B1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：FR0901595

申请日：2009-04-01

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： THOMAS OLIVIER ,  NOEL JEAN PHILIPPE

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108

公开(公告)号：AT504921T

公开(公告)日：2011-04-15

申请号：AT08164774

申请日：2008-09-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： THOMAS OLIVIER

IPC: G11C7/14

Abstract: The device has a double gate transistor (312) for accessing a storage node, and another double gate transistor (314) for accessing another storage node. One of gates of the transistor (312) and of the transistor (314) is connected to a word line (WL11). Another gate of the transistor (312) and of the transistor (314) is connected to another word line (WL22). A reference memory cell (CELL-REF) is provided for delivering a polarization potential to be applied to one of the word lines of memory cells (100-11-100-1n) during reading access of the cells.

公开(公告)号：FR2932003B1

公开(公告)日：2011-03-25

申请号：FR0853608

申请日：2008-06-02

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： THOMAS OLIVIER ,  BATUDE PERRINE ,  POUYDEBBASQUE ARNAUD ,  VINET MAUD

IPC: H01L21/8244

公开(公告)号：FR2918794B1

公开(公告)日：2010-04-30

申请号：FR0756348

申请日：2007-07-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： THOMAS OLIVIER ,  COLLONGE MICHAEL ,  VINET MAUD

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/20 ,  H01L29/78 ,  H01L29/84 ,  H01L41/09

公开(公告)号：FR2918796A1

公开(公告)日：2009-01-16

申请号：FR0756347

申请日：2007-07-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： COLLONGE MICHAEL ,  THOMAS OLIVIER ,  VINET MAUD

IPC: H01L29/84 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/20 ,  H01L29/78 ,  H01L41/09

Abstract: La présente demande concerne un dispositif de transistor à grille mobille suspendue, comportant des moyens d'actionnement piézoélectrique de la grille, ainsi qu'un procédé de réalisation d'un tel dispositif.

公开(公告)号：FR3043488A1

公开(公告)日：2017-05-12

申请号：FR1560605

申请日：2015-11-05

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GUPTA NAVNEET ,  MAKOSIEJ ADAM ,  ANGHEL COSTIN ,  AMARA AMARA ,  THOMAS OLIVIER

IPC: G11C15/04 ,  G06F12/02

Abstract: L'invention concerne une mémoire adressable par contenu (CAM) comprenant au moins une cellule CAM (100) comprenant : des premier et deuxième inverseurs (102, 104) couplés de façon croisée entre des premier et deuxième noeuds de mémorisation (V1, V2) ; un premier transistor (114) couplant le premier noeud de mémorisation (V1) à une ligne de bit (BLL), le premier transistor (114) étant contrôlé par un premier signal de commande (WL1) ; un deuxième transistor (116) couplant le deuxième noeud de mémorisation (V2) à la ligne de bit (BLL), le deuxième transistor (116) étant contrôlé par un deuxième signal de commande (WL2) ; et un circuit de commande (118) adapté à réaliser une opération de lecture CAM en pré-chargeant la ligne de bit (BLL) à un premier niveau de tension, puis en activant sélectivement le premier ou le deuxième transistor sur la base d'un bit de données d'entrée (DIN).