公开(公告)号：FR3020897A1

公开(公告)日：2015-11-13

申请号：FR1454171

申请日：2014-05-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： RANICA ROSSELLA ,  BARRAL VINCENT ,  PLANES NICOLAS ,  GARCHERY LAURENT ,  PETIT DAVID ,  KOHLER SABRINA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

Abstract: L'invention concerne un transistor MOS dont l'empilement conducteur de grille (11) comprend, sur un isolant de grille (13), un composé métallique (17) surmonté de silicium polycristallin (119), le silicium polycristallin comprenant une région inférieure (119B) en contact avec le composé métallique, une région centrale (119C) et une région supérieure (119A), dans lequel la région inférieure est plus fortement dopée que la région centrale.

公开(公告)号：FR3057104A1

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：FR1659574

申请日：2016-10-04

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BARRAL VINCENT ,  PLANES NICOLAS ,  CROS ANTOINE ,  HAENDLER SEBASTIEN ,  POIROUX THIERRY ,  WEBER OLIVIER ,  SCHEER PATRICK

IPC: H01L25/03 ,  H01L29/772

Abstract: L'invention concerne une puce électronique comprenant des transistors (TA, TB) à effet de champ de type FDSOI dont les régions de canal (44) sont dopées à un niveau moyen compris entre 1016 et 5* 1017 atomes/cm3 d'un type de conductivité opposé à celui des régions de drain (50A, 50B) et de source (48)