公开(公告)号：FR3091787A1

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：FR1900323

申请日：2019-01-14

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAY LAURENT ,  LALANNE FREDERIC ,  HENRION YANN ,  GUYADER FRANÇOIS ,  FONTENEAU PASCAL ,  SEIGNARD AURÉLIEN

IPC: H01L31/18 ,  H01L27/146

Abstract: Capteur d'images à éclairement par la face arrière La présente description concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'images, comportant les étapes successives suivantes : a) réaliser une structure comportant une couche semiconductrice (101) et un mur d'isolation capacitif (105) s'étendant verticalement de la face avant à la face arrière de la couche semiconductrice et comprenant des première (105a) et deuxième (105b) parois isolantes séparées par une région (105c) en un matériau conducteur ou semiconducteur ; b) graver, depuis la face arrière, une partie de l'épaisseur de la couche semiconductrice (101) et de ladite région (105c) de façon sélective par rapport aux parois isolantes (105a, 105b) ; c) déposer une couche diélectrique de passivation (107) sur la face arrière de la structure ; et d) retirer localement la couche de passivation (107) en vis-à-vis des parois isolantes (105a, 105b). Figure pour l'abrégé : Fig. 10

公开(公告)号：FR3077927A1

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：FR1851203

申请日：2018-02-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： LALANNE FREDERIC ,  GAY LAURENT ,  FONTENEAU PASCAL ,  HENRION YANN ,  GUYADER FRANCOIS

IPC: H01L27/148

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'images, comportant les étapes successives suivantes : a) réaliser une structure comportant une couche semiconductrice (101) ayant une face avant et une face arrière, et un mur d'isolation capacitif (105) s'étendant verticalement de la face avant à la face arrière de la couche semiconductrice, le mur d'isolation capacitif comprenant des première (105a) et deuxième (105b) parois isolantes séparées par une région (105c) en un matériau conducteur ou semiconducteur ; et b) graver, depuis la face arrière de ladite structure, une partie de l'épaisseur de la couche semiconductrice (101) et de la région (105c) en un matériau conducteur ou semiconducteur, de façon sélective par rapport aux parois isolantes (105a, 105b).