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1.发明专利
公开(公告)号：FR3053526B1
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：FR1656331
申请日：2016-07-01
Inventor： CAMPOS DIDIER , BESANCON BENOIT , COUDRAIN PERCEVAL , COLONNA JEAN-PHILIPPE
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公开(公告)号：FR3059152A1
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：FR1661261
申请日：2016-11-21
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
IPC: H01L23/34
Abstract: Dispositif de transfert thermique comprenant un empilement qui comprend : au moins une couche conductrice de la chaleur (3), présentant au moins une portion de récupération de chaleur (5), apte à être placée en regard d'une source de chaleur, et une portion d'évacuation de chaleur (6), apte à être placée en regard d'un puits thermique, et au moins une couche d'absorption de la chaleur (4), incluant une matière à changement de phase, dont une face est accolée à au moins une partie d'au moins une face de ladite couche conductrice de la chaleur. Dispositif électronique comprenant un tel dispositif de transfert thermique.
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公开(公告)号：FR2964789A1
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：FR1003633
申请日：2010-09-10
Inventor： CASSET FABRICE , CADIX LIONEL , COUDRAIN PERCEVAL , FARCY ALEXIS , CHAPELON LAURENT LUC , FELK YACINE , ANCEY PASCAL
IPC: H01L23/495 , H01L21/027 , H01L21/441
Abstract: Le circuit intégré comporte un substrat de support (1) ayant des première et seconde faces principales (2a, 2b) opposées. Une cavité traverse le substrat de support (1) et relie les première et seconde faces principales (2a, 2b). Le circuit intégré comporte un dispositif à élément mobile (5) dont l'élément mobile (6) et un couple d'électrodes (7) associées sont inclus dans une cavité. Un nœud d'ancrage de l'élément mobile (6) est localisé au niveau de la première face principale (2a). Le circuit intégré comprend une première puce (3) élémentaire disposée au niveau de la première face principale (2a) et connectée électriquement au dispositif à élément mobile (5).
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公开(公告)号：FR2946457B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：FR0953766
申请日：2009-06-05
Inventor： COUDRAIN PERCEVAL , CORONEL PHILIPPE , BUFFET NICOLAS
IPC: H01L21/762 , H01L23/535
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公开(公告)号：FR3049764B1
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：FR1652720
申请日：2016-03-30
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： PRIETO HERRERA RAFAEL , COLONNA JEAN-PHILIPPE , COUDRAIN PERCEVAL
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2946457A1
公开(公告)日：2010-12-10
申请号：FR0953766
申请日：2009-06-05
Inventor： COUDRAIN PERCEVAL , CORONEL PHILIPPE , BUFFET NICOLAS
IPC: H01L21/762 , H01L23/535
Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un niveau d'une structure tridimensionnelle sur un premier support (30, 34) dans lequel sont formés des composants, comprenant les étapes suivantes : former, sur un deuxième support semiconducteur, un substrat semiconducteur monocristallin (36) avec interposition d'une couche d'oxyde thermique ; apposer la face libre du substrat semiconducteur monocristallin sur la surface supérieure du premier support ; éliminer le deuxième support semiconducteur ; et amincir la couche d'oxyde thermique jusqu'à une épaisseur propre à constituer un isolant de grille.
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公开(公告)号：FR3049764A1
公开(公告)日：2017-10-06
申请号：FR1652720
申请日：2016-03-30
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： PRIETO HERRERA RAFAEL , COLONNA JEAN-PHILIPPE , COUDRAIN PERCEVAL
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: Dispositif électronique comprenant un support (2), un composant, en particulier une puce de circuits intégrés (4), présentant une face arrière montée au-dessus d'une face avant du support et une face avant opposée à sa face arrière, et un bloc d'encapsulation (8, 8a, 26a) au moins partiel du composant au-dessus de la face avant du support, dispositif comprenant en outre au moins un organe de dissipation de la chaleur comprenant une feuille flexible (11) présentant au moins deux portions (12, 13) rabattues l'une au-dessus de l'autre en formant entre elles au moins un pli (15), ces portions étant au moins en partie en vis-à-vis l'une de l'autre.
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公开(公告)号：FR3025051A1
公开(公告)日：2016-02-26
申请号：FR1457942
申请日：2014-08-22
Inventor： DI CIOCCIO LEA , BEILLIARD YANN , COUDRAIN PERCEVAL
IPC: H01L21/50 , H01L23/532 , H01L23/538
Abstract: Procédé de réalisation d'un circuit intégré par collage direct d'un premier (201) et d'un second (301) substrats, comprenant les étapes suivantes consistant à a) former un premier et un second substrats munis chacun d'une surface comportant au moins une portion d'un premier matériau (205, 305) et des portions d'au moins un deuxième matériau (203, 303), une région de barrière (209, 309) en un troisième matériau étant disposée en surface entre chaque portion du premier matériau et le deuxième matériau; et b) mettre en contact la surface du premier substrat avec la surface du second substrat avec un désalignement maximum donné, la largeur de la région de barrière formée à l'étape a) étant choisie de sorte qu'elle soit supérieure au désalignement maximum.
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公开(公告)号：FR3009128A1
公开(公告)日：2015-01-30
申请号：FR1357328
申请日：2013-07-25
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： COLONNA JEAN-PHILIPPE , COUDRAIN PERCEVAL
IPC: H01L21/283 , H01L23/485
Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un plot d'interconnexion (125) sur un élément conducteur (100) comprenant une face supérieure et une paroi latérale ; le procédé étant réalisé à partir d'un substrat (50) dont au moins la face supérieure est isolante ; l'élément conducteur (100) traversant au moins une partie isolante du substrat (50), le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend la séquence d'étapes suivantes : une étape de mise en relief de l'élément conducteur (100), une étape de formation au-dessus de la face supérieure isolante du substrat (50) d'un empilement de couches comportant au moins une couche électriquement conductrice (120) et une couche électriquement résistive (130), une étape de retrait partiel de la couche électriquement résistive (130), une étape de croissance électrolytique sur la partie de la couche électriquement conductrice (120) de sorte à former au moins un plot d'interconnexion (125) sur ledit élément conducteur (100).
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公开(公告)号：FR3059152B1
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：FR1661261
申请日：2016-11-21
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
IPC: H01L23/34
Abstract: Dispositif de transfert thermique comprenant un empilement qui comprend : au moins une couche conductrice de la chaleur (3), présentant au moins une portion de récupération de chaleur (5), apte à être placée en regard d'une source de chaleur, et une portion d'évacuation de chaleur (6), apte à être placée en regard d'un puits thermique, et au moins une couche d'absorption de la chaleur (4), incluant une matière à changement de phase, dont une face est accolée à au moins une partie d'au moins une face de ladite couche conductrice de la chaleur. Dispositif électronique comprenant un tel dispositif de transfert thermique.
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