公开(公告)号：DE102017108305B4

公开(公告)日：2024-11-28

申请号：DE102017108305

申请日：2017-04-19

Applicant: DENSO CORP

Inventor： MOCHIKI KENGO ,  KIMURA MITSUNORI ,  SHIMIZU HIROSHI ,  OHKOUCHI YASUYUKI ,  YAMAHIRA YUU ,  MATSUOKA TETSUYA ,  FUKUSHIMA KAZUMA

IPC: H03K17/06 ,  H01L25/07 ,  H03K17/16

Abstract: Leistungsumwandlungsgerät (1), mit:einem Halbleitermodul (2) mit einer Halbleitervorrichtung (3); undeiner Steuerschaltkreiseinheit (4), die einen Umschaltvorgang des Halbleitermoduls (2) steuert, wobeidas Halbleitermodul (2) eine Haupthalbleitervorrichtung (3a) und eine Unterstützungshalbleitervorrichtung (3b) aufweist, die parallel zueinander als die Halbleitervorrichtung (3) verbunden sind,die Steuerschaltkreiseinheit (4) eine Steuerung derart durchführt, dass die Unterstützungshalbleitervorrichtung (3b) angeschaltet wird, nachdem die Haupthalbleitervorrichtung (3a) angeschaltet ist, und die Haupthalbleitervorrichtung (3a) abgeschaltet wird, nachdem die Unterstützungshalbleitervorrichtung (3b) abgeschaltet ist,die Steuerschaltkreiseinheit (4) eine Steuerung derart durchführt, dass von zwei Schaltzeitpunkten, die einen Anschaltzeitpunkt (tan), zu dem die Haupthalbleitervorrichtung (3a) von einem Aus-Zustand zu einem An-Zustand umgeschaltet wird, und einen Abschaltzeitpunkt (taus) umfassen, zu dem die Haupthalbleitervorrichtung (3a) von einem An-Zustand zu einem Aus-Zustand umgeschaltet wird, einer der Schaltzeitpunkte eine höhere Schaltgeschwindigkeit als die des anderen der Schaltzeitpunkte aufweist, unddas Halbleitermodul (2) derart eingerichtet ist, dass zu einem Hochgeschwindigkeitsschaltzeitpunkt (tf) mit einer hohen Schaltgeschwindigkeit in einem Steueranschluss (20) der Unterstützungshalbleitervorrichtung (3b) abhängig von einer zeitlichen Änderung eines zu der Haupthalbleitervorrichtung (3a) fließenden Hauptstromes (i) ein zum Abschalten der Unterstützungshalbleitervorrichtung (3b) gerichteter Induktionsstrom (IGb) erzeugt wird.

公开(公告)号：DE112018006457T5

公开(公告)日：2020-08-27

申请号：DE112018006457

申请日：2018-10-22

Applicant: DENSO CORP

Inventor： MATSUOKA TETSUYA ,  YAMAHIRA YUU ,  FUKUSHIMA KAZUMA ,  KAKIMOTO NORIYUKI

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: Ein Leistungswandler weist auf: zumindest ein Paar erster und zweiter Halbleitervorrichtungen (21, 22), die mehrere erste und zweite Halbleiterchips (41, 42) mit ersten und zweiten Schaltelementen (110, 120) aufweisen, die obere und untere Zweige (11, 12) bereitstellen, und mehrere erste und zweite Hauptanschlüsse (71m, 72m) mit zumindest einem von mehreren ersten und zweiten Hochpotentialanschlüssen (C1, C2) und mehreren ersten und zweiten Hochpotentialanschlüssen (E1, E2) aufweist, und einem Brückenelement (80), das einen oberen und unteren Kopplungsabschnitt (91) zusammen mit den ersten Niedrigpotentialanschlüssen und den zweiten Hochpotentialanschlüssen bereitstellt. Die ersten und zweiten Halbleiterchips sind in Achsensymmetrie in Bezug auf erste und zweite Achsen (A1, A2) und in Achsensymmetrie mit der zweiten Achse als eine Symmetrieachse angeordnet, um die Anordnung des zweiten Niedrigpotentialanschlusses in Bezug auf den zweiten Hochpotentialanschluss von der Anordnung des ersten Niedrigpotentialanschluss in Bezug auf den ersten Hochpotentialanschluss zu differenzieren.

公开(公告)号：DE112018004127T5

公开(公告)日：2020-04-23

申请号：DE112018004127

申请日：2018-08-03

Applicant: DENSO CORP

Inventor： YAMAHIRA YUU ,  MATSUOKA TETSUYA ,  FUKUSHIMA KAZUMA

IPC: H02M1/00 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M3/155 ,  H02M7/48

Abstract: Es ist eine Leistungsumwandlungsvorrichtung bereitgestellt, die zur Verbesserung einer Effizienz einer Kühlung eines Kondensators und eines Stromsensors sowie zur Reduzierung der Länge der Gesamtvorrichtung in einer Herausragrichtung von Leistungsanschlüssen imstande ist. Die Leistungsumwandlungsvorrichtung umfasst einen Schichtkörper (10), in dem Halbleitermodule (2) und Kühlleitungen (11) geschichtet sind, einen Kondensator (3) und einen Stromsensor (4). Die Halbleitermodule (2) umfassen Oberer-Arm-Halbleitermodule (2) und Unterer-Arm-Halbleitermodule (2). Die Oberer-Arm-Halbleitermodule (2) und die Unterer-Arm-Halbleitermodule (2) sind in einer Schichtungsrichtung (X-Richtung) des Schichtkörpers (10) abwechselnd geschichtet. In einer Orthogonalrichtung (Y-Richtung), die orthogonal zu sowohl einer Herausragrichtung (Z-Richtung) von Leistungsanschlüssen (22) des Halbleitermoduls (2) als auch der X-Richtung ist, ist der Kondensator (3) auf einer Seite des Schichtkörpers eingerichtet und ist der Stromsensor (4) ist auf der entgegengesetzten Seite des Schichtkörpers (10) eingerichtet.

公开(公告)号：DE102017117708A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：DE102017117708

申请日：2017-08-04

Applicant: DENSO CORP

Inventor： YAMAHIRA YUU ,  MATSUOKA TETSUYA

IPC: H01L25/07

Abstract: Die Halbleitereinrichtung (11, 111, 211) ist mit einer Vielzahl von Schaltelementen (14), die parallel miteinander verbunden sind, und einer Vielzahl von Rücklaufelementen (15), die parallel zu der vorstehend erwähnten Vielzahl von Schaltelementen verbunden sind, bereitgestellt. Eine Emitterelektrode (14b) dient als ein Referenzpotential der vorstehend erwähnten Vielzahl von Schaltelementen und eine Anodenelektrode (15b) dient als ein Referenzpotential der vorstehend erwähnten Vielzahl von Rücklaufelementen, die durch das gleiche plattenähnliche Element (17), da aus einem leitenden Material besteht, elektrisch verbunden sind. Die vorstehend erwähnten Schaltelemente und die vorstehend erwähnten Rücklaufelemente, die auf der niedrigsten Potentialseite parallel miteinander verbunden sind, sind derart ausgestaltet, dass die Entfernung von dem Emitteranschluss (11n), der mit der vorstehend erwähnten Emitterelektrode verbunden ist, zu dem vorstehend erwähnten Rücklaufelement nicht größer wird als die Entfernung von dem vorstehend erwähnten Emitteranschluss.

公开(公告)号：DE102017108157A1

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：DE102017108157

申请日：2017-04-18

Applicant: DENSO CORP

Inventor： SHIMIZU HIROSHI ,  KIMURA MITSUNORI ,  MOCHIKI KENGO ,  YAMAHIRA YUU ,  MATSUOKA TETSUYA ,  FUKUSHIMA KAZUMA ,  OHKOUCHI YASUYUKI

IPC: H01L25/07 ,  H02M1/088 ,  H03K17/06

Abstract: Ein Halbleitermodul umfasst einen IGBT und einen MOSFET. Der IGBT ist aus einem Siliziumhalbleiter ausgebildet. Der MOSFET ist aus einem Halbleiter mit einer großen Bandlücke ausgebildet, der eine größere Bandlücke als der Siliziumhalbleiter aufweist. Der IGBT und der MOSFET sind zur Ausbildung eines Halbleiterbauelementpaares parallel miteinander verbunden. Der IGBT weist eine größere Oberfläche auf als der MOSFET. Das Halbleitermodul ist dazu eingerichtet, in einem Gebiet zu arbeiten, das ein Niedrigstromgebiet und ein Hochstromgebiet umfasst. Ein in dem Hochstromgebiet durch das Halbleiterbauelementpaar fließender elektrischer Strom ist höher als in dem Niedrigstromgebiet. In dem Niedrigstromgebiet ist der Ein-Widerstand des MOSFETs niedriger als der Ein-Widerstand des IGBTs. Im Gegensatz dazu ist in dem Hochstromgebiet der Ein-Widerstand des IGBTs niedriger als der Ein-Widerstand des MOSFETs.

公开(公告)号：DE102016122018A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：DE102016122018

申请日：2016-11-16

Applicant: DENSO CORP

Inventor： TAKEUCHI KAZUYA ,  MATSUOKA TETSUYA ,  TANABE RYOTA

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/32 ,  H01L25/07 ,  H02M1/00

Abstract: Ein elektrischer Stromrichter 101, der ein Stromrichten durchführt, umfasst eine Vielzahl von Halbleitermodulen 20 mit eingebauten Halbleiterelementen, eine Vielzahl von Kühlrohren 12, die zusammen mit der Vielzahl von Halbleitermodulen 20 gestapelt sind, sowie ein aus Metall gemachtes Druckelement 31. Das Druckelement 31 hat eine Pressfläche 31a zum Pressen eines äußeren Kühlrohrs 12a, um die Vielzahl von Kühlrohren 12 und die Vielzahl von Halbleitermodulen 20 in einer Stapelrichtung (X) durch Pressen in Berührung zu bringen, sowie eine Wärmeaufnahmefläche 31b, die durch Wärmeleitung Wärme aufnimmt, die durch einen Kondensator 40 erzeugt wird, der eine elektronische Komponente ist, die von der Vielzahl von Halbleitermodulen 20 verschieden ist.

公开(公告)号：DE102016101510A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：DE102016101510

申请日：2016-01-28

Applicant: DENSO CORP

Inventor： HIRASAWA NAOKI ,  TANABE RYOTA ,  MATSUOKA TETSUYA ,  TAKEUCHI KAZUYA ,  SAKAMOTO AKIRA

IPC: H01F27/10 ,  H01F27/06 ,  H01F27/29

Abstract: Eine elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung 1 umfasst ein Halbleitermodul 2, eine Drossel 3, die eine Spule 31 und einen Kern 32 aufweist, und eine Kühlungsvorrichtung 4 zur Kühlung des Halbleitermoduls 2 und der Drossel 3. Die Kühlungseinrichtung 4 weist ein Kühlmittelkanalelement 41 auf, das einen Kühlmittelströmungsweg aufweist. Die Spule 31 der Drossel 3 weist einen freigelegten Spulenabschnitt 311 auf, der von dem Kern 32 freigelegt ist. Der freigelegte Spulenabschnitt 311 ist in Kontakt mit dem Kühlmittelkanalelement 41. Der Kern 32 weist eine Kernendfläche 324 auf, die fluchtend mit dem freigelegten Spulenabschnitt 311 angeordnet ist, wobei sowohl der freigelegte Spulenabschnitt 311 als auch die Kernendfläche 324 in einem Oberflächenkontakt mit dem Kühlmittelkanalelement 41 sind.

公开(公告)号：DE112018004127B4

公开(公告)日：2025-05-08

申请号：DE112018004127

申请日：2018-08-03

Applicant: DENSO CORP

Inventor： YAMAHIRA YUU ,  MATSUOKA TETSUYA ,  FUKUSHIMA KAZUMA

IPC: H02M1/00 ,  H01L25/18 ,  H02M3/155 ,  H02M7/48 ,  H10D80/20

Abstract: Leistungsumwandlungsvorrichtung mit:einem Schichtkörper (10), der Halbleitermodule (2), die jeweils Schaltelemente (20) enthalten, und Kühlleitungen (11), die die Halbleitermodule (2) kühlen, umfasst, wobei die Halbleitermodule (2) und die Kühlleitungen (11) geschichtet sind;einem Kondensator (3), der eine Gleichspannung glättet, die an jedem der Halbleitermodule (2) anliegt; undeinem Stromsensor (4), der einen Strom misst, der durch jedes der Schaltelemente (20) fließt, wobeidie Halbleitermodule (2) Oberer-Arm-Halbleitermodule (2U), die auf einer Seite eines oberen Arms eingerichtet sind, und Unterer-Arm-Halbleitermodule (2L), die auf einer Seite eines unteren Arms eingerichtet sind, umfassen, wobei die Oberer-Arm-Halbleitermodule (2U) und die Unterer-Arm-Halbleitermodule (2L) in einer Schichtungsrichtung des Schichtkörpers (10) abwechselnd geschichtet sind,jedes der Halbleitermodule (2) einen Körperabschnitt (21), der die Schaltelemente (20) enthält, und eine Vielzahl von Leistungsanschlüssen (22), die von dem Körperabschnitt (21) herausragen, enthält,in einer Orthogonalrichtung (Y), die orthogonal zu sowohl einer Herausragrichtung (Z) der Leistungsanschlüsse (22) als auch der Schichtungsrichtung ist, der Kondensator (3) auf einer Seite des Schichtkörpers (10) eingerichtet ist und der Stromsensor (4) auf einer entgegengesetzten Seite des Schichtkörpers (10) eingerichtet ist, undjedes der Halbleitermodule (2), als die Leistungsanschlüsse (22), zwei Kollektoranschlüsse (22C), die mit einer Kollektorelektrode des Schaltelements verbunden sind, und einen Emitteranschluss (22E), der mit einer Emitterelektrode des Schaltelements verbunden ist, umfasst, und der Emitteranschluss (22E) in der Orthogonalrichtung (Y) zwischen den zwei Kollektoranschlüssen (22C) eingerichtet ist.

公开(公告)号：DE112022004972T5

公开(公告)日：2024-08-01

申请号：DE112022004972

申请日：2022-09-28

Applicant: DENSO CORP

Inventor： MATSUOKA TETSUYA ,  HASHIMOTO YUTA ,  DEGUCHI MASATAKA ,  MURAKAMI TATSUYA ,  HAYASHI YOSHINORI

IPC: H02M1/00 ,  H02M7/5387

Abstract: Halbleitermodule (20U) sind aufeinanderfolgend in einer X-Richtung angeordnet, um eine erste Reihe (201) zu bilden. Halbleitermodule (20W) sind aufeinanderfolgend in der X-Richtung angeordnet, um eine zweite Reihe (202) zu bilden, während sie den Halbleitermodulen (20U) zugewandt sind. Halbleitermodule (20V) sind in einer Y-Richtung derart angeordnet, dass eines der Halbleitermodule (20V) die erste Reihe (201) bildet, und das andere die zweite Reihe (202) bildet. Die erste Reihe (201) und die zweite Reihe (202) weisen Oberflächen auf, die einander zugewandt sind, und von denen Ausgangsanschlüsse (23) vorspringen. Jeder der Ausgangsleiter (30) erstreckt sich von einem Verbindungsabschnitt eines Ausgangsanschlusses (23) in einer Richtung weg von den Halbleitermodulen (20V).

公开(公告)号：DE102017127273A1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：DE102017127273

申请日：2017-11-20

Applicant: DENSO CORP

Inventor： SHIMIZU HIROSHI ,  MOCHIKI KENGO ,  YAMAHIRA YUU ,  MATSUOKA TETSUYA ,  FUKUSHIMA KAZUMA ,  KIMURA MITSUNORI ,  OHKOUCHI YASUYUKI

IPC: H03K17/14

Abstract: In einem Antriebsgerät für Schalter, die parallel zueinander geschaltet sind, schalten Treiber jeweils die Schalter ein oder aus. Eine Temperaturbeschaffungseinrichtung beschafft einen Wert eines Temperaturparameters, der mit einer Temperatur von zumindest einem der ersten und zweiten Schalter korreliert. Eine Auswahleinrichtung wählt zumindest einen der Schalter als zumindest einen Antriebszielschalter aus. Ein Treiber bewirkt, dass zumindest einer der Treiber den zumindest einen Antriebszielschalter während einer EIN-Zeitdauer einschaltet und danach den zumindest einen Antriebszielschalter in jedem Zielschaltzyklus ausschaltet. Die Auswahleinrichtung justiert die Anzahl der ausgewählten zumindest einen Antriebszielschalter auf der Grundlage des Werts des Temperaturpa ra meters.