公开(公告)号：DE10066441B4

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：DE10066441

申请日：2000-11-24

Applicant: DENSO CORP

Inventor： MAMITSU KUNIAKI ,  HIRAI YASUYOSHI ,  NOMURA KAZUHITO ,  FUKUDA YUTAKA ,  KAJIMOTO KAZUO ,  MIYAJIMA TAKESHI ,  MAKINO TOMOATSU ,  NAKASE YOSHIMI

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/051 ,  H01L23/18 ,  H01L23/40 ,  H01L23/433 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung, mit: ersten und zweiten Halbleiterchips (1a, 1b); und ersten und zweiten Abstrahlungsbauteilen (3, 4), welche über ein Verbindungsbauteil (4) thermisch und elektrisch mit den ersten und zweiten Halbleiterchips in Verbindung stehen, welche zwischen ihnen liegen und eine Abstrahlungsoberfläche (10) aufweisen zur Abstrahlung von Wärme von den ersten und zweiten Halbleiterchips, wobei das erste Abstrahlungsbauteil erste und zweite vorstehende Abschnitte (2a) hat, welche in Richtung der ersten und zweiten Halbleiterchips vorstehen; erste und zweite vordere Endabschnitte der ersten und zweiten vorstehenden Abschnitte thermisch und elektrisch mit den ersten und zweiten Halbleiterchips über die Verbindungsbauteile in Verbindung stehen, die ersten und zweiten Halbleiterchips und die ersten und zweiten Abstrahlungsbauteile mit einem Kunstharz (9) eingesiegelt sind, welches einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten hat, der annähernd gleich demjenigen der ersten und zweiten Abstrahlungsbauteile ist, und das Kunstharz (9) jeweils teilweise zwischen dem ersten Abstrahlunsbauteil und den Halbleiterchips und...

公开(公告)号：DE69836926T2

公开(公告)日：2007-11-08

申请号：DE69836926

申请日：1998-02-13

Applicant: DENSO CORP

Inventor： OOSUKA KAZUTOYO ,  KAWANO KEISUKE ,  WAKABAYASHI HIROYUKI ,  SUGIURA AKIMITSU ,  ISHIKAWA TOMONORI ,  INAYOSHI NARUHIKO ,  AOYAMA MASAHIKO ,  KAWAI KAZUHIDE ,  ADACHI NORIHIRO ,  NAKASE YOSHIMI ,  SATO YOSHITAKA ,  CHIBA TOMONARI ,  KATO KATSUHISA

IPC: H01F38/12

公开(公告)号：DE69824215T2

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：DE69824215

申请日：1998-02-13

Applicant: DENSO CORP

Inventor： OOSUKA KAZUTOYO ,  KAWANO KEISUKE ,  WAKABAYASHI HIROYUKI ,  SUGIURA AKIMITSU ,  ISHIKAWA TOMONORI ,  INAYOSHI NARUHIKO ,  AOYAMA MASAHIKO ,  KAWAI KAZUHIDE ,  ADACHI NORIHIRO ,  NAKASE YOSHIMI ,  SATO YOSHITAKA ,  CHIBA TOMONARI ,  KATO KATSUHISA

IPC: H01F27/02 ,  H01F27/32 ,  H01F38/12

Abstract: A stick-type ignition coil (10) have a central core (12), a cylindrical member (17), primary spool (23), primary coil (24), secondary spool (20), secondary coil (21), outer core (25) and a resin insulator (26). The two longitudinal end corners and faces of the core 12 are covered by respective buffer members (17b, 17c). The inner circumferential corners of the outer core (25) is supported by ring members (50a, 50b). Some of the members disposed radially inside and other members disposed radially outside of the inside members are held slidably to each other in the ignition coil (10). The spools (20, 23) is made of resin containing a rubber in excess of 5 weight percent and reinforcing materials. The resin insulator (26) contains a flexible material.

公开(公告)号：DE102004043523A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：DE102004043523

申请日：2004-09-08

Applicant: DENSO CORP

Inventor： HIRANO NAOHIKO ,  KATO NOBUYUKI ,  MAMITSU KUNIAKI ,  NAKASE YOSHIMI

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L23/492 ,  H01L23/58

Abstract: A semiconductor device includes a heat generation element; a bonding member; first and second heat radiation plates disposed on first and second sides of the heat generation element through the bonding member; a heat radiation block disposed between the first heat radiation plate and the heat generation element through the bonding member; and a resin mold. The heat radiation block has a thickness in a range between 0.5 mm and 1.5 mm. The semiconductor device has high reliability of the bonding member.

公开(公告)号：FR2801423B1

公开(公告)日：2004-04-23

申请号：FR0015130

申请日：2000-11-23

Applicant: DENSO CORP

Inventor： MAMITSU KUNIAKI ,  HIRAI YASUYOSHI ,  NOMURA KAZUHITO ,  FUKUDA YUTAKA ,  KAJIMOTO KAZUO ,  MIYAJIMA TAKESHI ,  MAKINO TOMOATSU ,  NAKASE YOSHIMI

IPC: H01L23/051 ,  H01L23/40 ,  H01L23/433 ,  H01L23/373

Abstract: A semiconductor device includes two semiconductor chips that are interposed between a pair of radiation members, and thermally and electrically connected to the radiation members. One of the radiation members has two protruding portions and front ends of the protruding portions are connected to principal electrodes of the semiconductor chips. The radiation members are made of a metallic material containing Cu or Al as a main component. The semiconductor chips and the radiation members are sealed with resin with externally exposed radiation surfaces.

公开(公告)号：DE102004060378B4

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE102004060378

申请日：2004-12-15

Applicant: DENSO CORP

Inventor： MAMITSU KUNIAKI ,  NAKASE YOSHIMI

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L23/16 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/433 ,  H01L23/495

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (S1), mit den Schritten: Bereitstellen von Halbleiterelementen (10, 11), welche an einer vorderen Hauptoberfläche und einer rückwärtigen Hauptoberfläche jeweils Elektroden aufweisen, Bereitstellen eines ersten Metallteils (20), welches an der rückwärtigen Hauptoberflächenseite der Halbleiterelemente (10, 11) angeordnet ist und als Elektrode und als Abstrahlungsteil dient, Bereitstellen eines zweiten Metallteils (30), welches an der vorderen Hauptoberflächenseite der Halbleiterelemente (10, 11) angeordnet ist und als eine Elektrode und ein Abstrahlungsteil dient, wobei die Halbleiterelemente (10, 11), das erste Metallteil (20) und das zweite Metallteil (30) eine Verbundeinheit (90) bilden, Anordnen der Verbundeinheit (90) in einer Gußform mit Einspritzöffnungen derart, dass bei einem Einspritzen von Vergußmaterial (80) in die Gußform ein dickwandiger Abschnitt um die Verbundeinheit herum und ein dünnwandiger Abschnitt innerhalb der Verbundeinheit gebildet werden, Anordnen von wenigstens einem Behinderungsabschnitt (81, 82, 83, 84, 85) in dem dickwandigen Abschnitt, um den Fluß des Vergußmaterials (80) während eines Vergußvorgangs in dem dickwandigen Abschnitt an den Fluß des Vergußmaterials (80) in dem dünnwandigen Abschnitt anzugleichen, so daß das Auftreten von eingeschlossenen Luftblasen in dem dünnwandigen Abschnitt verhindert wird, wobei der zuletzt zu füllende Teil der dickwandige Abschnitt gegenüber den Einspritzöffnungen wird, Einfüllen des Vergußmaterials (80) in die Gußform, um die Verbundeinheit (90) zu verkapseln, und Entnehmen der Halbleitervorrichtung (S1) aus der Gußform nach einem Aushärten des Vergußmaterials (80).

公开(公告)号：ES2375560T3

公开(公告)日：2012-03-02

申请号：ES04003282

申请日：1998-02-13

Applicant: DENSO CORP

Inventor： OOSUKA KAZUTOYO ,  KAWANO KEISUKE ,  WAKABAYASHI HIROYUKI ,  SUGIURA AKIMITSU ,  ISHIKAWA TOMONORI ,  INAYOSHI NARUHIKO ,  AOYAMA MASAHIKO ,  KAWAI KAZUHIDE ,  ADACHI NORIHIRO ,  NAKASE YOSHIMI ,  SATO YOSHITAKA ,  CHIBA TOMONARI ,  KATO KATSUHISA

IPC: H01F38/12

Abstract: Una bobina de encendido para un motor, que comprende: un núcleo en forma de barra (12); una bobina primaria (24) y una bobina secundaria (21) devanadas sobre la circunferencia exterior del núcleo (12); un carrete primario (23) que tiene una bobina primaria (24) devanada sobre el mismo, y un carrete secundario (20) que tiene una bobina secundaria (20) devanada sobre el mismo; y un núcleo exterior (25) dispuesto alrededor de las circunferencias exteriores de la bobina primaria (24) y la bobina secundaria (21); en donde al menos uno del carrete primario (23) y el carrete secundario (20) tiene una brida (23a) formada en la porción del extremo longitudinal, caracterizada porque tiene: un aislante de resina (26) rellenado alrededor del núcleo (12) y dentro del núcleo exterior (25), en donde la brida (23a) se extiende radialmente para cubrir la porción del extremo longitudinal del núcleo exterior (25) y evitando las fisuras que puedan extenderse en el aislante de resina (26).

公开(公告)号：DE69836987T2

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：DE69836987

申请日：1998-02-13

Applicant: DENSO CORP

Inventor： OOSUKA KAZUTOYO ,  KAWANO KEISUKE ,  WAKABAYASHI HIROYUKI ,  SUGIURA AKIMITSU ,  ISHIKAWA TOMONORI ,  INAYOSHI NARUHIKO ,  AOYAMA MASAHIKO ,  KAWAI KAZUHIDE ,  ADACHI NORIHIRO ,  NAKASE YOSHIMI ,  SATO YOSHITAKA ,  CHIBA TOMONARI ,  KATO KATSUHISA

IPC: H01F38/12

公开(公告)号：DE102004055908A1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：DE102004055908

申请日：2004-11-19

Applicant: DENSO CORP

Inventor： MIURA SHOJI ,  OZEKI YOSHIHIKO ,  NAKASE YOSHIMI ,  KATO NOBUYUKI ,  KONDOU TETSUJI ,  TESHIMA TAKANORI ,  HIRASWA NAOKI

IPC: H01L21/28 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/433 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L29/78

Abstract: A semiconductor device (12) comprises a pair of upper and lower heat-dissipating plates and a planar heat-dissipating block (15) in a row with the device. The device is larger than the block and has a section facing the block with a periphery spaced at 1 mm or less from that of the block. An independent claim is also included for a device as above comprising a polygonal metal plate connected to a main electrode.

公开(公告)号：DE102004014709A1

公开(公告)日：2004-10-21

申请号：DE102004014709

申请日：2004-03-25

Applicant: DENSO CORP

Inventor： MIURA SHOJI ,  NAKASE YOSHIMI

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/433 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L23/34

Abstract: A power element package includes a semiconductor chip, radiating members, a mold resin member, a lead terminal for control signals, and lead terminals for large electric current. On a heat accepting surface of the radiating member, an insulating layer and a conductive layer are disposed. The lead terminal for control signals is electrically connected with a gate of the semiconductor chip through the conductive layer. An emitter of the semiconductor chip is electrically connected through a solder connection member with a non-insulating portion of the heat accepting surface.