-
公开(公告)号:CA3046528A1
公开(公告)日:2018-06-14
申请号:CA3046528
申请日:2017-12-08
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor: GICQUEL ALIX , DES PORTES FRANCOIS
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , H01J37/32
Abstract: L'invention porte sur un réacteur modulaire (1) de dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant de synthèse, ledit réacteur étant caractérisé en ce qu'il comprend au moins trois éléments de modulation, lesdits éléments de modulation étant sélectionnés parmi: une couronne (450) apte à être positionnée entre une première partie d'enceinte (430) et une deuxième partie d'enceinte (440); un module de porte substrat (500), mobile en translation verticale et en rotation, en contact avec un quart d'onde (501) et comportant au moins un système de refroidissement fluide (520); un plateau (900) mobile en translation verticale de façon à modifier la forme et le volume de la cavité résonante (41) et comportant des ouvertures traversantes (911) permettant le passage des gaz; - un module de distribution des gaz (100), comportant une plaque de distribution des gaz amovible (110) comprenant une surface interne (111), une surface externe (112) et une pluralité de buses de distribution des gaz (113) formant des canaux entre les dites surfaces (111, 112) aptes à conduire un flux de gaz, et un dispositif de support (120) relié à un système de refroidissement et apte à accueillir la plaque de distribution amovible des gaz amovible (110); et un module de contrôle du refroidissement du substrat (300), comportant un dispositif d'injection de gaz de résistance thermique amovible (330).
-
公开(公告)号:FR3060024A1
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:FR1670746
申请日:2016-12-09
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor: GICQUEL ALIX , DES PORTES FRANCOIS
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/458 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/04
Abstract: L'invention porte sur un réacteur modulaire (1) de dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant de synthèse, ledit réacteur étant caractérisé en ce qu'il comprend au moins trois éléments de modulation, lesdits éléments de modulation étant sélectionnés parmi : - une couronne (450) apte à être positionnée entre une première partie d'enceinte (430) et une deuxième partie d'enceinte (440) ; - un module de porte substrat (500), mobile en translation verticale et en rotation, en contact avec un quart d'onde (501) et comportant au moins un système de refroidissement fluide (520) ; - un plateau (900) mobile en translation verticale de façon à modifier la forme et le volume de la cavité résonante (41) et comportant des ouvertures traversantes (911) permettant le passage des gaz ; - un module de distribution des gaz (100), comportant une plaque de distribution des gaz amovible (110) comprenant une surface interne (111), une surface externe (112) et une pluralité de buses de distribution des gaz (113) formant des canaux entre les dites surfaces (111, 112) aptes à conduire un flux de gaz, et un dispositif de support (120) relié à un système de refroidissement et apte à accueillir la plaque de distribution amovible des gaz amovible (110) ; et - un module de contrôle du refroidissement du substrat (300), comportant un dispositif d'injection de gaz de résistance thermique amovible (330).
-
公开(公告)号:RU2725428C1
公开(公告)日:2020-07-02
申请号:RU2019120472
申请日:2017-12-08
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor: GICQUEL ALIX , DES PORTES FRANCOIS
IPC: C23C16/458 , C23C16/27 , C23C16/54
Abstract: Предложеннаягруппаизобретенийотноситсяк модульномуреакторудляизготовлениясинтетическихалмазовосаждениемв микроволновойплазмеи кспособуизготовлениясинтетическихалмазовс использованиемуказанногореактора. Указанныйреакторсодержитмикроволновыйгенератор, сконфигурированныйс возможностьюгенерациимикроволнс частотойв пределахот 300 МГцдо 3000 МГц, резонаторнуюполость, образованнуюпоменьшеймеречастичноцилиндрическимивнутреннимистенкамикамерыреактора, газоподводящуюсистемуи газовыпускноймодуль, модульволновойсвязи, выполненныйс возможностьюпередачимикроволнотмикроволновогогенераторак резонаторнойполостидляобеспечениявозможностиформированияплазмы, иростовуюосновув резонаторнойполости. Упомянутыймодульныйреакторсодержитпоменьшеймеретримодульныхэлемента, выбранныхизследующихэлементов: поменьшеймереодногоободадляизмененияформыи/илиобъемарезонаторнойполости, модуляподложкодержателяс возможностьювертикальногоперемещенияи вращенияв контактес четвертьволновойметаллическойконструкциейи содержащегопоменьшеймереоднусистемуохлаждениятекучейсредой, плитыдляизмененияформыи объемарезонаторнойполости, газораспределительногомодуляи модуляконтроляохлажденияподложки. Обеспечиваетсявозможностьсозданиямодульногореактора, имеющегонесколькоконфигурацийдляоптимизацииожидаемогорезультатаростаалмаза, иобеспечиваетсяконтрольлокальныхусловийростанаповерхностирастущегоалмазас варьированиемразличныхусловийростаалмаза. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 12 ил.
-
公开(公告)号:FR3060024B1
公开(公告)日:2019-05-31
申请号:FR1670746
申请日:2016-12-09
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor: GICQUEL ALIX , DES PORTES FRANCOIS
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/458 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/04
Abstract: L'invention porte sur un réacteur modulaire (1) de dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant de synthèse, ledit réacteur étant caractérisé en ce qu'il comprend au moins trois éléments de modulation, lesdits éléments de modulation étant sélectionnés parmi : - une couronne (450) apte à être positionnée entre une première partie d'enceinte (430) et une deuxième partie d'enceinte (440) ; - un module de porte substrat (500), mobile en translation verticale et en rotation, en contact avec un quart d'onde (501) et comportant au moins un système de refroidissement fluide (520) ; - un plateau (900) mobile en translation verticale de façon à modifier la forme et le volume de la cavité résonante (41) et comportant des ouvertures traversantes (911) permettant le passage des gaz ; - un module de distribution des gaz (100), comportant une plaque de distribution des gaz amovible (110) comprenant une surface interne (111), une surface externe (112) et une pluralité de buses de distribution des gaz (113) formant des canaux entre les dites surfaces (111, 112) aptes à conduire un flux de gaz, et un dispositif de support (120) relié à un système de refroidissement et apte à accueillir la plaque de distribution amovible des gaz amovible (110) ; et - un module de contrôle du refroidissement du substrat (300), comportant un dispositif d'injection de gaz de résistance thermique amovible (330).
-
-
-