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公开(公告)号：FR3067362B1
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：FR1755200
申请日：2017-06-09
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： GICQUEL ALIX , DUIGOU OLIVIER , BIEBER THOMAS
Abstract: L'invention porte sur un procédé (100) de surveillance des conditions de croissance d'un dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant, ledit procédé étant mis en œuvre par un dispositif (10) de surveillance comprenant au moins un moyen (11) de capture d'image numérique, un module (12) de traitement d'image numérique, et un module (13) de traitement de données, ledit procédé comportant les étapes : - de capture (110) d'une image numérique en couleur d'au moins un diamant en croissance, à l'aide du moyen (11) de capture d'images numériques, - d'extraction (120) de valeurs de caractéristiques de couleur d'au moins une zone de l'image numérique capturée, par le module (12) de traitement d'image numérique, et - d'analyse (130), par le module (13) de traitement de données, des valeurs de caractéristiques de couleur extraites pour détecter une variation lors du dépôt assisté par plasma microonde.
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公开(公告)号：CA3046528A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：CA3046528
申请日：2017-12-08
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： GICQUEL ALIX , DES PORTES FRANCOIS
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , H01J37/32
Abstract: L'invention porte sur un réacteur modulaire (1) de dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant de synthèse, ledit réacteur étant caractérisé en ce qu'il comprend au moins trois éléments de modulation, lesdits éléments de modulation étant sélectionnés parmi: une couronne (450) apte à être positionnée entre une première partie d'enceinte (430) et une deuxième partie d'enceinte (440); un module de porte substrat (500), mobile en translation verticale et en rotation, en contact avec un quart d'onde (501) et comportant au moins un système de refroidissement fluide (520); un plateau (900) mobile en translation verticale de façon à modifier la forme et le volume de la cavité résonante (41) et comportant des ouvertures traversantes (911) permettant le passage des gaz; - un module de distribution des gaz (100), comportant une plaque de distribution des gaz amovible (110) comprenant une surface interne (111), une surface externe (112) et une pluralité de buses de distribution des gaz (113) formant des canaux entre les dites surfaces (111, 112) aptes à conduire un flux de gaz, et un dispositif de support (120) relié à un système de refroidissement et apte à accueillir la plaque de distribution amovible des gaz amovible (110); et un module de contrôle du refroidissement du substrat (300), comportant un dispositif d'injection de gaz de résistance thermique amovible (330).
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3.发明专利
公开(公告)号：ES2913245T3
公开(公告)日：2022-06-01
申请号：ES18736996
申请日：2018-06-08
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： DUIGOU OLIVIER , BIEBER THOMAS , GICQUEL ALIX
Abstract: Un método (100) de vigilancia de las condiciones de crecimiento de una deposición asistida por plasma de microondas para la fabricación de diamantes, dicho método que se implementa por un dispositivo (10) de vigilancia que comprende al menos un medio (11) de captura de imagen digital, un módulo (12) de procesamiento de imágenes digitales, y un módulo (13) de procesamiento de datos, dicho método que comprende las etapas: - de captura (110) de una imagen digital en color de al menos una capa de diamante en crecimiento, utilizando el medio (11) de captura de imagen digital, - de extracción (120) de valores de características de color de al menos una zona de la imagen digital capturada, por el módulo (12) de procesamiento de imágenes digitales, dichas características de color que corresponden al color de al menos una capa de diamante en crecimiento y que se seleccionan del grupo que consta de: el tono, la saturación, la luminosidad, el brillo y los colores codificados en un referencial de cuatro colores o Rojo-Verde- Azul, y - de análisis (130), por el módulo (13) de procesamiento de datos, de los valores de características de color extraídos para detectar una desviación de las condiciones de crecimiento durante la deposición asistida por plasma de microondas, dicho método que comprende además una etapa (136) de determinación de nuevos valores de los parámetros de deposición asistida por plasma de microondas y una etapa (150) de mando que incluye la transmisión de los nuevos valores de parámetros de deposición, determinados por el módulo (13) de procesamiento de datos, a un módulo (15) de mando y una modificación, por el módulo (15) de mando, de los valores de parámetros de deposición asistida por plasma.
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公开(公告)号：FR3060024A1
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：FR1670746
申请日：2016-12-09
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： GICQUEL ALIX , DES PORTES FRANCOIS
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/458 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/04
Abstract: L'invention porte sur un réacteur modulaire (1) de dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant de synthèse, ledit réacteur étant caractérisé en ce qu'il comprend au moins trois éléments de modulation, lesdits éléments de modulation étant sélectionnés parmi : - une couronne (450) apte à être positionnée entre une première partie d'enceinte (430) et une deuxième partie d'enceinte (440) ; - un module de porte substrat (500), mobile en translation verticale et en rotation, en contact avec un quart d'onde (501) et comportant au moins un système de refroidissement fluide (520) ; - un plateau (900) mobile en translation verticale de façon à modifier la forme et le volume de la cavité résonante (41) et comportant des ouvertures traversantes (911) permettant le passage des gaz ; - un module de distribution des gaz (100), comportant une plaque de distribution des gaz amovible (110) comprenant une surface interne (111), une surface externe (112) et une pluralité de buses de distribution des gaz (113) formant des canaux entre les dites surfaces (111, 112) aptes à conduire un flux de gaz, et un dispositif de support (120) relié à un système de refroidissement et apte à accueillir la plaque de distribution amovible des gaz amovible (110) ; et - un module de contrôle du refroidissement du substrat (300), comportant un dispositif d'injection de gaz de résistance thermique amovible (330).
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公开(公告)号：FR3067362A1
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：FR1755200
申请日：2017-06-09
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： GICQUEL ALIX , DUIGOU OLIVIER , BIEBER THOMAS
Abstract: L invention porte sur un procédé (100) de surveillance des conditions de croissance d un dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant, ledit procédé étant mis en œuvre par un dispositif (10) de surveillance comprenant au moins un moyen (11) de capture d image numérique, un module (12) de traitement d image numérique, et un module (13) de traitement de données, ledit procédé comportant les étapes : - de capture (110) d une image numérique en couleur d au moins un diamant en croissance, à l aide du moyen (11) de capture d images numériques, - d extraction (120) de valeurs de caractéristiques de couleur d au moins une zone de l image numérique capturée, par le module (12) de traitement d image numérique, et - d analyse (130), par le module (13) de traitement de données, des valeurs de caractéristiques de couleur extraites pour détecter une variation lors du dépôt assisté par plasma microonde.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3149909A1
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：FR2306048
申请日：2023-06-14
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： DUIGOU OLIVIER , GICQUEL ALIX , PERRIN BASILE , GLAD XAVIER
Abstract: L’invention concerne un procédé de formation (100) d’une couche de diamant monocristallin (10’) présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 103 défauts cristallins par cm2 comprenant la fourniture (110) d’un substrat de diamant monocristallin, une première micro structuration (120) d’une surface de croissance (12) du substrat de diamant monocristallin (10), une première croissance homoépitaxiale (130) réalisée normalement de manière à former une première couche de diamant monocristallin (10-1) comportant les défauts cristallins de la surface de croissance (12) et latéralement de manière à former une deuxième couche de diamant monocristallin (10-2) comportant les défauts cristallins confinés dans la première figure de gravure (G1), une deuxième micro structuration (150) du substrat de diamant monocristallin (10) comportant la réalisation de deuxièmes figures de gravure et une deuxième croissance homoépitaxiale (160) d’une autre deuxième couche de diamant monocristallin (10-2’) comportant les défauts cristallins confinés dans la deuxième figure de gravure. Figure à publier avec l’abrégé : Figure 2
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公开(公告)号：FR3139582A1
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：FR2209174
申请日：2022-09-13
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： BAITUKHA ALIBI , DUIGOU OLIVIER , GICQUEL ALIX
Abstract: L’invention concerne un procédé de production (100) d'une plaque de diamant monocristallin à partir d’une pluralité de germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin qui comportent une surface de croissance, ladite une surface de croissance comprenant une structure en terrasses, ladite structure en terrasses présentant plusieurs faces d’orientation cristallographique (OC1, OC2), lesdites faces d’orientation cristallographique (OC1, OC2) comportant des familles de plans {100} ou des familles de plans {100} et {113}, le procédé comprenant les étapes suivantes : fourniture (110) de germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin,positionnement (130) des germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin de manière à former une mosaïque,croissance épitaxiale (140) latérale de la structure en terrasses selon l’orientation cristallographique (OC2). Figure à publier avec l’abrégé : figure 1
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公开(公告)号：ES2801850T3
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：ES17822395
申请日：2017-12-08
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： GICQUEL ALIX , DES PORTES FRANÇOIS
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , H01J37/32
Abstract: Reactor modular de deposición asistida por plasma de microondas (1) para la fabricación de diamante de síntesis, comprendiendo dicho reactor: - un generador de microondas (70) configurado para generar microondas cuya frecuencia está comprendida entre 300 MHz y 3000 MHz, - una cavidad resonante (41) determinada, al menos en parte, por las paredes internas cilíndricas (420) de un recinto (400) del reactor, - un sistema de llegada de los gases (10) apto para aportar gases en el seno de la cavidad resonante (41), - un módulo de salida de los gases (60) apto para retirar dichos gases de la cavidad resonante (41), - un módulo de acoplamiento de las ondas (80) apto para transferir las microondas desde el generador de microondas (70) hasta la cavidad resonante (41), al objeto de permitir la formación de un plasma, y - un soporte de crecimiento (51) presente dentro de la cavidad resonante (41), comprendiendo dicho reactor modular al menos tres elementos de modulación, estando dichos elementos de modulación seleccionados de entre: - una corona (450) apta para ser posicionada entre una primera parte de recinto (430) y una segunda parte de recinto (440), al objeto de modificar la forma y/o el volumen de la cavidad resonante (41), y un sistema de juntas (460) que, permitiendo la estanqueidad desde el punto de vista del vacío y la continuidad eléctrica de las paredes del recinto, está dispuesto entre la corona (450) y, respectivamente, la primera parte de recinto (430) y la segunda parte (440) del recinto (400); - un módulo de portasustrato (500) y un cuarto de onda (501), estando dicho módulo de portasustrato dotado de movimiento de traslación vertical y giratorio, estando en contacto con el cuarto de onda (501) e incluyendo al menos un sistema de refrigeración fluida (520); - una bandeja (900) que, dotada de movimiento de traslación vertical, al objeto de modificar la forma y el volumen de la cavidad resonante (41), incluye aberturas pasantes (911) que permiten el paso de los gases; - un módulo de distribución de los gases (100), que incluye: - una placa de distribución de los gases amovible (110) que comprende una superficie interna (111), una superficie externa (112) y una pluralidad de boquillas de distribución de los gases (113) determinantes de canales entre dichas superficies (111, 112) aptos para conducir una corriente de gases, y - un dispositivo de soporte (120) unido a un sistema de refrigeración y apto para albergar la placa de distribución de los gases amovible (110); y - un módulo de control de la refrigeración del sustrato (300), que incluye un dispositivo de inyección de gases de resistencia térmica amovible (330), comprendiendo dicho dispositivo de inyección de gases de resistencia térmica amovible (330) una o varias entradas de gases de resistencia térmica (333) y una o varias salidas de gases de resistencia térmica (331).
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公开(公告)号：RU2725428C1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：RU2019120472
申请日：2017-12-08
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： GICQUEL ALIX , DES PORTES FRANCOIS
IPC: C23C16/458 , C23C16/27 , C23C16/54
Abstract: Предложеннаягруппаизобретенийотноситсяк модульномуреакторудляизготовлениясинтетическихалмазовосаждениемв микроволновойплазмеи кспособуизготовлениясинтетическихалмазовс использованиемуказанногореактора. Указанныйреакторсодержитмикроволновыйгенератор, сконфигурированныйс возможностьюгенерациимикроволнс частотойв пределахот 300 МГцдо 3000 МГц, резонаторнуюполость, образованнуюпоменьшеймеречастичноцилиндрическимивнутреннимистенкамикамерыреактора, газоподводящуюсистемуи газовыпускноймодуль, модульволновойсвязи, выполненныйс возможностьюпередачимикроволнотмикроволновогогенераторак резонаторнойполостидляобеспечениявозможностиформированияплазмы, иростовуюосновув резонаторнойполости. Упомянутыймодульныйреакторсодержитпоменьшеймеретримодульныхэлемента, выбранныхизследующихэлементов: поменьшеймереодногоободадляизмененияформыи/илиобъемарезонаторнойполости, модуляподложкодержателяс возможностьювертикальногоперемещенияи вращенияв контактес четвертьволновойметаллическойконструкциейи содержащегопоменьшеймереоднусистемуохлаждениятекучейсредой, плитыдляизмененияформыи объемарезонаторнойполости, газораспределительногомодуляи модуляконтроляохлажденияподложки. Обеспечиваетсявозможностьсозданиямодульногореактора, имеющегонесколькоконфигурацийдляоптимизацииожидаемогорезультатаростаалмаза, иобеспечиваетсяконтрольлокальныхусловийростанаповерхностирастущегоалмазас варьированиемразличныхусловийростаалмаза. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 12 ил.
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公开(公告)号：FR3060024B1
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：FR1670746
申请日：2016-12-09
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： GICQUEL ALIX , DES PORTES FRANCOIS
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/458 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/04
Abstract: L'invention porte sur un réacteur modulaire (1) de dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant de synthèse, ledit réacteur étant caractérisé en ce qu'il comprend au moins trois éléments de modulation, lesdits éléments de modulation étant sélectionnés parmi : - une couronne (450) apte à être positionnée entre une première partie d'enceinte (430) et une deuxième partie d'enceinte (440) ; - un module de porte substrat (500), mobile en translation verticale et en rotation, en contact avec un quart d'onde (501) et comportant au moins un système de refroidissement fluide (520) ; - un plateau (900) mobile en translation verticale de façon à modifier la forme et le volume de la cavité résonante (41) et comportant des ouvertures traversantes (911) permettant le passage des gaz ; - un module de distribution des gaz (100), comportant une plaque de distribution des gaz amovible (110) comprenant une surface interne (111), une surface externe (112) et une pluralité de buses de distribution des gaz (113) formant des canaux entre les dites surfaces (111, 112) aptes à conduire un flux de gaz, et un dispositif de support (120) relié à un système de refroidissement et apte à accueillir la plaque de distribution amovible des gaz amovible (110) ; et - un module de contrôle du refroidissement du substrat (300), comportant un dispositif d'injection de gaz de résistance thermique amovible (330).
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