公开(公告)号：WO2018224792A1

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：PCT/FR2018/051337

申请日：2018-06-08

Applicant: DIAM CONCEPT

Inventor： DUIGOU, Olivier ,  BIEBER, Thomas ,  GICQUEL, Alix

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/52 ,  C30B25/16 ,  C30B29/04

Abstract: L'invention porte sur un procédé (100) de surveillance des conditions de croissance d'un dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant, ledit procédé étant mis en œuvre par un dispositif (10) de surveillance comprenant au moins un moyen (11) de capture d'image numérique, un module (12) de traitement d'image numérique, et un module (13) de traitement de données, ledit procédé comportant les étapes : - de capture (110) d'une image numérique en couleur d'au moins un diamant en croissance, à l'aide du moyen (11) de capture d'images numériques, - d'extraction (120) de valeurs de caractéristiques de couleur d'au moins une zone de l'image numérique capturée, par le module (12) de traitement d'image numérique, et - d'analyse (130), par le module (13) de traitement de données, des valeurs de caractéristiques de couleur extraites pour détecter une variation lors du dépôt assisté par plasma microonde.

公开(公告)号：WO2018104689A1

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：PCT/FR2017/053482

申请日：2017-12-08

Applicant: DIAM CONCEPT

Inventor： GICQUEL, Alix ,  DES PORTES, François

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32

Abstract: L'invention porte sur un réacteur modulaire (1) de dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant de synthèse, ledit réacteur étant caractérisé en ce qu'il comprend au moins trois éléments de modulation, lesdits éléments de modulation étant sélectionnés parmi: une couronne (450) apte à être positionnée entre une première partie d'enceinte (430) et une deuxième partie d'enceinte (440); un module de porte substrat (500), mobile en translation verticale et en rotation, en contact avec un quart d'onde (501) et comportant au moins un système de refroidissement fluide (520); un plateau (900) mobile en translation verticale de façon à modifier la forme et le volume de la cavité résonante (41) et comportant des ouvertures traversantes (911) permettant le passage des gaz; - un module de distribution des gaz (100), comportant une plaque de distribution des gaz amovible (110) comprenant une surface interne (111), une surface externe (112) et une pluralité de buses de distribution des gaz (113) formant des canaux entre les dites surfaces (111, 112) aptes à conduire un flux de gaz, et un dispositif de support (120) relié à un système de refroidissement et apte à accueillir la plaque de distribution amovible des gaz amovible (110); et un module de contrôle du refroidissement du substrat (300), comportant un dispositif d'injection de gaz de résistance thermique amovible (330).

公开(公告)号：US11859279B2

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：US16467828

申请日：2017-12-08

Applicant: DIAM CONCEPT

Inventor： Alix Gicquel ,  François Des Portes

IPC: C23C16/511 ,  C23C16/27 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/274 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/466 ,  C23C16/511 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/332

Abstract: The invention relates to a microwave plasma-assisted deposition modular reactor for manufacturing synthetic diamond. The reactor has at least three modulation elements selected from: a crown adapted to be positioned between a first enclosure part and a second enclosure part; a substrate holder module mobile in vertical translation and in rotation, in contact with a quarter-wave and including at least one fluid cooling system; a tray mobile in vertical translation in order to change the shape and volume of the resonant cavity and including through openings allowing the gases to pass; a gas distribution module, including a removable gas distribution plate comprising an inner surface, an outer surface, and a plurality of gas distribution nozzles forming channels between said surfaces capable of conducting a gas flow, and a support device connected to a cooling system and adapted to accommodate the removable gas distribution plate; and a substrate cooling control module including a removable thermal resistance gas injection device.

公开(公告)号：US20200263294A1

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：US16619741

申请日：2018-06-08

Applicant: DIAM CONCEPT

Inventor： Alix GICQUEL ,  Olivier DUIGOU ,  Thomas BIEBER

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/52 ,  C30B25/16 ,  C30B29/04

Abstract: The invention relates to a method (100) for monitoring the growth conditions of a microwave plasma-assisted deposition for diamond manufacture, said method being implemented by a monitoring device (10) comprising at least one digital image capture means (11), one digital image processing module (12), and one data processing module (13), said method including the steps of: capturing (110) a digital color image of at least one growing diamond, using the digital image capturing means (11), extracting (120) color characteristic values from at least one area of the captured digital image, by the digital image processing module (12), and analyzing (130), by the data processing module (13), the extracted color characteristic values to detect a variation during the microwave plasma-assisted deposition.

公开(公告)号：US20210087676A1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：US16467828

申请日：2017-12-08

Applicant: DIAM CONCEPT

Inventor： Alix GICQUEL ,  François DES PORTES

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  C30B25/12 ,  C30B25/08 ,  C30B29/04 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32

Abstract: The invention relates to a microwave plasma-assisted deposition modular reactor for manufacturing synthetic diamond. The reactor has at least three modulation elements selected from: a crown adapted to be positioned between a first enclosure part and a second enclosure part; a substrate holder module mobile in vertical translation and in rotation, in contact with a quarter-wave and including at least one fluid cooling system; a tray mobile in vertical translation in order to change the shape and volume of the resonant cavity and including through openings allowing the gases to pass; a gas distribution module, including a removable gas distribution plate comprising an inner surface, an outer surface, and a plurality of gas distribution nozzles forming channels between said surfaces capable of conducting a gas flow, and a support device connected to a cooling system and adapted to accommodate the removable gas distribution plate; and a substrate cooling control module including a removable thermal resistance gas injection device.

公开(公告)号：FR3067362B1

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：FR1755200

申请日：2017-06-09

Applicant: DIAM CONCEPT

Inventor： GICQUEL ALIX ,  DUIGOU OLIVIER ,  BIEBER THOMAS

IPC: C30B29/04 ,  C01B32/26 ,  C30B23/08 ,  C30B25/16 ,  G01N21/84 ,  G06T7/90

Abstract: L'invention porte sur un procédé (100) de surveillance des conditions de croissance d'un dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant, ledit procédé étant mis en œuvre par un dispositif (10) de surveillance comprenant au moins un moyen (11) de capture d'image numérique, un module (12) de traitement d'image numérique, et un module (13) de traitement de données, ledit procédé comportant les étapes : - de capture (110) d'une image numérique en couleur d'au moins un diamant en croissance, à l'aide du moyen (11) de capture d'images numériques, - d'extraction (120) de valeurs de caractéristiques de couleur d'au moins une zone de l'image numérique capturée, par le module (12) de traitement d'image numérique, et - d'analyse (130), par le module (13) de traitement de données, des valeurs de caractéristiques de couleur extraites pour détecter une variation lors du dépôt assisté par plasma microonde.

公开(公告)号：CA3046528A1

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：CA3046528

申请日：2017-12-08

Applicant: DIAM CONCEPT

Inventor： GICQUEL ALIX ,  DES PORTES FRANCOIS

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32

Abstract: L'invention porte sur un réacteur modulaire (1) de dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant de synthèse, ledit réacteur étant caractérisé en ce qu'il comprend au moins trois éléments de modulation, lesdits éléments de modulation étant sélectionnés parmi: une couronne (450) apte à être positionnée entre une première partie d'enceinte (430) et une deuxième partie d'enceinte (440); un module de porte substrat (500), mobile en translation verticale et en rotation, en contact avec un quart d'onde (501) et comportant au moins un système de refroidissement fluide (520); un plateau (900) mobile en translation verticale de façon à modifier la forme et le volume de la cavité résonante (41) et comportant des ouvertures traversantes (911) permettant le passage des gaz; - un module de distribution des gaz (100), comportant une plaque de distribution des gaz amovible (110) comprenant une surface interne (111), une surface externe (112) et une pluralité de buses de distribution des gaz (113) formant des canaux entre les dites surfaces (111, 112) aptes à conduire un flux de gaz, et un dispositif de support (120) relié à un système de refroidissement et apte à accueillir la plaque de distribution amovible des gaz amovible (110); et un module de contrôle du refroidissement du substrat (300), comportant un dispositif d'injection de gaz de résistance thermique amovible (330).

公开(公告)号：FR3149909A1

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：FR2306048

申请日：2023-06-14

Applicant: DIAM CONCEPT

Inventor： DUIGOU OLIVIER ,  GICQUEL ALIX ,  PERRIN BASILE ,  GLAD XAVIER

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/02 ,  C30B33/08

Abstract: L’invention concerne un procédé de formation (100) d’une couche de diamant monocristallin (10’) présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 103 défauts cristallins par cm2 comprenant la fourniture (110) d’un substrat de diamant monocristallin, une première micro structuration (120) d’une surface de croissance (12) du substrat de diamant monocristallin (10), une première croissance homoépitaxiale (130) réalisée normalement de manière à former une première couche de diamant monocristallin (10-1) comportant les défauts cristallins de la surface de croissance (12) et latéralement de manière à former une deuxième couche de diamant monocristallin (10-2) comportant les défauts cristallins confinés dans la première figure de gravure (G1), une deuxième micro structuration (150) du substrat de diamant monocristallin (10) comportant la réalisation de deuxièmes figures de gravure et une deuxième croissance homoépitaxiale (160) d’une autre deuxième couche de diamant monocristallin (10-2’) comportant les défauts cristallins confinés dans la deuxième figure de gravure. Figure à publier avec l’abrégé : Figure 2

公开(公告)号：FR3139582A1

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：FR2209174

申请日：2022-09-13

Applicant: DIAM CONCEPT

Inventor： BAITUKHA ALIBI ,  DUIGOU OLIVIER ,  GICQUEL ALIX

IPC: C30B25/04 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: L’invention concerne un procédé de production (100) d'une plaque de diamant monocristallin à partir d’une pluralité de germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin qui comportent une surface de croissance, ladite une surface de croissance comprenant une structure en terrasses, ladite structure en terrasses présentant plusieurs faces d’orientation cristallographique (OC1, OC2), lesdites faces d’orientation cristallographique (OC1, OC2) comportant des familles de plans {100} ou des familles de plans {100} et {113}, le procédé comprenant les étapes suivantes : fourniture (110) de germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin,positionnement (130) des germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin de manière à former une mosaïque,croissance épitaxiale (140) latérale de la structure en terrasses selon l’orientation cristallographique (OC2). Figure à publier avec l’abrégé : figure 1

公开(公告)号：FR3067362A1

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：FR1755200

申请日：2017-06-09

Applicant: DIAM CONCEPT

Inventor： GICQUEL ALIX ,  DUIGOU OLIVIER ,  BIEBER THOMAS

IPC: C30B29/04 ,  C01B32/26 ,  C30B23/08 ,  C30B25/16 ,  G01N21/84 ,  G06T7/90

Abstract: L invention porte sur un procédé (100) de surveillance des conditions de croissance d un dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant, ledit procédé étant mis en œuvre par un dispositif (10) de surveillance comprenant au moins un moyen (11) de capture d image numérique, un module (12) de traitement d image numérique, et un module (13) de traitement de données, ledit procédé comportant les étapes : - de capture (110) d une image numérique en couleur d au moins un diamant en croissance, à l aide du moyen (11) de capture d images numériques, - d extraction (120) de valeurs de caractéristiques de couleur d au moins une zone de l image numérique capturée, par le module (12) de traitement d image numérique, et - d analyse (130), par le module (13) de traitement de données, des valeurs de caractéristiques de couleur extraites pour détecter une variation lors du dépôt assisté par plasma microonde.