公开(公告)号：EP1933415A1

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：EP07121196.5

申请日：2007-11-21

Applicant: Delphi Technologies, Inc.

Inventor： Berlin, Carl W. ,  Nair, Deepukumar M. ,  Zimmermann, David W. ,  Sarma, Dwadasi H.R.

IPC: H01Q1/44 ,  H01Q15/00 ,  G01P15/00 ,  H01P1/203

CPC classification number: G01P15/00 ,  G01P15/08 ,  H01P1/2005 ,  H01P1/203 ,  H01Q1/44 ,  H01Q15/006

Abstract: A high-frequency Electromagnetic Bandgap (EBG) motion sensor device (70), and a method (100) for making such a device (70) are provided. The device (70) includes a substantially planar substrate (72) including multiple conducting vias (76) forming a periodic lattice in the substrate (72). The vias (76) extend from the lower surface of the substrate (72) to the upper surface of the substrate (72). The device (70) also includes a movable defect (83) positioned in the periodic lattice. The movable defect (83) is configured to move relative to the plurality of vias (76). A resonant frequency of the EBG motion sensor device (70) varies based on movement of the movable defect (83).

Abstract translation: 提供了高频电磁带隙（EBG）运动传感器装置（70）和用于制造这种装置（70）的方法（100）。 器件（70）包括基本上平面的衬底（72），其包括在衬底（72）中形成周期性晶格的多个导电通孔（76）。 通孔（76）从衬底（72）的下表面延伸到衬底（72）的上表面。 装置（70）还包括位于周期性晶格中的可动缺陷（83）。 可移动缺陷（83）构造成相对于多个通孔（76）移动。 EBG运动传感器装置（70）的共振频率根据可动缺陷（83）的移动而变化。