MEMS PACKAGE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
    1.
    发明申请
    MEMS PACKAGE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
    MEMS封装及其制造方法

    公开(公告)号:WO2009071637A2

    公开(公告)日:2009-06-11

    申请号:PCT/EP2008066823

    申请日:2008-12-04

    CPC classification number: B81B7/007 B81C2203/0109 H01L2224/13 H03H9/1057

    Abstract: An MEMS package is proposed, wherein a chip, which has MEMS structures on its top side, is connected to a rigid cover plate and a frame structure, which comprises a polymer, to form a sandwich structure so that a closed cavity which receives the MEMS structures is implemented. Electrical contacts which can be soldered or bonded are disposed on the backside of the chip or on the outer side of the cover plate, which faces away from the chip, the contacts being electrically connected via an electrical connection structure to at least one terminal surface.

    Abstract translation: 有人提出,其中,具有在其上侧的MEMS结构的芯片被连接到一刚性盖板和一个包含聚合物框架结构,其形成接收的封闭空腔中的MEMS结构的夹层结构的MEMS包。 在芯片的或在面向远离芯片的盖板的外侧面的背面是可焊接或粘合的布置的电接触,其导电地通过具有至少一个连接表面上的电连接结构相连接。

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102006019118A1

    公开(公告)日:2007-10-31

    申请号:DE102006019118

    申请日:2006-04-25

    Applicant: EPCOS AG

    Abstract: A layer combination with a marking is proposed, for example, for a miniaturized electrical component. The layer combination includes a first layer and a different release layer, which is applied on it, on which a pattern is formed by a released pattern-like area. The release area is formed from an inorganic, semiconducting, insulating material, where the pattern produced thereon is machine-readable.

    Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate

    公开(公告)号:DE102010055935B4

    公开(公告)日:2014-05-15

    申请号:DE102010055935

    申请日:2010-12-23

    Applicant: EPCOS AG

    Abstract: Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate miteinander, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: a) Ausbilden von Stufenstrukturen (1) auf und/oder in einer ersten Hauptfläche (10a) eines ersten Substrats (10), das eine Mehrzahl integrierter Schaltungen (8) aufweist, wobei die Stufenstrukturen (1) zwischen den integrierten Schaltungen (8) verlaufen, b) Ausbilden von ersten Leiterbahnen (11), die von zumindest einigen Kontaktanschlüssen (7) der jeweiligen integrierten Schaltungen (8) bis zu den Stufenstrukturen (1) reichen und Seitenflanken (4) der Stufenstrukturen (1) bedecken, c) Verbinden des ersten Substrats (10) auf der Seite seiner ersten Hauptfläche (10a) mit einem weiteren Substrat (13) oder mit einem Stapel (14) weiterer Substrate, vorzugsweise durch Substratbonden, d) Durchtrennen des ersten Substrats (10) von einer zur ersten Hauptfläche (10a) entgegengesetzten zweiten Hauptfläche (10b) her in der Weise, dass das erste Substrat (10) in eine Mehrzahl von Substratstücken (16), die jeweils eine der integrierten Schaltungen (8) aufweisen, zerteilt wird und in Zwischenräumen (18) zwischen den Substratstücken (16) die ersten Leiterbahnen (11) zugänglich werden, und e) Ausbilden von zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) her derart, dass das Material für die zweiten Leiterbahnen (12) im Bereich der Seitenflanken (4) der Stufenstrukturen (1) unmittelbar auf die ersten Leiterbahnen (11) abgeschieden wird, wobei zumindest einige der zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) über Seitenwände (17) der Substratstücke (16) bis zu den ersten Leiterbahnen (11) führen.

    Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate

    公开(公告)号:DE102010055935A1

    公开(公告)日:2012-06-28

    申请号:DE102010055935

    申请日:2010-12-23

    Applicant: EPCOS AG

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate miteinander mit den folgenden Schritten vorgeschlagen: a) Ausbilden von Stufenstrukturen (1) auf und/oder in einer ersten Hauptfläche (10a) eines ersten Substrats (10), das eine Mehrzahl integrierter Schaltungen (8) aufweist, wobei die Stufenstrukturen (1) zwischen den integrierten Schaltungen (8) verlaufen, b) Ausbilden von ersten Leiterbahnen (11), die von zumindest einigen Kontaktanschlüssen (7) der jeweiligen integrierten Schaltungen (8) bis zu den Stufenstrukturen (1) reichen, c) Verbinden des ersten Substrats (10) auf der Seite seiner ersten Hauptfläche (10a) mit einem weiteren Substrat (13) oder mit einem Stapel (14) weiterer Substrate, vorzugsweise durch Substratbonden, d) Durchtrennen des ersten Substrats (10) von einer zur ersten Hauptfläche (10a) entgegengesetzten zweiten Hauptfläche (10b) her in der Weise, dass das erste Substrat (10) in eine Mehrzahl von Substratstücken (16), die jeweils eine der integrierten Schaltungen (8) aufweisen, zerteilt wird und in Zwischenräumen (18) zwischen den Substratstücken (16) die ersten Leiterbahnen (11) zugänglich werden, und e) Ausbilden von zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) her, wobei zumindest einige der zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) über Seitenwände (17) der Substratstücke (16) bis zu den ersten Leiterbahnen (11) führen.

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