MEMS COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCTION
    2.
    发明申请
    MEMS COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCTION 审中-公开
    MEMS组件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2008155297A3

    公开(公告)日:2009-03-19

    申请号:PCT/EP2008057502

    申请日:2008-06-13

    CPC classification number: H03H9/02866 H03H9/14538

    Abstract: The invention relates to a MEMS component comprising a chip supporting the component structure, a metal structure being provided on the back of the chip opposite the component structures, for dispersing acoustic volume waves in order to avoid disturbing reflections and acoustic volume waves. The metal structures comprise a metal acoustically adapted to the material of the chip.

    Abstract translation: 为了避免干扰反射和体声波,是在对置用于在MEMS装置,该装置包括一个芯片支撑构件结构散射体声波提供了一种金属结构中的芯片元件的结构的背面。 所述金属结构包括一个声学到芯片匹配金属的材料。

    Elektrisches Bauelement
    4.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102007020288B4

    公开(公告)日:2013-12-12

    申请号:DE102007020288

    申请日:2007-04-30

    Applicant: EPCOS AG

    Abstract: Elektrisches Bauelement – mit einem Trägersubstrat (1) und einem auf diesem montierten Chip (2), – wobei der Chip (2) mit akustischen Wellen arbeitende Bauelement-Strukturen (21) aufweist, die auf der zum Trägersubstrat (1) gewandten Seite des Chips (2) angeordnet sind, – wobei die Bauelement-Strukturen (21) zumindest eine Komponente umfassen, ausgewählt aus einem akustischen Resonator, einem elektroakustischen Wandler und einem akustischen Reflektor, – mit mindestens einem Reaktanzelement, das auf der Oberseite des Trägersubstrats (1) in einem Spalt zwischen dem Trägersubstrat (1) und dem Chip (2) angeordnet und zumindest teilweise mittels mindestens einer Leiterbahn (31) realisiert ist, die auf der Oberseite des Trägersubstrats aufgebracht ist, – wobei das Reaktanzelement eine Spule umfasst – wobei die mindestens eine Leiterbahn (31) eine erste auf dem Trägersubstrat aufliegende, leitfähige Schicht (7) und eine teilweise auf der ersten leitfähigen Schicht (7) angeordnete zweite leitfähige Schicht (71) aufweist, – wobei die zweite leitfähige Schicht (71) eine größere Breite als die erste leitfähige Schicht (7) aufweist – wobei die Leiterbahn sich auf dem Trägersubstrat abstützende und überstehende Bereiche aufweist, die durch einen Luftspalt (81) vom Trägersubstrat (1) beabstandet sind, – wobei der Chip zum Substrat weisende Bauelementstrukturen aufweist – wobei zwischen dem Chip (2) und dem Trägersubstrat (1) im Randbereich des Chips (2) ein umlaufender Rahmen (3) angeordnet ist, – wobei zwischen dem Rahmen (3), dem Chip (2) und dem Trägersubstrat (1) ein geschlossener Hohlraum (8) gebildet ist, in dem die Bauelement-Strukturen (21) und die Spule eingeschlossen sind, – wobei die Spule an den Rahmen (3) angeschlossen ist.

    Mit akustischen Wellen arbeitendes MEMS Bauelement und Verfahren zur Herstellung

    公开(公告)号:DE102007028288B4

    公开(公告)日:2013-06-06

    申请号:DE102007028288

    申请日:2007-06-20

    Applicant: EPCOS AG

    Abstract: MEMS Bauelement, – mit einem Chip (CH), der auf seiner Vorderseite (VS) mit akustischen Wellen arbeitende Bauelementstrukturen (BS) trägt – bei dem der Chip eine Rückseite (RS) mit einer geringen Rauhigkeit von weniger als einem Zehntel der Wellenlänge bei Mittenfrequenz einer im Bauelement ausbreitungsfähigen akustischen Welle aufweist – bei dem auf der Rückseite (RS) des Chips (CH) metallische Strukturen (MS) zur Streuung von akustischen Volumenwellen vorgesehen sind, die in einem Muster mit geradlinig verlaufenden Abschnitten mit einer Breite angeordnet sind, – bei dem das Material der metallischen Strukturen (MS) eine akustische Impedanz aufweist, die an die akustische Impedanz des Materials des Chips (CH) angepasst ist, – bei dem sich auf der Rückseite des Chips (CH) mit Metall belegte Oberflächenbereiche und von Metallstrukturen (MS) freie Oberflächenbereiche abwechseln.

Patent Agency Ranking