公开(公告)号：WO2021043554A1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：PCT/EP2020/072631

申请日：2020-08-12

Applicant: UNIVERSITÄT GREIFSWALD ,  CHARITÉ - UNIVERSITÄTSMEDIZIN BERLIN ,  TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN ,  FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： MEINKE, Martina ,  LADEMANN, Jürgen ,  KRAMER, Axel ,  KNEISSL, Michael ,  WERNICKE, Tim ,  WINTERWERBER, Ulrike ,  EINFELDT, Sven

IPC: A61N5/06

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur UV-Antiseptik, insbesondere zur intrakorporalen in-vivo UV-Antiseptik am menschlichen und tierischen Körper bei einer Besiedlung mit multiresistenten Erregern (MRE) wie Methicillin-resistenten Staphylococcus aureus (MRSA) und Staphylococcus epidermidis (MRSE). Eine erfindungsgemäße Vorrichtung (100) zur UV-Antiseptik umfasst einen lichtemittierenden Diodenchip, LED-Chip (12), dazu ausgebildet, Strahlung im UVC-Spektralbereich zu emittieren, wobei der LED-Chip (12) mit einem Packaging (16) eine lichtemittierende Diode, LED (10), ausbildet; ein spektrales Filterelement (14), dazu eingerichtet, die vom LED-Chip (12) emittierte Strahlung im Wesentlichen auf Wellenlängen unterhalb von 235 nm zu beschränken; und ein optisches Element (18) zur gerichteten Abstrahlung der von der LED (10) emittierten Strahlung. Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur UV-Antiseptik umfasst das Bestrahlen einer zu dekolonisierenden Oberfläche (O) mit einer erfindungsgemäßen Vorrichtung (100).

公开(公告)号：WO2015091626A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/EP2014/078189

申请日：2014-12-17

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： EINFELDT, Sven ,  REDAELLI, Luca ,  KNEISSL, Michael

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01L29/20 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden mindestens eines Metallkontakts auf einer Oberfläche eines Halbleiters und eine Vorrichtung mit mindestens einem Metallkontakt. Das Verfahren dient zum Ausbilden von mindestens einem Metallkontakt (60) auf einer Oberfläche (11) eines Halbleiters (10) und umfasst die Schritte: Aufbringen einer Metallschicht (20) auf die Halbleiteroberfläche (11), Aufbringen einer Maske (40, 50) auf die Metallschicht (20), und Strukturieren zumindest der Metallschicht (20) unter Verwendung der Maske (40, 50), wobei durch das Strukturieren laterale Ablagerungen (21) des Metalls an der Maske entstehen, so dass die Maske nach dem Strukturieren eingebettet ist zwischen den Ablagerungen (21) und der strukturierten Metallschicht (20'). Das Verfahren ist gekennzeichnet durch eine leitfähige Hartmaske. Da die Maske leitfähig ist, kann sie im Metall eingebettet verbleiben. Ein Abtragen der Ablagerungen erübrigt sich. Ablagerungen und Maske bilden einen Teil des Kontakts.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成半导体的一个表面上的至少一种金属的接触和与至少一个金属接触的装置的方法。 该方法被用于形成半导体（10）的表面（11）上的至少一个金属接触（60）和包括以下步骤：在沉积所述半导体表面（11）上的金属层（20），施加掩模（40，50） 使用掩模（40，50）的金属层（20），和图案化至少所述金属层（20），通过使得掩模嵌入之间图案化之后图案化掩模上生成的金属的侧向沉积物（21） 沉积物（21）和图案化的金属层（20“）。 该方法的特征在于，由导电性硬掩模。 由于掩模是导电的，它可以保持嵌入在金属。 甲去除沉积物是不必要的。 存款和掩模形成接触的一部分。

公开(公告)号：WO2011006995A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：PCT/EP2010/060333

申请日：2010-07-16

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KNEISSL, Michael ,  WEYERS, Markus ,  EINFELDT, Sven ,  RODRIGUEZ, Hernan

Inventor： KNEISSL, Michael ,  WEYERS, Markus ,  EINFELDT, Sven ,  RODRIGUEZ, Hernan

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/46

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen p-dotierten Kontakt für die Verwendung in einer Leuchtdiode für den ultravioletten Spektralbereich, umfassend eine p- Kontaktschicht mit einer ersten Oberfläche zur Kontaktierung einer Strahlungszone und einer zweiten Oberfläche, die auf der der ersten Oberfläche abgewandten Seite: a) eine Beschichtung aufweist, die 5%-99,99% der zweiten Oberfläche der p-Kontaktschicht direkt kontaktiert und die ein Material enthält oder daraus besteht, welches für Licht mit einer Wellenlänge von 200 nm bis 400 nm eine maximale Reflektivität von mindestens 60% aufweist; b) eine Mehrzahl von p-lnjektoren aufweist, die direkt auf der zweiten Oberfläche der p-Kontaktschicht angeordnet sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在对紫外光谱范围内的发光二极管中使用的p型掺杂的接触，包括具有用于上侧的辐射区和第二表面与第一表面侧相对接触的第一表面上的p型接触层：a）一种 具有涂层，该涂层接点5％直接在p型接触层的所述第二表面的-99.99％和含有材料或由其组成，其中具有至少60％的对于具有200nm至400nm的波长的光的最大反射率; b）包括多个被直接设置在p型接触层的所述第二表面上对喷射器。

公开(公告)号：EP4025297A1

公开(公告)日：2022-07-13

申请号：EP20757266.0

申请日：2020-08-12

Applicant: Universitätsmedizin Greifswald ,  Charité - Universitätsmedizin Berlin ,  Technische Universität Berlin ,  Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： MEINKE, Martina ,  LADEMANN, Jürgen ,  KRAMER, Axel ,  KNEISSL, Michael ,  WERNICKE, Tim ,  WINTERWERBER, Ulrike ,  EINFELDT, Sven

IPC: A61N5/06

公开(公告)号：EP2454762A1

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：EP10737530.5

申请日：2010-07-16

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： KNEISSL, Michael ,  WEYERS, Markus ,  EINFELDT, Sven ,  RODRIGUEZ, Hernan

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/46

Abstract: The present invention relates to a p-doped contact for use in a light-emitting diode for the ultraviolet spectral range, comprising a p-contact layer having a first surface for contacting a radiation zone and a second surface comprising, on the side facing away from the first surface: a) a coating, which directly contacts 5%-99.99% of the second surface of the p-contact layer and contains or consists of a material having a maximum reflectivity of at least 60% for light with a wavelength of 200 nm to 400 nm; b) a plurality of p-injectors, which are disposed directly on the second surface of the p-contact layer.

Abstract translation: 本发明涉及用于紫外线光谱范围的发光二极管中的p掺杂接触，包括具有用于接触辐射区的第一表面和第二表面的p接触层，所述第一表面包括在面向外的一侧 从第一表面：a）涂层，其直接接触p接触层的第二表面的5％-99.99％，并且包含或由具有至少60％的最大反射率的材料组成，对于波长为 200nm至400nm; b）多个p型注射器，其直接设置在p型接触层的第二表面上。

公开(公告)号：EP3084808B1

公开(公告)日：2017-10-18

申请号：EP14815336.4

申请日：2014-12-17

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： EINFELDT, Sven ,  REDAELLI, Luca ,  KNEISSL, Michael

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01L29/20 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341

公开(公告)号：EP2454762B1

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：EP10737530.5

申请日：2010-07-16

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： KNEISSL, Michael ,  WEYERS, Markus ,  EINFELDT, Sven ,  RODRIGUEZ, Hernan

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/46

公开(公告)号：EP3084808A1

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：EP14815336.4

申请日：2014-12-17

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： EINFELDT, Sven ,  REDAELLI, Luca ,  KNEISSL, Michael

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01L29/20 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341

Abstract: The invention relates to a method for forming at least one metal contact on a surface of a semiconductor and to a device with at least one metal contact. The method is used to form at least one metal contact (60) on a surface (11) of a semiconductor (10) and has the following steps: applying a metal layer (20) onto the semiconductor surface (11), applying a mask (40, 50) onto the metal layer (20), and structuring at least the metal layer (20) using the mask (40, 50). Lateral deposits (21) of the metal are produced on the mask as a result of the structuring process so that the mask is embedded between the deposits (21) and the structured metal layer (20') after the structuring process. The method is characterized by a conductive hard mask. The mask can remain embedded in the metal by virtue of being conductive, and a removal of the deposits is unnecessary. The deposits and the mask form a part of the contact.

Abstract translation: 由于掩模是导电的，它可以保持嵌入在金属。 这是没有必要删除存款。 沉积物和掩模形成接触的一部分。