公开(公告)号：WO2015091626A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/EP2014/078189

申请日：2014-12-17

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： EINFELDT, Sven ,  REDAELLI, Luca ,  KNEISSL, Michael

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01L29/20 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden mindestens eines Metallkontakts auf einer Oberfläche eines Halbleiters und eine Vorrichtung mit mindestens einem Metallkontakt. Das Verfahren dient zum Ausbilden von mindestens einem Metallkontakt (60) auf einer Oberfläche (11) eines Halbleiters (10) und umfasst die Schritte: Aufbringen einer Metallschicht (20) auf die Halbleiteroberfläche (11), Aufbringen einer Maske (40, 50) auf die Metallschicht (20), und Strukturieren zumindest der Metallschicht (20) unter Verwendung der Maske (40, 50), wobei durch das Strukturieren laterale Ablagerungen (21) des Metalls an der Maske entstehen, so dass die Maske nach dem Strukturieren eingebettet ist zwischen den Ablagerungen (21) und der strukturierten Metallschicht (20'). Das Verfahren ist gekennzeichnet durch eine leitfähige Hartmaske. Da die Maske leitfähig ist, kann sie im Metall eingebettet verbleiben. Ein Abtragen der Ablagerungen erübrigt sich. Ablagerungen und Maske bilden einen Teil des Kontakts.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成半导体的一个表面上的至少一种金属的接触和与至少一个金属接触的装置的方法。 该方法被用于形成半导体（10）的表面（11）上的至少一个金属接触（60）和包括以下步骤：在沉积所述半导体表面（11）上的金属层（20），施加掩模（40，50） 使用掩模（40，50）的金属层（20），和图案化至少所述金属层（20），通过使得掩模嵌入之间图案化之后图案化掩模上生成的金属的侧向沉积物（21） 沉积物（21）和图案化的金属层（20“）。 该方法的特征在于，由导电性硬掩模。 由于掩模是导电的，它可以保持嵌入在金属。 甲去除沉积物是不必要的。 存款和掩模形成接触的一部分。

公开(公告)号：EP3084808A1

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：EP14815336.4

申请日：2014-12-17

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： EINFELDT, Sven ,  REDAELLI, Luca ,  KNEISSL, Michael

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01L29/20 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341

Abstract: The invention relates to a method for forming at least one metal contact on a surface of a semiconductor and to a device with at least one metal contact. The method is used to form at least one metal contact (60) on a surface (11) of a semiconductor (10) and has the following steps: applying a metal layer (20) onto the semiconductor surface (11), applying a mask (40, 50) onto the metal layer (20), and structuring at least the metal layer (20) using the mask (40, 50). Lateral deposits (21) of the metal are produced on the mask as a result of the structuring process so that the mask is embedded between the deposits (21) and the structured metal layer (20') after the structuring process. The method is characterized by a conductive hard mask. The mask can remain embedded in the metal by virtue of being conductive, and a removal of the deposits is unnecessary. The deposits and the mask form a part of the contact.

Abstract translation: 由于掩模是导电的，它可以保持嵌入在金属。 这是没有必要删除存款。 沉积物和掩模形成接触的一部分。

公开(公告)号：EP3084808B1

公开(公告)日：2017-10-18

申请号：EP14815336.4

申请日：2014-12-17

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： EINFELDT, Sven ,  REDAELLI, Luca ,  KNEISSL, Michael

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01L29/20 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341