公开(公告)号：WO2022073820A1

公开(公告)日：2022-04-14

申请号：PCT/EP2021/076794

申请日：2021-09-29

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： ERNST, Owen ,  UEBEL, David ,  LANGE, Felix ,  TEUBNER, Thomas ,  SCHRAMM, Hans-Peter ,  BOECK, Torsten

IPC: B81C1/00

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Mikrostrukturierung und insbesondere ein Verfahren zur Erzeugung lokal definierter Mikrostrukturen (24) aus Metallen (20) auf Substratoberflächen (12). Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Erzeugung lokal definierter Mikrostrukturen (24) auf Substratoberflächen (12) umfasst das Bereitstellen einer Substratoberfläche (12) mit einem Bereich festgelegter Rauheit (14), das lokale Verringern der Rauheit der Substratoberfläche (12) im Bereich festgelegter Rauheit (14) zur Ausbildung mindestens eines Bereichs verminderter Rauheit (16), das Abscheiden eines Metalls (20) bei einer Temperatur der Substratoberfläche (12) oberhalb des Schmelzpunktes des Metalls (20) zur Ausbildung von lokalisierten Metalltropfen (22) in Bereichen verminderter Rauheit (16) sowie das Abkühlen der Substratoberfläche (12) zum Erstarren der lokalisierten Metalltropfen zu Mikrostrukturen (24) in Bereichen verminderter Rauheit (16).

公开(公告)号：WO2022122547A1

公开(公告)日：2022-06-16

申请号：PCT/EP2021/083974

申请日：2021-12-02

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. [DE]/[DE]

Inventor： UEBEL, David ,  ERNST, Owen ,  BANSEN, Roman ,  TEUBNER, Thomas ,  SCHRAMM, Hans-peter ,  BOECK, Torsten

IPC: H01L21/02

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Silizium-basierten Wafern, welches die Abfolge der nachfolgenden Schritte umfasst: a) Bereitstellen eines Substrats mit einer amorphen Siliziumschicht auf der Oberfläche des Substrats und einer die amorphe Siliziumschicht bedeckende native Siliziumoxidschicht (30); b) (i) partielles oder vollständiges Abtragen der nativen Siliziumoxidschicht und Erzeugen einer artifiziellen Siliziumoxidschicht mit einer definierten Schichtdicke auf der amorphen Siliziumschicht; oder (ii) partielles Abtragen der nativen Siliziumoxidschicht bis auf eine vorgegebene Schichtdicke; und c) Aufwachsen einer kristallinen Siliziumschicht auf der Oberfläche der (i) artifiziellen Siliziumoxidschicht oder (ii) partiell abgetragenen Siliziumoxidschicht mittels Temperatur- Differenz-Methode (TDM) aus metallischer Schmelze. Ferner betrifft die Erfindung einen Silizium-basierten Wafer, der nach dem Verfahren hergestellt werden kann.

公开(公告)号：EP4486690A1

公开(公告)日：2025-01-08

申请号：EP23706761.6

申请日：2023-02-22

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： ERNST, Owen ,  UEBEL, David ,  BOECK, Torsten

IPC: C01B6/06 ,  C01G17/00