公开(公告)号：WO2018091699A1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：PCT/EP2017/079707

申请日：2017-11-20

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： OSIPOV, Konstantin ,  LOSSY, Richard ,  WÜRFL, Hans-Joachim

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/285

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Gate-Struktur sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung die Gate-Strukturierung eines Feldeffekttransistors mit reduzierter thermo-mechanischer Belastung und erhöhter Zuverlässigkeit (geringere Elektromigration oder Diffusion des Gate-Metalls). Die erfindungsgemäße Gate-Struktur umfasst ein Substrat (10); einer aktiven Schicht (20), die auf dem Substrat (10) angeordnet ist; einer Zwischenschicht (40), die auf der aktiven Schicht (20) angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht (40) eine Ausnehmung (45) aufweist, die sich durch die gesamte Zwischenschicht (40) hindurch in Richtung der aktiven Schicht (20) erstreckt; und einem Kontaktelement (50), das innerhalb der Ausnehmung (45) angeordnet ist, wobei das Kontaktelement (50) die Ausnehmung (45) vollständig ausfüllt und sich bis oberhalb der Zwischenschicht (40) erstreckt, wobei das Kontaktelement (50) zumindest abschnittsweise direkt auf der Zwischenschicht (40) aufliegt; wobei das Kontaktelement (50) aus einem Schottky-Metall (52) aufgebaut ist und das Kontaktelement (50) im Inneren einen vollständig von dem Schottky-Metall (52) umschlossenen Hohlraum (55) aufweist.

公开(公告)号：EP3529836A1

公开(公告)日：2019-08-28

申请号：EP17807785.5

申请日：2017-11-20

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： OSIPOV, Konstantin ,  LOSSY, Richard ,  WÜRFL, Hans-Joachim

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/285