公开(公告)号：WO2017067627A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：PCT/EP2016/001614

申请日：2016-09-28

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  FERNÁNDEZ GARRIDO, Sergio ,  GEELHAAR, Lutz ,  MARQUARDT, Oliver ,  ZETTLER, Johannes

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/18

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/18

Abstract: Es wird eine lichtemittierende Halbleitereinrichtung (100), umfassend mindestens einen Nanodraht (10) beschrieben, der mindestens einen (AI x Ga 1-x N)-basierten Nanodrahtabschnitt (12) mit 0 ≤ x ≤ 1, aufweist und sich entlang einer Axialrichtung (z) erstreckt, wobei der Nanodraht (10) mindestens einen InNbasierten Quantenpunkt (11) aufweist, der entlang der Axialrichtung (z) mindestens einseitig von dem mindestens einen Nanodrahtabschnitt (12) des Nanodrahts (10) begrenzt ist, und der Nanodraht (10) eine Dicke kleiner oder gleich einer kritischen Dicke aufweist, bei welcher der mindestens eine Quantenpunkt (11) und der benachbarte Nanodrahtabschnitt (12) versetzungsfrei aneinander angrenzen. Es wird auch ein Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Halbleitereinrichtung (100) beschrieben.

Abstract translation:

是包含至少一个纳米线的半导体发光装置（100）上述（10），所述至少一个（AI <子> X GA <子> 1-x N）基金纳米线部分（12），0≤X≤1具有，并沿着轴向方向（Z）延伸，其中，所述纳米线（10）的至少一个InNbasierten量子点（11），沿着轴向方向上的至少一侧（Z） 纳米线的至少一个纳米线部分（12）的（10）是有限的，并且所述纳米线（10）的厚度小于或等于临界厚度的至少一个量子点（11）和相邻的纳米线部分（12）无位错在该相互 毗邻。 还将描述制造半导体发光器件（100）的方法。

公开(公告)号：EP3365922A1

公开(公告)日：2018-08-29

申请号：EP16774857.3

申请日：2016-09-28

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： BRANDT, Oliver ,  FERNÁNDEZ GARRIDO, Sergio ,  GEELHAAR, Lutz ,  MARQUARDT, Oliver ,  ZETTLER, Johannes

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/18

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/18

Abstract: Described is a light-emitting semiconductor device (100) comprising at least one nanowire (10) having at least one (AI xGa1-xN)-based nanowire portion (12), where 0 ≤ x ≤ 1, and extending along an axial direction (z), wherein the nanowire (10) has at least one InN-based quantum dot (11), which is delimited at least on one side along the axial direction (z) by the at least one nanowire portion (12) of the nanowire (10), and the nanowire (10) has a thickness less than or equal to a critical thickness, at which the at least one quantum dot (11) and the adjacent nanowire portion (12) adjoin one another without dislocation. A method for producing the light-emitting semiconductor device (100) is also described.