Abstract:
An optoelectronic device (100) comprises a waveguide device (10) being arranged for guiding light fields (1), an array (20) of semiconductor nanowires (21), which stand with a mutual spacing on the waveguide device (10), wherein the positions and spacing of the nanowires (21) are selected such that the array (20) of semiconductor nanowires (21) provides an optical grating coupler optically coupling the waveguide device (10) and the semiconductor nanowires (21), and first and second contact sections (31, 32) for electrically contacting the array (20) of semiconductor nanowires (21). Furthermore, a method of manufacturing the optoelectronic device is described.
Abstract:
Anordnung zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung Die Erfindung bezieht sich u. a. auf eine Anordnung (10) zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung, wobei die Anordnung anorganisches Halbleitermaterial und organisches Material (130) aufweist, gekennzeichnet durch einen Halbleiterzylinder (30, 40) aus anorganischem Halbleitermaterial und eine in dem Halbleiterzylinder befindliche Ladungsträgerinjektionszone (50), wobei die Ladungsträgerinjektionszone an die Mantelfläche (110) des Halbleiterzylinders angrenzt, das organische Material (130) geeignet ist, im Falle einer Ladungsträgerrekombination elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und das organische Material auf demjenigen Abschnitt der Mantelfläche des Halbleiterzylinders, an den die Ladungsträgerinjektionszone angrenzt, mittelbar oder unmittelbar aufliegt und Elektron-Lochpaare aus der Ladungsträgerinjektionszone des Halbleiterzylinders in das organische Material eintreten und dort die Emission elektromagnetischer Strahlungdurch Rekombination anregen können.
Abstract:
The invention relates to, inter alia, an arrangement (10) for generating electromagnetic radiation, comprising an inorganic semiconductor material and an organic material (130), and characterised by a semiconductor cylinder (30, 40) consisting of an inorganic semiconductor material and a charge carrier injection zone (50) in the semiconductor cylinder. The charge carrier injection zone is adjacent to the envelope surface (110) of the semiconductor cylinder. The organic material (130) is suitable for emitting electromagnetic radiation in the event of charge carrier recombination, and the organic material is directly or indirectly applied to the section of the envelope surface of the semiconductor cylinder, that is bordered by the charge carrier injection zone. Electron hole pairs from the charge carrier injection zone of the semiconductor cylinder enter the organic material where they can excite the emission of electromagnetic radiation by recombination.