Abstract:
Eine Laservorrichtung (100) umfasst ein Substrat (10), auf dessen Oberfläche ein optischer Wellenleiter (11) angeordnet ist, der einen optischen Resonator (12, 13) mit einer derartigen Resonatorlänge enthält, dass mindestens eine Resonatormode im Resonator (12, 13) eine stehende Welle bildet, und ein Verstärkungsmedium, das auf einer Oberfläche des optischen Wellenleiters (11) angeordnet ist, wobei das Verstärkungsmedium einen photonischen Kristall (20) mit einer Vielzahl von säulen- und/oder wandförmigen Halbleiterelementen (21) umfasst, die periodisch, von dem optischen Wellenleiter (11) abstehend auf der Oberfläche des optischen Wellenleiters (11) angeordnet sind, und der photonische Kristall (20) für eine optische Wechselwirkung mit der mindestens einen Resonatormode des optischen Resonators (12, 13) und für eine Verstärkung von Licht mit einer Wellenlänge der mindestens einen Resonatormode des optischen Resonators (12, 13) eingerichtet ist. Es werden auch Verfahren zum Betrieb und zur Herstellung der Laservorrichtung beschrieben.
Abstract:
Eine Lichtemittervorrichtung (100) umfasst ein Substrat (10), und einen photonischen Kristall (20), der auf dem Substrat (10) angeordnet ist und säulen- und/oder wandförmige Halbleiterelemente (21) umfasst, die periodisch, von dem Substrat (10) abstehend angeordnet sind, wobei der photonische Kristall (20) einen Resonator bildet, in dem die Halbleiterelemente (21) in einem ersten Resonatorabschnitt (22) mit einer ersten Periode (d 1 ), in einem zweiten Resonatorabschnitt (23) mit einer zweiten Periode (d 2 ) und in einem dritten Resonatorabschnitt (24) mit einer dritten Periode (d 3 ) angeordnet sind, wobei auf dem Substrat (10) der zweite Resonatorabschnitt (23) und der dritte Resonatorabschnitt (24) an zwei zueinander entgegengesetzten Seiten des ersten Resonatorabschnitts (22) angeordnet sind und die zweite Periode (d 2 ) und die dritte Periode (d 3 ) von der ersten Periode (di) abweichen, der erste Resonatorabschnitt (22) ein Licht emittierendes Medium bildet, und der dritte Resonatorabschnitt (24) einen Auskoppelbereich bildet, durch den ein Teil des Lichtfeldes im ersten Resonatorabschnitt (22) in einer Lichtauskopplungsrichtung parallel zu einer Substratoberfläche (11) des Substrats (10) aus dem Resonator auskoppelbar ist. Es werden auch Verfahren zum Betrieb und zur Herstellung der Lichtemittervorrichtung (100) beschrieben.
Abstract:
Eine Laservorrichtung (100) umfasst ein Substrat (10), auf dessen Oberfläche ein optischer Wellenleiter (11) angeordnet ist, der einen optischen Resonator (12, 13) mit einer derartigen Resonatorlänge enthält, dass mindestens eine Resonatormode im Resonator (12, 13) eine stehende Welle bildet, und ein Verstärkungsmedium, das auf einer Oberfläche des optischen Wellenleiters (11) angeordnet ist, wobei das Verstärkungsmedium einen photonischen Kristall (20) mit einer Vielzahl von säulen- und/oder wandförmigen Halbleiterelementen (21) umfasst, die periodisch, von dem optischen Wellenleiter (11) abstehend auf der Oberfläche des optischen Wellenleiters (11) angeordnet sind, und der photonische Kristall (20) für eine optische Wechselwirkung mit der mindestens einen Resonatormode des optischen Resonators (12, 13) und für eine Verstärkung von Licht mit einer Wellenlänge der mindestens einen Resonatormode des optischen Resonators (12, 13) eingerichtet ist. Es werden auch Verfahren zum Betrieb und zur Herstellung der Laservorrichtung beschrieben.
Abstract:
An optoelectronic device (100) comprises a waveguide device (10) being arranged for guiding light fields (1), an array (20) of semiconductor nanowires (21), which stand with a mutual spacing on the waveguide device (10), wherein the positions and spacing of the nanowires (21) are selected such that the array (20) of semiconductor nanowires (21) provides an optical grating coupler optically coupling the waveguide device (10) and the semiconductor nanowires (21), and first and second contact sections (31, 32) for electrically contacting the array (20) of semiconductor nanowires (21). Furthermore, a method of manufacturing the optoelectronic device is described.