Chemically amplified negative resist composition, resist film using the same, resist coated mask blank, resist pattern forming method, and photomask
    5.
    发明专利
    Chemically amplified negative resist composition, resist film using the same, resist coated mask blank, resist pattern forming method, and photomask 审中-公开
    化学增容的负极性组合物,使用它的电阻膜,电阻涂层掩模,电阻图案形成方法和光电子

    公开(公告)号:JP2013156388A

    公开(公告)日:2013-08-15

    申请号:JP2012015968

    申请日:2012-01-27

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a chemically amplified negative resist composition which can form a pattern simultaneously satisfying high sensitivity, high resolution (e.g., high resolving power, excellent pattern shape, and small line edge roughness (LER)) and satisfactory dry etching resistance, and which has excellent scum characteristics and excellent temporal stability; a resist film using the composition; a resist coated mask blank; a resist pattern forming method; and a photomask.SOLUTION: The chemically amplified negative resist composition contains (A) a compound represented by the specified general formula (I), (B) a compound having a phenolic hydroxyl group, (C) a compound to generate an acid by exposure to an actinic or radioactive ray, and (D) a crosslinking agent. In the general formula (I), each of Rto Rrepresents a hydrogen atom or a substituent. Two or more of Rto Rmay be bound to each other to form a ring. A represents a monovalent organic group.

    Abstract translation: 要解决的问题:提供:可以形成同时满足高灵敏度,高分辨率(例如,高分辨率,优异图案形状和小线边缘粗糙度(LER))的图案的化学放大型负型抗蚀剂组合物和令人满意的干蚀刻 电阻,具有优异的浮渣特性和优异的时间稳定性; 使用该组合物的抗蚀剂膜; 抗蚀剂涂层面罩坯料; 抗蚀剂图案形成方法; 和光掩模。解决方案:化学放大型负光刻胶组合物含有(A)由指定的通式(I)表示的化合物,(B)具有酚羟基的化合物,(C)通过曝光产生酸的化合物 到光化学或放射线,和(D)交联剂。 通式(I)中,R〜R各自表示氢原子或取代基。 两个或更多的Rto Rmay彼此绑定形成戒指。 A表示一价有机基团。

    Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, and resist film, resist coated mask blank, method for forming resist pattern, and photomask using the same
    7.
    发明专利
    Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, and resist film, resist coated mask blank, method for forming resist pattern, and photomask using the same 有权
    丙烯酸类敏感性或辐射敏感性组合物,耐腐蚀膜,耐蚀涂层掩模,形成耐蚀图案的方法和使用其的光电子

    公开(公告)号:JP2013205812A

    公开(公告)日:2013-10-07

    申请号:JP2012078094

    申请日:2012-03-29

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, from which a pattern can be formed satisfying demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, excellent pattern profile and small line edge roughness (LER)), high stability with time, good dry etching durability and little production of scum, and to provide a resist film, a resist coated mask blank, a method for forming a resist pattern and a photomask using the above composition.SOLUTION: The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition comprises (A) a compound expressed by general formula (I) and (B) a compound that generates an acid by irradiation with actinic rays or radiation. In general formula (I), Rrepresents an alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group or group having a silicon atom; Rand Reach independently represent a hydrogen atom, alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, alkylsulfonyl group, aryl sulfonyl group or heterocyclic group; Rto Reach independently represent a hydrogen atom or a monovalent substituent; and A represents a monovalent organic group.

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供光敏性或辐射敏感性组合物,可以形成满足高灵敏度,高分辨率(例如,高分辨率,优异的图案轮廓和小线边缘粗糙度 LER)),高稳定性随时间变化,良好的干蚀刻耐久性和少量的浮渣产生,并且提供抗蚀剂膜,抗蚀剂涂布掩模毛坯,使用上述组合物形成抗蚀剂图案的方法和光掩模。解决方案: 光化射线敏感或辐射敏感组合物包含(A)由通式(I)表示的化合物和(B)通过用光化射线或辐射照射产生酸的化合物。 在通式(I)中,R表示烷基,环烷基,烯基,炔基,芳基或具有硅原子的基团; 兰德接触独立地表示氢原子,烷基,环烷基,烯基,炔基,芳基,烷基磺酰基,芳基磺酰基或杂环基; Rto Reach独立地表示氢原子或一价取代基; A表示一价有机基团。

    感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
    8.
    发明专利
    感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス 审中-公开
    丙烯酸类敏感性或辐射敏感性树脂组合物,使用该抗静电树脂组合物的电阻膜,耐光涂层掩模,光电子图案,图案形成方法,制造电子器件的方法和电子设备

    公开(公告)号:JP2015031850A

    公开(公告)日:2015-02-16

    申请号:JP2013161902

    申请日:2013-08-02

    Abstract: 【課題】極微細領域(例えば、スペース幅50nm以下の領域)の孤立パターンにおける解像性、及び、PED安定性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスの提供。【解決手段】(A)フェノール性水酸基を有する高分子化合物、(B)活性光線又は放射線の照射により体積200Å3以上の大きさの酸を発生する化合物、(C)架橋剤、及び、(D)フェノール性水酸基を有する低分子化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供在超细区域(例如,空间宽度为50nm以下的区域)中分离图案的分辨率优异的光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物,并且PED优异( 曝光后延迟)稳定性,并提供使用上述组成的抗蚀剂膜,抗蚀剂涂覆掩模毛坯,光掩模和图案形成方法,以及电子器件的制造方法和电子器件。解决方案:光化学 射线敏感或辐射敏感性树脂组合物包含(A)具有酚羟基的聚合物,(B)通过用光化射线或辐射照射而产生体积为200或更大的体积的酸的化合物,(C) 交联剂和(D)具有酚羟基的低分子量化合物。

    パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
    9.
    发明专利
    パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス 有权
    图案形成方法,抗紫外线敏感性或辐射敏感性树脂组合物,电阻膜,使用其制造电子器件的方法和电子器件

    公开(公告)号:JP2015031796A

    公开(公告)日:2015-02-16

    申请号:JP2013160616

    申请日:2013-08-01

    Abstract: 【課題】本発明は、活性光線又は放射線性を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、超微細領域(例えば線幅50nm以下の領域)において、高感度、高解像性(高解像力など)、高いラフネス性能、膜べり低減性能、高い露光ラチチュード、及び、高いドライエッチング耐性を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。【解決手段】(1)感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、(2)前記膜を活性光線又は放射線で露光することと、(3)有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することと、を含んだパターン形成方法、これに供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスであって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、芳香環を有する特定構造の繰り返し単位と、酸分解性基を有する特定構造の繰り返し単位と、架橋性基を有する特定構造の繰り返し単位とを有する樹脂を含有する。【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供同时满足高灵敏度,高分辨率(分辨率)的所有要求的图案形成方法,光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物和抗蚀剂膜, 或类似物),用于解决技术问题的超细区域(例如,在线宽度为50nm以下的区域)中,降低膜的还原性,高曝光宽容性和高干蚀刻耐久性的高粗糙性, 用于提高使用光化射线或辐射的半导体元件的微处理的性能,并提供使用上述方法和组合物制造电子器件的方法和电子器件。解决方案:图案形成方法包括:(1)形成 通过使用光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物的膜; (2)将膜暴露于光化射线或辐射; 和(3)通过使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光的薄膜。 光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物和抗蚀剂膜用于图案形成方法。 电子装置的制造方法通过使用上述图案形成方法等进行; 并且由此制造电子设备。 光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物包含具有特定结构的具有芳香环的重复单元的树脂,具有酸分解性基团的具体结构的重复单元和具有特定结构的重复单元,其具有 交联基团。

    Resin composition and pattern forming method using the same
    10.
    发明专利
    Resin composition and pattern forming method using the same 有权
    树脂组合物和形成图案的方法

    公开(公告)号:JP2014024999A

    公开(公告)日:2014-02-06

    申请号:JP2012167509

    申请日:2012-07-27

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition from which a pattern can be formed to satisfy demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, superior pattern features and small line edge roughness (LER)) and good dry etching durability, and to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the composition, a mask blank in which the above film is formed, and a pattern forming method.SOLUTION: The resin composition contains a polymeric compound (A) having a repeating unit (Q) expressed by general formula (1). In the formula, Rrepresents a hydrogen atom, a methyl group or a halogen atom; Rand Rrepresent a hydrogen atom, an alkyl group or a cycloalkyl group; L represents a divalent connecting group or a single bond; Y represents a substituent excluding a methylol group; Z represents a hydrogen atom or a substituent; m represents an integer of 0 to 4; and n represents an integer of 1 to 5, where m+n is at most 5.

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供可以形成图案以满足高灵敏度,高分辨率(例如,高分辨率,优异的图案特征和小线边缘粗糙度(LER))的需要的树脂组合物和良好的干蚀刻 耐久性,并且使用该组合物提供光化学敏感或辐射敏感的膜,其中形成上述膜的掩模板和图案形成方法。溶液:树脂组合物含有具有 由通式(1)表示的重复单元(Q)。 在该式中,R表示氢原子,甲基或卤原子; 兰德R代表氢原子,烷基或环烷基; L表示二价连接基团或单键; Y表示除羟甲基之外的取代基; Z表示氢原子或取代基; m表示0〜4的整数, n表示1〜5的整数,m + n为5以下。

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