公开(公告)号：SE537990C2

公开(公告)日：2016-01-19

申请号：SE1151169

申请日：2011-12-07

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： BLAYDES HOLLY ANN ,  DALAKOS GEORGE THEODORE ,  VERNOOY DAVID WILLIAM ,  NORTHRUP ALLAN ROBERT ,  ROJO JUAN CARLOS ,  MESCHTER PETER JOEL ,  PENG HONGYING ,  CAO HONGBO ,  XI YANGANG ANDREW ,  GOSSMAN ROBERT DWAYNE ,  ZHANG ANPING

IPC: C23C14/58 ,  C23C14/06 ,  H01L31/18

公开(公告)号：DE102011056639A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：DE102011056639

申请日：2011-12-19

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： BLAYDES HOLLY ANN ,  VERNOOY DAVID WILLIAM ,  ROJO JUAN CARLOS ,  DALAKOS GEORGE THEODORE ,  NORTHRUP ALLAN ROBERT ,  MESCHTER PETER JOEL ,  PENG HONGYING ,  XI YANGANG ANDREW ,  ZHANG ANPING ,  CAO HONGBO ,  GOSSMAN ROBERT DWAYNE

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/08 ,  H01L21/283

Abstract: In einem Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren bereitgestellt. Das Verfahren schließt das Anordnen einer im Wesentlichen amorphen Cadmiumzinnoxid-Schicht auf einem Träger und das thermische Behandeln der im Wesentlichen amorphen Cadmiumzinnoxid-Schicht in einer Atmosphäre ein, die im Wesentlichen frei von Cadmium aus einer externen Quelle ist, um eine transparente Schicht zu bilden, wobei die transparente Schicht einen elektrischen Widerstand von weniger als 2 × 10–4 Ohm-cm aufweist. Es wird auch ein Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Vorrichtung angegeben.

公开(公告)号：MY151237A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：MYPI2011005939

申请日：2011-12-07

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： BLAYDES HOLLY ANN ,  GOSSMAN ROBERT DWAYNE ,  ZHANG ANPING ,  DALAKOS GEORGE THEODORE ,  VERNOOY DAVID WILLIAM ,  NORTHRUP ALLAN ROBERT ,  RAJO JUAN CARLOS ,  MESCHTER PETER JOEL ,  PENG HONGYING ,  CAO HONGBO ,  XI YANGANG ANDREW

IPC: H01L31/0224

Abstract: IN ONE ASPECT OF THE PRESENT INVENTION A METHOD IS PROVIDED. THE METHOD INCLUDES DISPOSING A SUBSTANTIALLY AMORPHOUS CADMIUM TIN OXIDE LAYER ON A SUPPORT; AND THERMALLY PROCESSING THE SUBSTANTIALLY AMORPHOUS CADMIUM TIN OXIDE LAYER IN AN ATMOSPHERE SUBSTANTIALLY FREE OF CADMIUM FROM AN EXTERNAL SOURCE TO FORM A TRANSPARENT LAYER, WHEREIN THE TRANSPARENT LAYER HAS AN ELECTRICAL RESISTIVITY LESS THAN ABOUT 2X10¯?OHM-CM. METHOD OF MAKING A PHOTOVOLTAIC DEVICE IS ALSO PROVIDED. (FIGURE 2)

公开(公告)号：SE1151169A1

公开(公告)日：2012-06-23

申请号：SE1151169

申请日：2011-12-07

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： BLAYDES HOLLY ANN ,  DALAKOS GEORGE THEODORE ,  VERNOOY DAVID WILLIAM ,  NORTHRUP ALLAN ROBERT ,  ROJO JUAN CARLOS ,  MESCHTER PETER JOEL ,  PENG HONGYING ,  CAO HONGBO ,  XI YANGANG ANDREW ,  GOSSMAN ROBERT DWAYNE ,  ZHANG ANPING

IPC: H01L31/20

公开(公告)号：DE102011055618A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：DE102011055618

申请日：2011-11-22

Applicant: GEN ELECTRIC

Inventor： KOREVAAR BASTIAAN ARIE ,  GOSSMAN ROBERT DWAYNE ,  FELDMAN-PEABODY SCOTT DANIEL

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/36

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Cadmiumsulfidschicht angegeben. Das Verfahren schließt eine Anzahl von Stufen ein, einschließlich des Bereitstellens eines Substrates und des Anordnens einer cadmiumhaltigen Schicht auf dem Substrat, gefolgt vom Sulfurieren der cadmiumhaltigen Schicht.