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公开(公告)号：CA2763474A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：CA2763474
申请日：2010-03-24
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： KARIPIDES DAVID DIMITRI , ZHOU RUI , RADUN ARTHUR VORWERK , HUANG HAO
Abstract: A bus centering device for use in an aircraft electrical power distribution system that includes a positive bus rail, a negative bus rail, and a ground is described. The device includes a central node, a first and second switching component configured to couple the central node to the positive rail and the negative rail for a first and second predetermined duty cycle, respectively. The device includes an inductive component coupled between the central node and ground, and is configured to maintain a voltage at the central node substantially equal to ground, wherein a voltage between the positive rail and the central node is maintained substantially equal to a voltage between the negative rail and the central node. The device includes a first and second current limiting device configured to maintain a continuity of current from the inductive component when the first and second switching components are turned off.
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公开(公告)号：CA2856490C
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CA2856490
申请日：2014-07-10
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： KASHYAP AVINASH SRIKRISHNAN , SANDVIK PETER MICAH , ZHOU RUI , LOSEE PETER ALMERN
Abstract: A monolithically integrated semiconductor assembly is presented. The semiconductor assembly includes a substrate including silicon (Si), and gallium nitride (GaN) semiconductor device is fabricated on the substrate. The semiconductor assembly further includes at least one transient voltage suppressor (TVS) structure fabricated in or on the substrate, wherein the TVS structure is in electrical contact with the GaN semiconductor device. The TVS structure is configured to operate in a punch- through mode, an avalanche mode, or combinations thereof, when an applied voltage across the GaN semiconductor device is greater than a threshold voltage. Methods of making a monolithically integrated semiconductor assembly are also presented.
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公开(公告)号：CA2856490A1
公开(公告)日：2015-01-25
申请号：CA2856490
申请日：2014-07-10
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： KASHYAP AVINASH SRIKRISHNAN , SANDVIK PETER MICAH , ZHOU RUI , LOSEE PETER ALMERN
Abstract: A monolithically integrated semiconductor assembly is presented. The semiconductor assembly includes a substrate including silicon (Si), and gallium nitride (GaN) semiconductor device is fabricated on the substrate. The semiconductor assembly further includes at least one transient voltage suppressor (TVS) structure fabricated in or on the substrate, wherein the TVS structure is in electrical contact with the GaN semiconductor device. The TVS structure is configured to operate in a punch-through mode, an avalanche mode, or combinations thereof, when an applied voltage across the GaN semiconductor device is greater than a threshold voltage. Methods of making a monolithically integrated semiconductor assembly are also presented.
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公开(公告)号：FR3009131B1
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：FR1457183
申请日：2014-07-25
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： KASHYAP AVINASH SRIKRISHNAN , SANDVIK PETER MICAH , ZHOU RUI , LOSEE PETER ALMERN
IPC: H01L23/58
Abstract: Un système à semiconducteurs à intégration monolithique (100) est présenté. Le système à semiconducteurs. (100) comporte un substrat (110) contenant du silicium (Si), et un composant semiconducteur à base de nitrure de gallium (GaN) est construit sur le substrat (110). Le système à semiconducteurs (100) comporte en outre au moins une structure de suppression de tensions transitoires (STT) (130) construite dans ou sur le substrat (110), la structure de STT (130) étant électriquement au contact (140) du composant semiconducteur à base de GaN (120). La structure de STT (130) est conçue pour fonctionner en mode pénétration, en mode avalanche ou dans des modes combinant ces deux derniers quand une tension appliquée dans le composant semiconducteur à base de GaN (120) dépasse une tension de seuil. Des procédés pour fabriquer un système à semiconducteurs à intégration monolithique (100) sont également présentés.
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公开(公告)号：CA2994528A1
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CA2994528
申请日：2016-06-30
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： SHE XU , CHOKHAWALA RAHUL SHANTILAL , BRAY JAMES WILLIAM , SOMMERER TIMOTHY JOHN , ZHOU RUI , ZHANG DI
Abstract: A high-voltage direct-current (HVDC) transmission system includes an alternating current (AC) electrical source and a power converter channel that includes an AC-DC converter electrically coupled to the electrical source and a DC-AC inverter electrically coupled to the AC-DC converter. The AC-DC converter and the DC-AC inverter each include a plurality of legs that includes at least one switching device. The power converter channel further includes a commutating circuit communicatively coupled to one or more switching devices. The commutating circuit is configured to "switch on" one of the switching devices during a first portion of a cycle of the H-bridge switching circuits and "switch off the switching device during a second portion of the cycle of the first and second H-bridge switching circuits.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CA2763474C
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CA2763474
申请日：2010-03-24
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： KARIPIDES DAVID DIMITRI , ZHOU RUI , RADUN ARTHUR VORWERK , HUANG HAO
Abstract: A bus centering device for use in an aircraft electrical power distribution system that includes a positive bus rail, a negative bus rail, and a ground is described. The device includes a central node, a first and second switching component configured to couple the central node to the positive rail and the negative rail for a first and second predetermined duty cycle, respectively. The device includes an inductive component coupled between the central node and ground, and is configured to maintain a voltage at the central node substantially equal to ground, wherein a voltage between the positive rail and the central node is maintained substantially equal to a voltage between the negative rail and the central node. The device includes a first and second current limiting device configured to maintain a continuity of current from the inductive component when the first and second switching components are turned off.
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公开(公告)号：BRPI1008212A2
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：BRPI1008212
申请日：2010-03-24
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： RADUN ARTHUR VORWERK , KARIPIDES DAVID DIMITRI , HUANG HAO , ZHOU RUI
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公开(公告)号：FR3009131A1
公开(公告)日：2015-01-30
申请号：FR1457183
申请日：2014-07-25
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： KASHYAP AVINASH SRIKRISHNAN , SANDVIK PETER MICAH , ZHOU RUI , LOSEE PETER ALMERN
IPC: H01L23/58
Abstract: Un système à semiconducteurs à intégration monolithique (100) est présenté. Le système à semiconducteurs. (100) comporte un substrat (110) contenant du silicium (Si), et un composant semiconducteur à base de nitrure de gallium (GaN) est construit sur le substrat (110). Le système à semiconducteurs (100) comporte en outre au moins une structure de suppression de tensions transitoires (STT) (130) construite dans ou sur le substrat (110), la structure de STT (130) étant électriquement au contact (140) du composant semiconducteur à base de GaN (120). La structure de STT (130) est conçue pour fonctionner en mode pénétration, en mode avalanche ou dans des modes combinant ces deux derniers quand une tension appliquée dans le composant semiconducteur à base de GaN (120) dépasse une tension de seuil. Des procédés pour fabriquer un système à semiconducteurs à intégration monolithique (100) sont également présentés.
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公开(公告)号：ES2862169T3
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：ES16757802
申请日：2016-08-18
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： ZHOU RUI , GARCES LUIS JOSE , RAJU RAVISEKHAR NADIMPALLI , ATALLA ASHRAF SAID
Abstract: Un sistema colector de corriente continua de tensión media, MVDC, (202) para instalaciones de generación de energía renovable, comprendiendo dicho sistema colector de MVDC (202): un bus de MVDC (209); al menos un dispositivo de generación de energía renovable (200); al menos un convertidor de potencia de corriente continua, CC a CC, CC/CC, (208; 300; 500; 600) acoplado a dicho al menos un dispositivo de generación de energía renovable (200) y a dicho bus de MVDC (209), estando dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600) configurado para cambiar una operación de conmutación de dicho convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600) entre una conversión de onda completa y conversión de onda media; y al menos un controlador (252) acoplado a dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600), estando dicho al menos un controlador configurado para regular el cambio de la operación de conmutación de dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600) entre una conversión de onda completa y conversión de onda media; en donde dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600) comprende una pluralidad de dispositivos de conmutación (302, 304, 306, 308; 512, 514, 516, 518), estando cada dispositivo de conmutación de dicha pluralidad de dispositivos de conmutación acoplado a dicho al menos un controlador (252), estando dicho al menos un controlador (252) configurado, además, para mantener al menos una primera porción de dicha pluralidad de dispositivos de conmutación (302, 304, 306, 308; 512, 514, 516, 518) en un estado APAGADO y una segunda porción de dicha pluralidad de dispositivos de conmutación (302, 304, 306, 308; 512, 514, 516, 518) en un estado ENCENDIDO para facilitar el cambio de la operación de conmutación de dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600) de una conversión de onda completa a conversión de onda media, estando dicho al menos un controlador (252) configurado, además, para: regular la frecuencia de conmutación de dicha pluralidad de dispositivos de conmutación (302, 304, 306, 308; 512, 514, 516, 518); recibir valores en tiempo real de la energía eléctrica transmitida a través de dicho al menos un convertidor de energía CC/CC (208; 300; 500; 600); regular la frecuencia de conmutación de dicha pluralidad de dispositivos de conmutación (302, 304, 306, 308; 512, 514, 516, 518) para regular la ganancia de tensión de dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600) en función de los valores en tiempo real de la energía eléctrica transmitida a través de dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600); cambiar la operación de conmutación de dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600) entre una conversión de onda completa y conversión de onda media en función de los valores en tiempo real de la energía eléctrica transmitida a través de dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600); y caracterizado por que dicho al menos un controlador (252) está configurado, además, para disminuir la frecuencia de conmutación de dicha pluralidad de dispositivos de conmutación (302, 304, 306, 308; 512, 514, 516, 518) para disminuir la ganancia de tensión de dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600) cuando se detecta una condición de falla de sobrecarga o una condición de falla de cortocircuito, facilitando así el aislamiento de dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600); y un diodo (210) se coloca entre el bus de MVDC (209) y dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600) para facilitar aún más el aislamiento de dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600) y para permitir solo un flujo de potencia unidireccional de dicho al menos un convertidor de potencia CC/CC (208; 300; 500; 600) en el bus de MVDC (209).
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公开(公告)号：CA2951806A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：CA2951806
申请日：2016-12-15
Applicant: GEN ELECTRIC
Abstract: A voltage converter may include a first set of silicon (Si)-based power devices coupled to a first direct current (DC) voltage source and a second set of Si-based power devices coupled to a second DC voltage source. The voltage converter may also include a first set of silicon-carbide (SiC)-based power devices coupled to the first set of Si-based power devices and to the second set of Si-based power devices. Each SiC-based power device of the first set of SiC-based power devices may switch at a higher frequency as compared to each Si-based power device of the first and second sets of the Si-based power electronic devices.
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