-
公开(公告)号：WO2005052566A3
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/US2004033506
申请日：2004-10-12
Applicant: GEN ELECTRIC , SANDVIK PETER MICAH , TILAK VINAYAK , TUCKER JESSE , WEAVER STANTON EARL , SHADDOCK DAVID MULFORD , MALE JONATHAN LLOYD , LEMMON JOHN PATRICK , WOODMANSEE MARK ALLEN , MANIVANNAN VENKATESAN , HAITKO DEBORAH ANN
Inventor： SANDVIK PETER MICAH , TILAK VINAYAK , TUCKER JESSE , WEAVER STANTON EARL , SHADDOCK DAVID MULFORD , MALE JONATHAN LLOYD , LEMMON JOHN PATRICK , WOODMANSEE MARK ALLEN , MANIVANNAN VENKATESAN , HAITKO DEBORAH ANN
IPC: G01N27/414 , G01N33/00
CPC classification number: G01N27/4141 , G01N33/0037 , Y02A50/245
Abstract: A gas sensor device (10, 32, 48, 62) including a semiconductor substrate (12, 34, 50, 64); one or more catalytic gate-electrodes (14, 44, 58, 70) deposited on a surface of the semiconductor substrate; one or more ohmic contacts (16, 18, 40, 42, 54, 56, 66, 68) deposited on the surface of the semiconductor substrate and a passivation layer (38, 60, 72) deposited on at least a portion of the surface; wherein the semiconductor substrate includes a material selected from the group consisting of silicon carbide, diamond, Group III nitrides, alloys of Group III nitrides, zinc oxide, and any combinations thereof.
Abstract translation: 一种包括半导体衬底（12,34,50,64）的气体传感器装置（10,32,48,62）; 沉积在半导体衬底的表面上的一个或多个催化栅电极（14,44,58,70） 沉积在半导体衬底的表面上的一个或多个欧姆接触（16,18,40,42,54,56,66,68）和沉积在该表面的至少一部分上的钝化层（38,60,72） ; 其中所述半导体衬底包括选自碳化硅，金刚石，III族氮化物，III族氮化物的合金，氧化锌及其任何组合的材料。
-
公开(公告)号：BR102014017885A2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：BR102014017885
申请日：2014-07-21
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： KASHYAP AVINASH SRIKRISHNAN , LOSEE PETER ALMERN , SANDVIK PETER MICAH , ZHOU RUI
Abstract: conjunto semicondutor integrado e método para fazer um conjunto semicondutor integrado. trata-se de um conjunto semicondutor integrado de modo monolítico. o conjunto semicondutor inclui um substrato que inclui silicio (si), e o dispositivo semicondutor de nitreto de gálio (gan) é fabricado sobre o substrato. o conjunto semicondutor inclui adicionalmente pelo menos uma estrutura de supressor de voltagem transitória (tvs) fabricado dentro ou sobre o substrato, em que a estrutura de tvs está em contato elétrico com o dispositivo semicondutor de gan. a estrutura de tvs é configurada para operar em um modo de atravessamento, um modo de avalanche, ou combinações dos mesmos, quando uma voltagem aplicada por todo o dispositivo semicondutor de gan é maior que uma voltagem de limiar. métodos para fazer um conjunto semicondutor integrado de modo monolítico também são apresentados.
-
公开(公告)号：DE102010060750B4
公开(公告)日：2022-11-10
申请号：DE102010060750
申请日：2010-11-23
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： SANDVIK PETER MICAH , SLATES RICHARD DALE , VERT ALEXEY VASILY , ALJABARI SAMER
Abstract: Brennersystem (10), das aufweist:eine stromaufwärtige Brennstoffinjektionsstelle (18);einen stromabwärtigen Turbinenbrenner (20);eine Flammenzone (22) in dem Turbinenbrenner (20), die mehrere axiale Unterzonen (32, 34, 36, 38) aufweist;eine optische Anschlussanordnung (24), die eingerichtet ist, um eine nichtaxiale, direkte optische Sicht auf wenigstens zwei verschiedene der mehreren axialen Unterzonen (32, 34, 36, 38) zu erhalten; undein Verunreinigungsdetektionssystem (26) in optischer Kommunikationsverbindung mit der optischen Anschlussanordnung (24), wobei das Verunreinigungsdetektionssystem (26) eingerichtet ist, um thermische Atomspektren von den wenigstens zwei verschiedenen der mehreren axialen Unterzonen (32, 34, 36, 38) zu erhalten und Verunreinigungsspezies in einem Brennstoff auf der Basis von Unterschieden zwischen den thermischen Atomspektren, die von den wenigstens zwei verschiedenen axialen Unterzonen (32, 34, 36, 38) erhalten werden, zu detektieren.
-
公开(公告)号：DE102010060750A1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：DE102010060750
申请日：2010-11-23
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： SANDVIK PETER MICAH , SLATES RICHARD DALE , VERT ALEXEY VASILY , ALJABARI SAMER
-
公开(公告)号：CA2551729A1
公开(公告)日：2007-01-15
申请号：CA2551729
申请日：2006-07-06
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： SHORT JONATHAN DAVID , BURDICK WILLIAM EDWARD , ROSE JAMES WILSON , SHERMAN DONNA MARIE , SANDVIK PETER MICAH , BROWN DALE MARIUS , RAO NARESH KESAVAN
IPC: H01L25/16 , H01L31/0203 , H01L31/048
Abstract: One photodetection system includes a wide bandgap photodetector array (10) which is physically and electrically integrated on a flexible interconnect layer (18) including electrical connections (20), which is packaged in a manner for being electrically integrated with processing electronics (14) such that the packaging and the processing electronics are configured for obtaining and processing signals detected by the photodetector array, or which includes both the flexible interconnect layer and processing electronics packaging features.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CH702387B1
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CH20462010
申请日：2010-12-07
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： SANDVIK PETER MICAH , SLATES RICHARD DALE , VERT ALEXEY VASILY , ALJABARI SAMER
Abstract: Die vorliegende Erfindung offenbart ein Brennersystem (10) und ein Verfahren zum Messen von Verunreinigungen in dem Brennersystem (10). Das Brennersystem (10) enthält eine stromaufwärtige Brennstoffinjektionsstelle (18), einen stromabwärtigen Turbinenbrenner (20), eine Flammenzone (22) in dem Turbinenbrenner (20), die mehrere axiale Unterzonen (32, 34, 36, 38) aufweist, eine optische Anschlussanordnung (24), die eingerichtet ist, um eine nichtaxiale, direkte, optische Sicht auf wenigstens eine der mehreren axialen Unterzonen (32, 34, 36, 38) zu erhalten, und ein Verunreinigungsdetektionssystem (26) in optischer Kommunikationsverbindung mit der optischen Anschlussanordnung (24).
-
公开(公告)号：CH702387A2
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CH20462010
申请日：2010-12-07
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： SANDVIK PETER MICAH , SLATES RICHARD DALE , VERT ALEXEY VASILY , ALJABARI SAMER
Abstract: Die vorliegende Erfindung offenbart ein Brennersystem (10) und ein Verfahren zum Messen von Verunreinigungen in dem Brennersystem (10). Das Brennersystem (10) enthält eine stromaufwärtige Brennstoffinjektionsstelle (18), einen stromabwärtigen Turbinenbrenner (20), eine Flammenzone (22) in dem Turbinenbrenner (20), die mehrere axiale Unterzonen (32, 34, 36, 38) aufweist, eine optische Anschlussanordnung (24), die eingerichtet ist, um eine nichtaxiale, direkte, optische Sicht auf wenigstens eine der mehreren axialen Unterzonen (32, 34, 36, 38) zu erhalten, und ein Verunreinigungsdetektionssystem (26) in optischer Kommunikationsverbindung mit der optischen Anschlussanordnung (24).
-
公开(公告)号：DE102009044199A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：DE102009044199
申请日：2009-10-07
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： SOLOVIEV STANISLAV IVANOVICH , CHA HO-YOUNG , SANDVIK PETER MICAH , VERT ALEXEY , FRONHEISER JODY ALAN
IPC: H01L29/06
Abstract: A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device comprises, a first region of a first conductivity type, a second region of a second conductivity type disposed adjacent to the first region to form a p-n junction structure, a resistance modification region of the second conductivity type, and a field response modification region of the second conductivity type disposed between the resistance modification region and the second region, wherein the field response modification region comprises a varying dopant concentration distribution along a thickness direction of the field response modification region.
-
公开(公告)号：CA2462781A1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：CA2462781
申请日：2004-04-01
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： LOMBARDO LEO , SANDVIK PETER MICAH , BROWN DALE MARIUS , MATOCHA KEVIN
IPC: G01J1/02 , A61L2/26 , G01J1/04 , G01J1/42 , G02B5/20 , A61L2/28 , G01J3/00 , A61L2/10 , A61L9/20
Abstract: An ultraviolet sensor (10) monitors an effectiveness of ultraviolet lamps us ed in sterilization systems. The sensor includes an ultraviolet photodetector (12) and a filter (14, 32) cooperating therewith configured for detecting light at wavelengths between 200-300 nm. A purification system for air or water utilizes the sens or in conjunction with an ultraviolet lamp (44) directing ultraviolet light toward the air or water.
-
公开(公告)号：FR3009131B1
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：FR1457183
申请日：2014-07-25
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： KASHYAP AVINASH SRIKRISHNAN , SANDVIK PETER MICAH , ZHOU RUI , LOSEE PETER ALMERN
IPC: H01L23/58
Abstract: Un système à semiconducteurs à intégration monolithique (100) est présenté. Le système à semiconducteurs. (100) comporte un substrat (110) contenant du silicium (Si), et un composant semiconducteur à base de nitrure de gallium (GaN) est construit sur le substrat (110). Le système à semiconducteurs (100) comporte en outre au moins une structure de suppression de tensions transitoires (STT) (130) construite dans ou sur le substrat (110), la structure de STT (130) étant électriquement au contact (140) du composant semiconducteur à base de GaN (120). La structure de STT (130) est conçue pour fonctionner en mode pénétration, en mode avalanche ou dans des modes combinant ces deux derniers quand une tension appliquée dans le composant semiconducteur à base de GaN (120) dépasse une tension de seuil. Des procédés pour fabriquer un système à semiconducteurs à intégration monolithique (100) sont également présentés.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.02 seconds)
