公开(公告)号：DE102009043328B4

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：DE102009043328

申请日：2009-09-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF ,  STEFFEN KATJA ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  SELIGER FRANK ,  OTT ANDREAS ,  HEINZ MANFRED ,  WEI ANDY

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

Abstract: Halbleiterbauelement (100) mit: einem Transistorelement (150) mit einer Gateelektrodenstruktur (110a), die ein Gatedielektrikumsmaterial (111) mit großem ε und ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial (118) aufweist, das über dem Gatedielektrikumsmaterial (111) mit großem ε gebildet ist; und einem Widerstand (110b) mit einem Halbleitermaterial (113) mit einem oberen Bereich (113u) und einem unteren Bereich (113l), wobei der obere Bereich (113u) eine elektrische inerte Substanzsorte (104b) aufweist, so dass der obere Bereich (113u) im Vergleich zu dem unteren Bereich (113l) einen erhöhten Ätzwiderstand besitzt.

公开(公告)号：DE102009043328A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：DE102009043328

申请日：2009-09-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF ,  STEFFEN KATJA ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  SELIGER FRANK ,  OTT ANDREAS ,  HEINZ MANFRED ,  WEI ANDY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird das Polysiliziummaterial während eines nasschemischen Ätzprozesses effizient entfernt, während das Halbleitermaterial in den Widerstandsstrukturen im Wesentlichen beibehalten wird. Zu diesem Zweck wird eine Substanzsorte, etwa Xenon, in das Halbleitermaterial der Widerstandsstruktur eingebaut, wodurch dem Halbleitermaterial ein deutlich erhöhter Ätzwiderstand verliehen wird. Das Xenon kann in einer beliebigen geeigneten Fertigungsphase eingebaut werden.