公开(公告)号：DE102010028462A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028462

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOENTSCHEL JAN ,  KURZ ANDREAS ,  GRIEBENOW UWE ,  SCHEIPER THILO

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen werden Verspannungsgedächtnistechnologien auf der Grundlage eines Siliziumnitridmaterials angewendet, das nachfolgend in ein dielektrisches Material mit kleinem &egr; modifiziert wird, um damit Abstandshalterelemente mit kleinem &egr; zu erhalten, wodurch das Leistungsverhalten komplexer Halbleiterbauelemente verbessert wird. Die Modifizierung des anfänglichen siliziumnitridbasierten Abstandshaltermaterials kann auf der Grundlage eines Sauerstoffimplantationsprozesses bewerkstelligt werden.

公开(公告)号：DE102009047314B4

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：DE102009047314

申请日：2009-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  KESSLER MATTHIAS ,  KURZ ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Transistors, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Schutzbeschichtung über einem aktiven Gebiet und einer Gateelektrodenstruktur, die auf dem aktiven Gebiet ausgebildet ist, wobei die Gateelektrodenstruktur ein dielektrisches Material mit großem &egr; und eine Austrittsarbeitsmetallsorte aufweist; Bilden von Drain- und Source-Erweiterungsgebieten in dem aktiven Gebiet in Anwesenheit der Schutzbeschichtung; Bildes eines schützenden Abstandshalterelements aus der Schutzbeschichtung; Bilden einer Abstandshalterstruktur; und Bilden von Drain- und Source-Gebieten in dem aktiven Gebiet in Anwesenheit der Abstandshalterstruktur.

公开(公告)号：DE102010001397A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：DE102010001397

申请日：2010-01-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KURZ ANDREAS ,  SCHWAN CHRISTOPH

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8234

Abstract: In Halbleiterbauelementen mit komplexen Metallgateelektrodenstrukturen mit großen &egr; werden Widerstände auf der Grundlage eines Halbleitermaterials hergestellt, indem der Schichtwiderstands eines leitenden metallenthaltenden Deckmaterials auf der Grundlage eines Implantationsprozesses erhöht wird. Folglich können komplexe Ätztechniken zum Entfernen des leitenden Deckmaterials vermieden werden.

公开(公告)号：DE102010028462B4

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：DE102010028462

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOENTSCHEL JAN ,  KURZ ANDREAS ,  GRIEBENOW UWE ,  SCHEIPER THILO

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Abstandshalterschicht über einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor, wobei die Abstandshalterschicht Silizium und Stickstoff aufweist und wobei der erste Transistor in und über einem ersten aktiven Gebiet ausgebildet ist und ein im Wesentlichen amorphisiertes Halbleitergebiet in Drain- und Sourcebereichen enthält, und wobei der zweite Transistor in und über einem zweiten aktiven Gebiet ausgebildet ist; Ausheizen des ersten und des zweiten Transistors derart, dass das im Wesentlichen amorphisierte Halbleitergebiet in Anwesenheit der Abstandshalterschicht rekristallisiert wird; Verringern des Anteils an Stickstoff in der Abstandshalterschicht durch Einbau von Sauerstoff durch Ionenimplantation; Bilden eines Abstandshalters aus der Abstandshalterschicht jeweils an den Seitenwänden von Gateelektrodenstrukturen des ersten und des zweiten Transistors; und Abscheiden eines dielektrischen Materials über dem Abstandshalter.

公开(公告)号：DE102010028465B4

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：DE102010028465

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEYER SVEN ,  HEMPEL KLAUS ,  STEJSKAL ROLAND ,  WEI ANDY ,  SCHEIPER THILO ,  KURZ ANDREAS ,  GRIEBENOW UWE ,  HOENTSCHEL JAN

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  H01L23/525 ,  H01L27/06

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Maske mit einer Maskenöffnung, die zu einer nicht-Transistorstruktur ausgerichtet ist, wobei die Maske eine Gateelektrodenstruktur abdeckt und wobei die Gateelektrodenstruktur und die nicht-Transistorstruktur ein Halbleitermaterial aufweisen und zumindest lateral in einem dielektrischen Zwischenschichtmaterial eingebettet sind; Freilegen einer Oberfläche des Halbleitermaterials selektiv in der nicht-Transistorstruktur in Anwesenheit der Maske; Entfernen eines Teils des freiliegenden Halbleitermaterials; Bilden einer dielektrischen Materialschicht über der Gateelektrodenstruktur und der nicht-Transistorstruktur nach dem Entfernen des Teils des freiliegenden Halbleitermaterials; Freilegen einer Oberfläche des Halbleitermaterials in der Gateelektrodenstruktur, während ein Teil der dielektrischen Materialschicht über der nicht-Transistorstruktur beibehalten wird; und Ersetzen des Halbleitermaterials in der Gateelektrodenstruktur durch zumindest ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial, während das Halbleitermaterial in der nicht-Transistorstruktur bewahrt wird.

公开(公告)号：DE102010028465A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028465

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEYER SVEN ,  HEMPEL KLAUS ,  STEJSKAL ROLAND ,  WEI ANDY ,  SCHEIPER THILO ,  KURZ ANDREAS ,  GRIEBENOW UWE ,  HOENTSCHEL JAN

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  H01L23/525 ,  H01L27/04

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird das Halbleitermaterial oder zumindest ein wesentlicher Teil davon in einer nicht-Transistorstruktur, etwa einem Präzisionswiderstand oder einer elektronischen Sicherung, beim Ersetzen des Halbleitermaterials in den Gateelektrodenstrukturen beibehalten. Dazu wird ein geeignetes dielektrisches Material zumindest vor dem Entfernen des Halbleitermaterials in den Gateelektrodenstrukturen vorgesehen, ohne dass im Wesentlichen Modifizierungen in etablierten Austauschgateverfahren erforderlich sind.

公开(公告)号：DE102009055439A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102009055439

申请日：2009-12-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： POPPE JENS ,  AUBEL OLIVER ,  HENNESTHAL CHRISTIAN ,  PAGEL HOLGER ,  KURZ ANDREAS

IPC: H01L23/525

Abstract: Metallsicherung in Halbleiterbauelementen werden auf der Grundlage zusätzlicher Mechanismen hergestellt, um eine verstärkte Elektromigration in dem Sicherungskörper zu erreichen. Dazu wird die kompressive Verspannung, die durch die strominduzierte Metalldiffusion hervorgerufen wird, im Sicherungskörper beschränkt oder verringert, beispielsweise indem ein Verspannungspuffergebiet und/oder ein spezielles Metallagglomerationsgebiet bereitgestellt werden. Das Konzept kann auf das Metallisierungssystem angewendet werden, und kann auch ebenfalls in der Bauteilebene zur Anwendung kommen, wenn die Metallsicherung in Verbindung mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; hergestellt wird.

公开(公告)号：DE102010003555B4

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：DE102010003555

申请日：2010-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KURZ ANDREAS ,  SCHWAN CHRISTOPH ,  HOENTSCHEL JAN

IPC: H01L23/525

Abstract: Halbleiterbauelement (100) mit:einem Transistorelement (150) mit einer Gateelektrodenstruktur (110a), die eine Gateisolationsschicht (113), die mittels eines Gatedielektrikummaterials (113a) mit großem ε aufgebaut ist, und eine Gateelektrode aufweist, die mittels eines metallenthaltenden Elektrodenmaterials aufgebaut ist, wobei das metallenthaltende Elektrodenmaterial Aluminium (115) und mindestens eine Nicht-Aluminiummaterialschicht (112a) aufweist; undeiner elektronischen Sicherung (110b) mit dem Gatedielektrikummaterial (113a) mit großem ε und dem metallenthaltenden Elektrodenmaterial, wobei das Gatedielektrikummaterial (113a) mit großem ε an dielektrischen Seitenwänden (114) der elektronischen Sicherung (110b) ausgebildet ist, so dass das metallenthaltende Elektrodenmaterial der elektronischen Sicherung(110b) durch das Gatedielektrikummaterial (113a) lateral eingeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102010003454B4

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102010003454

申请日：2010-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KURZ ANDREAS ,  WEI ANDY ,  SCHWAN CHRISTOPH

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/285 ,  H01L27/112 ,  H01L29/161

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Sicherung eines Halbleiterbauelements (100), wobei das Verfahren umfasst:Ersetzen eines Teils eines ersten Halbleitermaterials (102B) durch ein zweites Halbleitermaterial (102A), wobei das erste Halbleitermaterial direkt auf einem kristallinen Halbleitersubstratmaterial (101A) ausgebildet ist und somit eine Vollsubstratkonfiguration mit dem Halbleitersubstratmaterial bildet und wobei das erste Halbleitermaterial (102B) eine erste Wärmeleitfähigkeit besitzt, die größer ist als eine zweite Wärmeleitfähigkeit des zweiten Halbleitermaterials (102A);Bilden einer Maske (103), so dass laterale Abmessungen der elektronischen Sicherung in dem zweiten Halbleitermaterial festgelegt werden; undBilden eines Metallsilizidmaterials (111) der elektronischen Sicherung unter Anwendung der Maske (103) als eine Silizidierungsmaske, derart, dass das Metallsilizidmaterial (111) lateral innerhalb des zweiten Halbleitermaterials (102A) liegt.

公开(公告)号：DE102010030765B4

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102010030765

申请日：2010-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KURZ ANDREAS ,  KRONHOLZ STEPHAN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/525 ,  H01L27/06

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst:Bilden einer Isolationsstruktur (103) in einem Halbleiterbasismaterial (101a) derart, dass ein erstes Kontaktgebiet (151) und ein zweites Kontaktgebiet (152) einer elektronischen Sicherung (150) in dem Halbleiterbasismaterial (101a, 102) lateral begrenzt werden, wobei das Halbleiterbasismaterial (101a, 102) eine Vollsubstratkonfiguration mit einem Substratmaterial des Halbleiterbauelements bildet;Bilden einer Vertiefung (153r) in dem Halbleiterbasismaterial (101a, 102) zwischen dem ersten (151) und dem zweiten (152) Kontaktgebiet und Bewahren eines Teils (153a, 153b) des Halbleiterbasismaterials derart, dass Seitenwände der Vertiefung (153r) erzeugt werden;Bilden eines Silizium-enthaltenden Halbleitermaterials (154) in der Vertiefung (153r), wobei das Silizium-enthaltende Halbleitermaterial (154) eine geringere Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu dem Halbleiterbasismaterial (101a, 102) besitzt; undBilden eines Metallsilizidmaterials (154s) in dem ersten und dem zweiten Kontaktgebiet (151, 152) und in dem Silizium-enthaltenden Halbleitermaterial (154) durch Maskieren der bewahrten Bereiche (153a, 153b) des Halbleiterbasismaterials und Bilden des Metallsilizids (154a) in dem Silizium-enthaltenden Halbleitermaterial (154) und dem ersten und dem zweiten Kontaktgebiet (151, 152).