公开(公告)号：DE102009010882B4

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：DE102009010882

申请日：2009-02-27

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  WIATR MACIEJ ,  KESSLER MATTHIAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren mit Bilden von Aussparungen in einem kristallinen Halbleitergebiet lateral beabstandet zu einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors durch Ausführen eines ersten anisotropen Ätzprozesses auf der Grundlage einer Plasmaumgebung, wobei die Aussparungen einen lateralen Abstand entlang einer Längsrichtung zu einem Elektrodenmaterial der Gateelektrodenstruktur besitzen; Vergrößern der Aussparungen entlang der Längsrichtung, so dass diese sich unter das Elektrodenmaterial erstrecken, indem ein zweiter kristallographisch anisotroper Ätzprozess ausgeführt wird; Bilden einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung in den Aussparungen; und Bilden von Drain- und Sourcegebieten in einem Bereich der verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung.

公开(公告)号：DE102009047314B4

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：DE102009047314

申请日：2009-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  KESSLER MATTHIAS ,  KURZ ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Transistors, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Schutzbeschichtung über einem aktiven Gebiet und einer Gateelektrodenstruktur, die auf dem aktiven Gebiet ausgebildet ist, wobei die Gateelektrodenstruktur ein dielektrisches Material mit großem &egr; und eine Austrittsarbeitsmetallsorte aufweist; Bilden von Drain- und Source-Erweiterungsgebieten in dem aktiven Gebiet in Anwesenheit der Schutzbeschichtung; Bildes eines schützenden Abstandshalterelements aus der Schutzbeschichtung; Bilden einer Abstandshalterstruktur; und Bilden von Drain- und Source-Gebieten in dem aktiven Gebiet in Anwesenheit der Abstandshalterstruktur.

公开(公告)号：DE102010028464B4

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102010028464

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  KESSLER MATTHIAS ,  FEUDEL THOMAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines Isolationsgrabens in einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelements unter Anwendung einer Hartmaske, die eine erste Maskenschicht und eine zweite Maskenschicht aufweist; Bilden eines flachen Grabenisolationsgebiets zum Abgrenzen eines aktiven Gebiets in der Halbleiterschicht durch Fällen des Isolationsgrabens mit einem dielektrischen Material und durch Entfernen eines überschüssigen Anteils des dielektrischen Materials durch Ausführen eines Abtragungsprozesses unter Anwendung der zweiten Maskenschicht als eine Stoppschicht; Entfernen der zweiten Maskenschicht derart, dass die erste Maskenschicht freigelegt wird; Ausführen mindestens eines Wannenimplantationsprozesses in Anwesenheit der ersten Maskenschicht; Bilden einer Gateelektrodenstruktur auf dem aktiven Gebiet nach dem Entfernen der ersten Maskenschicht; und Bilden einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung in einem Teil des aktiven Gebiets.

公开(公告)号：DE102009047314A1

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：DE102009047314

申请日：2009-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  KESSLER MATTHIAS ,  KURZ ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen mit Transistoren, die eine Metallgateelektrodenstruktur mit großem ε aufweisen, werden zu entfernende Abstandshalter auf dem einkapselnden Abstandshalterelement mit einer geringeren Breite vorgesehen, so dass ein lateraler Abstand eines verformungsinduzierenden Materials nicht unerwünscht vergrößert wird, das in das aktive Gebiet einzubauen ist. Zu diesem Zweck wird eine Mehrschichtabscheidung in Verbindung mit einem Niederdruck-CVD-Prozess angewendet.

公开(公告)号：DE102010028464A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028464

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  KESSLER MATTHIAS ,  FEUDEL THOMAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762

Abstract: Eine Verringerung des Materialverlust von Grabenisolationsstrukturen vor dem Herstellen einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung in den Transistoren kann zu einer besseren Bauteilgleichmäßigkeit etwa im Hinblick auf den Durchlassstrom und die Schwellwertspannung führen. So wird mindestens ein Prozess unter Anwendung wässriger Flusssäure bei der Herstellung der flachen Grabenisolationen weggelassen, wobei gleichzeitig ein hoher Grad an Kompatibilität zu konventionellen Prozessstrategien bewahrt wird.

公开(公告)号：DE102010003450A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：DE102010003450

申请日：2010-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KURZ ANDREAS ,  POPPE JENS ,  KESSLER MATTHIAS

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen werden elektronische Sicherungen in Metallisierungssystemen vorgesehen, wobei eine verbesserte zweidimensionale Konfiguration der Metallleitung, beispielsweise in Form einer spiralartigen Konfiguration, für bessere thermische Bedingungen in einem zentralen Leitungsbereich sorgt, was wiederum zu einer ausgeprägteren Elektromigrationswirkung bei einen vorgegebenen Programmierstrom führt. Folglich kann die Größe der elektronischen Sicherung zumindest in einer lateralen Richtung und auch die Breite entsprechender Transistoren, die mit der elektronischen Sicherung verbunden sind, verringert werden.

公开(公告)号：DE102010003450B4

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE102010003450

申请日：2010-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC

Inventor： KURZ ANDREAS ,  POPPE JENS ,  KESSLER MATTHIAS

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

Abstract: Halbleiterbauelement (200) mit:einem Metallisierungssystem (250) mit einer ersten Metallisierungsschicht (210) und einer zweiten Metallisierungsschicht (220), die über der ersten Metallisierungsschicht (210) gebildet ist;einer ersten Metallleitung (211), die in der ersten Metallisierungsschicht (210) gebildet ist;einer nicht-geradlinigen spiralförmigen Metallleitung (231), die in der zweiten Metallisierungsschicht (220) gebildet ist; undeiner Kathodenkontaktdurchführung (233), die in der zweiten Metallisierungsschicht (220) gebildet ist und die nicht-geradlinige spiralförmige Metallleitung (231) mit der ersten Metallleitung (211) verbindet, wobei die Kathodenkontaktdurchführung (233) so angeordnet ist, dass diese lateral von der nicht-geradlinigen spiralförmigen Metallleitung (231) entlang zweier orthogonaler lateraler Richtungen mit dem gleichen Betrag beabstandet ist, wobei die Kathodenkontaktdurchführung (233) und die nicht-geradlinige spiralförmige Metallleitung (231) Teile eines Sicherungskörpers einer elektronischen Sicherung (230) sind; und wobeidie nicht-geradlinige spiralförmige Metallleitung (231) umfasst:einen ersten geradlinigen Leitungsbereich (231E);einen zweiten geradlinigen Leitungsbereich (231G);einen dritten geradlinigen Leitungsbereich (231F), der den ersten geradlinigen Leitungsbereich (231E) und den zweiten geradlinigen Leitungsbereich (231G) miteinander verbindet;einen zentralen geradlinigen Leitungsbereich (231C), der lateral zwischen dem ersten geradlinigen Leitungsbereich (231E) und dem zweiten geradlinigen Leitungsbereich (231G) angeordnet und mit der Kathodenkontaktdurchführung (233) verbunden ist; undeinen vierten geradlinigen Leitungsbereich (231D), der den ersten geradlinigen Leitungsbereich (231E) und den zentralen geradlinigen Leitungsbereich (231C) miteinander verbindet;und wobei die jeweiligen geradlinigen Leitungsbereiche jeweils mit einem Winkel von kleiner als 90° miteinander verbunden sind.