公开(公告)号：DE102010029533B3

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：DE102010029533

申请日：2010-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FROHBERG KAI ,  RICHTER RALF ,  HUISINGA TORSTEN ,  REICHE KATRIN

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/40

Abstract: Verfahren zur Herstellung von Kontaktelementen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer ersten Kontaktöffnung in einem dielektrischen Zwischenschichtmaterial, derart dass sich die erste Kontaktöffnung zu einer ersten dielektrischen Schicht erstreckt, die unter einer zweiten dielektrischen Schicht des dielektrischen Zwischenschichtmaterials ausgebildet ist; Bilden einer Beschichtung an Seitenwänden und an einer Unterseite der ersten Kontaktöffnung derart, dass eine Breite der ersten Kontaktöffnung reduziert wird, Bilden einer zweiten Kontaktöffnung in dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial nach dem Herstellen der Beschichtung derart, dass sich die zweite Kontaktöffnung zu der ersten dielektrischen Schicht erstreckt; Entfernen der Beschichtung von der Unterseite, so dass die erste dielektrische Schicht freigelegt wird; gemeinsames Vergrößern einer Tiefe der ersten und der zweiten Kontaktöffnung durch Ätzen durch die erste dielektrische Schicht derart, dass sie eine Verbindung zu einem entsprechenden ersten und einem zweiten Kontaktgebiet herstellen; und Füllen der ersten und der zweiten Kontaktöffnung mit einem leitenden...

公开(公告)号：DE102010029522A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：DE102010029522

申请日：2010-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHUMAKOV DMYTRO ,  GRILLBERGER MICHAEL ,  BERTHOLD HEIKE ,  REICHE KATRIN

IPC: H01L23/10 ,  H01L21/52

Abstract: Ein Verspannungskompensationsgebiet, das in geeigneter Weise auf einem Gehäusesubstrat angeordnet wird, kompensiert oder verringert zumindest deutlich die thermisch hervorgerufene mechanische Verspannung in einem empfindlichen Metallisierungssystem eines Halbleiterchips, insbesondere während des kritischen Aufschmelzprozesses. Beispielsweise wird ein Verspannungsring so hergestellt, dass dieser den Aufnahmebereich des Gehäusesubstrats lateral umgibt, wobei der Verspannungsring die thermisch hervorgerufene Deformation in dem Chipaufnahmebereich effizient kompensiert.

公开(公告)号：DE102010064288A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：DE102010064288

申请日：2010-12-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  FROHBERG KAI ,  REICHE KATRIN

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/417

Abstract: Bei der Herstellung eines Metallsilizids in Kontaktöffnungen in komplexen Halbeleiterbauelementen wird eine Silizierung von Seitenwandoberflächenbereichen der Kontaktöffnungen in Gang gesetzt, indem darin eine Siliziumschicht hergestellt wird, wodurch eine unerwünschte Diffusion der hochschmelzenden Metallsorte in das lateral benachbarte dielektrische Material reduziert wird. Auf diese Weise werden ein höhere Zuverlässigkeit und ein besseres elektrisches Leistungsvermögen der resultierenden Kontaktelemente auf der Grundlage eines „späten” Silizierungsprozesses erreicht.

公开(公告)号：DE102010064288B4

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：DE102010064288

申请日：2010-12-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  FROHBERG KAI ,  REICHE KATRIN

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/417

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Kontaktöffnung in einem dielektrischen Material einer Kontaktebene eines Halbleiterbauelements, wobei die Kontaktöffnung mit einem dotierten Halbleitergebiet in Verbindung steht; Bilden einer Halbleiterschicht auf inneren Oberflächenbereichen der Kontaktöffnung und auf dem dotierten Halbleitergebiet; Bilden einer hochschmelzenden Metallschicht auf der Halbleiterschicht; Ausführen einer Wärmebehandlung derart, dass ein Metallsilizid aus der Halbleiterschicht auf den inneren Oberflächenbereichen der Kontaktöffnung und in dem dotierten Halbleitergebiet erzeugt wird; und Bilden eines leitenden Kontaktmaterials in der Kontaktöffnung direkt auf dem Metallsilizid durch Füllen der Kontaktöffnung mit dem leitenden Kontaktmaterial.

公开(公告)号：GB2466759A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：GB201007930

申请日：2008-10-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BERTHOLD HEIKE ,  REICHE KATRIN ,  GRIEBENOW UWE ,  FROHBERG KAI

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: By providing an implantation blocking material (258) on the gate electrode structures (252) of advanced semiconductor devices (200) during high energy implantation processes (203), the required shielding effect with respect to the channel regions (255) of the transistors (250A, 250B) may be accomplished. In a later manufacturing stage, the implantation blocking portion (258) may be removed to reduce the gate electrode height (253H) to a desired level in order to enhance the process conditions during the deposition of an interlayer dielectric material (210), thereby significantly reducing the risk of creating irregularities, such as voids, in the interlayer dielectric material (210), even in densely packed device regions.