公开(公告)号：DE102018202132A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102018202132

申请日：2018-02-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： NAUMANN RONALD ,  ZINKE MATTHIAS ,  SEIDEL ROBERT ,  BARCHEWITZ TOBIAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere eine Halbleiterstruktur mit einem im Wesentlichen geraden Kontaktprofil und Verfahren zur Herstellung. Die Struktur umfasst ein Blockmaterial mit einer oberen oxidierten Schicht an einer Grenzfläche zu einem isolierenden Material; und eine Zwischenverbindungskontaktstruktur mit einem im Wesentlichen geraden Profil durch die oxidierte Schicht des Blockmaterials.