公开(公告)号：DE102018202132A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102018202132

申请日：2018-02-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： NAUMANN RONALD ,  ZINKE MATTHIAS ,  SEIDEL ROBERT ,  BARCHEWITZ TOBIAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere eine Halbleiterstruktur mit einem im Wesentlichen geraden Kontaktprofil und Verfahren zur Herstellung. Die Struktur umfasst ein Blockmaterial mit einer oberen oxidierten Schicht an einer Grenzfläche zu einem isolierenden Material; und eine Zwischenverbindungskontaktstruktur mit einem im Wesentlichen geraden Profil durch die oxidierte Schicht des Blockmaterials.

公开(公告)号：DE102011004581A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：DE102011004581

申请日：2011-02-23

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RADWAN MOHAMMED ,  ZINKE MATTHIAS

IPC: H01L21/768

Abstract: Beim Ausführen plasmaunterstützter Ätzprozesse zum Strukturieren komplexer Metallisierungssysteme von Mikrostrukturbauelementen kann die Wahrscheinlichkeit des Erzeugens plasmainduzierter Schichten, etwa von Bogenentladungen verringert oder im Wesentlichen eliminiert werden, indem ein verbessertes Hochlaufsystem für die Hochfrequenzleistung und die Niederfrequenzleistung angewendet wird. Dazu wird die Hochfrequenzleistung mit einer größeren Rate im Vergleich zur Leistung mit Niederfrequenz erhöht, wozu zusätzlich eine Zeitverzögerung angewendet werden kann, so dass in jedem Falle die Leistung mit hoher Frequenz ihren Sollleistungspegel vor der Leistung mit tieferer Frequenz erreicht.