公开(公告)号：DE102011090166B3

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102011090166

申请日：2011-12-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： NAUMANN RONALD ,  GRIMM VOLKER ,  ZAKHAROV ANDREY

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306

Abstract: Bei der Herstellung von verformungsinduzierenden dielektrischen Materialschichten über Transistoren unterschiedlicher Leitfähigkeitsart wird die Strukturierung mindestens einer verformungsinduzierenden dielektrischen Materialschicht auf der Grundlage einer Prozesssequenz bewerkstelligt, in der ein negativer Einfluss einer Fluorsorte in einem Sauerstoffplasma beim Entfernen der Lackmaske vermieden oder deutlich unterdrückt wird. Beispielsweise wird ein im Wesentlichen sauerstofffreier Plasmaprozess zum Entfernen des Lackmaterials angewendet.

公开(公告)号：DE102018202132A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102018202132

申请日：2018-02-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： NAUMANN RONALD ,  ZINKE MATTHIAS ,  SEIDEL ROBERT ,  BARCHEWITZ TOBIAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere eine Halbleiterstruktur mit einem im Wesentlichen geraden Kontaktprofil und Verfahren zur Herstellung. Die Struktur umfasst ein Blockmaterial mit einer oberen oxidierten Schicht an einer Grenzfläche zu einem isolierenden Material; und eine Zwischenverbindungskontaktstruktur mit einem im Wesentlichen geraden Profil durch die oxidierte Schicht des Blockmaterials.