公开(公告)号：DE102005020061B4

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102005020061

申请日：2005-04-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PREUSSE AXEL ,  KEIL MARKUS ,  BUCHHOLTZ WOLFGANG

IPC: H01L21/768

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Metallleitung (222) in einer dielektrischen Schicht (221), die über einem Substrat (201) ausgebildet ist, das ein Halbleiterbauelement (200) aufweist; wobei die Metalleitung (222) durch Bilden eines Grabens (226) in der dielektrischen Schicht (211), Ausbilden einer Saatschicht (228) auf Oberflächen des Grabens, Einfüllen von einem oder mehreren Metallen (229) in den Graben (226) durch einen elektrochemischen Abscheidungsprozeß und Entfernen von überschüssigem Material, das während des elektrochemischen Abscheidungsprozesses abgeschieden wurde, gebildet wird; Ausführen einer Wärmebehandlung (230), um eine kristalline Struktur eines Teils des einen oder der mehreren Metalle (229) zu modifizieren; Einbringen des Teils des einen oder der mehreren Metalle (229) in eine Vakuumumgebung (235), um das Ausgasen von Kontaminationsstoffen in dem Teil des einen oder der mehreren Metalle (229) zu fördern, wobei die Wärmebehandlung (230) zumindest teilweise ausgeführt wird, während der Teil des einen oder der mehreren Metalle (229) der Einwirkung der Vakuumumgebung (235) ausgesetzt ist; Einbringen des Teils des einen oder der mehreren Metalle (229) in eine reduzierende Umgebung nach dem Einbringen in die Vakuumumgebung (235); wobei die Wärmebehandlung (230) und das Einbringen des Teils des einen oder der mehreren Metalle (229) in eine reduzierende Umgebung nach dem Abscheiden des Teils des einen oder der mehreren Metalle (229) in dem Graben (226) und vor dem vollständigen Abscheiden des einen oder der mehreren Metalle (229) ausgeführt werden.

公开(公告)号：DE102009015746B4

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：DE102009015746

申请日：2009-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FAHR TORSTEN ,  SCHALLER MATTHIAS ,  BUCHHOLTZ WOLFGANG

IPC: G01J3/453

Abstract: Während der Bearbeitung komplexer Halbleiterbauelemente können dielektrische Materialsysteme mit einer Struktur in einer zerstörungsfreien Weise analysiert werden unter Verwendung einer FTIR-Technik in Kombination mit mehreren Einfallswinkeln. Auf diese Weise können topographieabhängige Informationen erhalten werden und/oder die Datenanalyse kann effizienter gestaltet werden auf Grund der größeren Menge an Information, die durch die mehreren Einfallswinkel erhalten wird.

公开(公告)号：DE102009015746A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：DE102009015746

申请日：2009-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FAHR TORSTEN ,  SCHALLER MATTHIAS ,  BUCHHOLTZ WOLFGANG

IPC: G01J3/453

Abstract: Während der Bearbeitung komplexer Halbleiterbauelemente können dielektrische Materialsysteme mit einer Struktur in einer zerstörungsfreien Weise analysiert werden unter Verwendung einer FTIR-Technik in Kombination mit mehreren Einfallswinkeln. Auf diese Weise können topographieabhängige Informationen erhalten werden und/oder die Datenanalyse kann effizienter gestaltet werden auf Grund der größeren Menge an Information, die durch die mehreren Einfallswinkel erhalten wird.