公开(公告)号：DE112012001822B4

公开(公告)日：2020-11-12

申请号：DE112012001822

申请日：2012-06-01

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CAMILLO-CASTILLO RENATA ,  DAHLSTROM ERIK M ,  GAUTHIER ROBERT J ,  GEBRESELASIE EPHREM G ,  PHELPS RICHARD A ,  SHI YUN ,  STRICKER ANDREAS

IPC: H01L21/332 ,  G06F30/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L29/74 ,  H03K17/72

Abstract: Verfahren zum Modulieren eines Auslösestroms bei der Herstellung eines siliciumgesteuerten Gleichrichters, im Folgenden englisch abgekürzt als SCR bezeichnet, wobei das Verfahren aufweist:Ausüben einer ersten mechanischen Verspannung von einer ersten Verspannungsschicht auf einen ersten Bereich des SCR in einem Ausmaß, das zum Anpassen des Werts des elektrischen Widerstands des ersten Bereichs ausreicht, wobei der elektrische Widerstand des ersten Bereichs in Serie mit einer Diodenkette verbunden ist zum Bereitstellen eines Spannungsauslösenetzes, welches durch eine Auslösespannung und einen Auslösestrom für den SCR gekennzeichnet ist, und dadurch zum Modulieren des Auslösestroms des SCR,wobei die erste Verspannungsschicht aus einem dielektrischen Material besteht und der Verspannungszustand der verspannten dielektrischen Schicht durch Ändern der Abscheidebedingungen derselben gesteuert wird.

公开(公告)号：DE112012002434B4

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE112012002434

申请日：2012-06-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CAMILLO-CASTILLO RENATA ,  GRAY PETER B ,  HARAME DAVID L ,  JOSEPH ALVIN J ,  KHATER MARWAN H ,  LIU QIZHI

IPC: H01L29/73 ,  G06F17/50 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Bipolartransistors (80), wobei das Verfahren aufweist:Bilden einer intrinsischen Basisschicht (22);Bilden einer dielektrischen Schicht (32) auf der intrinsischen Basisschicht;Bilden einer extrinsischen Basisschicht (36) auf der dielektrischen Schicht und durch die dielektrische Schicht von der intrinsischen Basisschicht getrennt;Bilden einer Emitter-Öffnung (52), die sich durch die extrinsische Basisschicht und die dielektrische Schicht hindurch bis zu der intrinsischen Basis erstreckt;Vertiefen der dielektrischen Schicht lateral relativ zu der Emitter-Öffnung, um einen Hohlraum (60a, 60b) zwischen der intrinsischen Basisschicht und der extrinsischen Basisschicht zu definieren, der sich in die Emitter-Öffnung hinein öffnet;Füllen des Hohlraums mit einer Halbleiterschicht (64), welche die extrinsische Basisschicht physisch mit der intrinsischen Basisschicht koppelt und die intrinsische Basisschicht innerhalb der Emitter-Öffnung bedeckt; undBilden eines Emitters (74) in der Emitter-Öffnung, der durch die Halbleiterschicht physisch mit der intrinsischen Basisschicht gekoppelt ist.