公开(公告)号：DE102016211222B3

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：DE102016211222

申请日：2016-06-23

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOOK TERENCE B ,  PHELPS RICHARD A ,  STAMPER ANTHONY K ,  CAMILLO-CASTILLO RENATA A

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere Transistorstrukturen mit mehreren Substratgates und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: einen Transistor, der über einem Halbleitermaterial und einem darunter liegenden Substrat gebildet ist; und mehrere isolierte Kontaktgebiete unter einem Körper oder Kanal des Transistors, der strukturiert ist, um ein lokales Potenzial zu dem Körper des Transistors an unterschiedlichen Stellen bereitzustellen.

公开(公告)号：DE112012001822B4

公开(公告)日：2020-11-12

申请号：DE112012001822

申请日：2012-06-01

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CAMILLO-CASTILLO RENATA ,  DAHLSTROM ERIK M ,  GAUTHIER ROBERT J ,  GEBRESELASIE EPHREM G ,  PHELPS RICHARD A ,  SHI YUN ,  STRICKER ANDREAS

IPC: H01L21/332 ,  G06F30/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L29/74 ,  H03K17/72

Abstract: Verfahren zum Modulieren eines Auslösestroms bei der Herstellung eines siliciumgesteuerten Gleichrichters, im Folgenden englisch abgekürzt als SCR bezeichnet, wobei das Verfahren aufweist:Ausüben einer ersten mechanischen Verspannung von einer ersten Verspannungsschicht auf einen ersten Bereich des SCR in einem Ausmaß, das zum Anpassen des Werts des elektrischen Widerstands des ersten Bereichs ausreicht, wobei der elektrische Widerstand des ersten Bereichs in Serie mit einer Diodenkette verbunden ist zum Bereitstellen eines Spannungsauslösenetzes, welches durch eine Auslösespannung und einen Auslösestrom für den SCR gekennzeichnet ist, und dadurch zum Modulieren des Auslösestroms des SCR,wobei die erste Verspannungsschicht aus einem dielektrischen Material besteht und der Verspannungszustand der verspannten dielektrischen Schicht durch Ändern der Abscheidebedingungen derselben gesteuert wird.

公开(公告)号：DE102018208045A1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：DE102018208045

申请日：2018-05-23

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ADUSUMILLI SIVA P ,  SHANK STEVEN M ,  PHELPS RICHARD A ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: Strukturen für Flachgrabenisolationsgebiete und Verfahren zum Bilden von Flachgrabenisolationsgebieten. Ein Graben wird teilweise durch eine Vorrichtungsschicht eines Silizium-auf-Isolator-Substrats geätzt. An einem Boden des Grabens wird ein Abschnitt der Vorrichtungsschicht thermisch oxidiert, um ein Flachgrabenisolationsgebiet in dem Graben zu bilden. Während der thermischen Oxidation kann ein anderer Bereich der Vorrichtungsschicht gleichzeitig teilweise über eine Dicke oxidiert werden und, nach Entfernung der Oxidschicht von diesem Vorrichtungsschichtbereich, kann er als ein dünner Siliziumkörper verwendet werden. Vor dem thermischen Oxidationsprozess kann der Vorrichtungsschichtbereich mit einer Sorte implantiert werden, die eine Oxidation verzögert, die ihre Oxidationsrate im Vergleich zu der Oxidationsrate des Abschnitts der Vorrichtungsschicht verringert, die verwendet wird, um das Flachgrabenisolationsgebiet zu bilden.