公开(公告)号：DE102016211222B3

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：DE102016211222

申请日：2016-06-23

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOOK TERENCE B ,  PHELPS RICHARD A ,  STAMPER ANTHONY K ,  CAMILLO-CASTILLO RENATA A

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere Transistorstrukturen mit mehreren Substratgates und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: einen Transistor, der über einem Halbleitermaterial und einem darunter liegenden Substrat gebildet ist; und mehrere isolierte Kontaktgebiete unter einem Körper oder Kanal des Transistors, der strukturiert ist, um ein lokales Potenzial zu dem Körper des Transistors an unterschiedlichen Stellen bereitzustellen.