Schaltbare Filter und Entwurfsstrukturen

    公开(公告)号:DE102013200215B4

    公开(公告)日:2019-07-11

    申请号:DE102013200215

    申请日:2013-01-10

    Abstract: Verfahren, aufweisend:Bilden mindestens eines akustischen Oberflächenwellenfilters (SAW-Filter), das eine Vielzahl von Elektroden aufweist, die auf einem piezoelektrischen Substrat (12) gebildet sind, aufweisend:Bilden einer auf einer Oberfläche des piezoelektrischen Substrats festliegenden Elektrode (14) mit einer ersten Vielzahl von Fingern auf dem piezoelektrischen Substrat; undBilden einer beweglichen Elektrode (22) mit einer zweiten Vielzahl von Fingern über dem piezoelektrischen Substrat, wobei die bewegliche Elektrode funktionsfähig ist sich derart zu bewegen, dass die Finger der ersten und der zweiten Vielzahl in einem eingeschalteten Zustand des SAW-Filters miteinander auf der Oberfläche verzahnt sind, wobei sich die bewegliche Elektrode in einem ausgeschalteten Zustand des SAW-Filters über der Oberfläche befindet,wobei das Bilden des SAW-Filters ferner aufweist:Bilden einer ersten (16) Vielzahl von Betätigungselementen, wobei das Bilden der ersten Vielzahl von Betätigungselementen das Ätzen eines Grabens auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats und das Abscheiden eines Metalls oder einer Metalllegierung in dem Graben einschließt; undBilden einer zweiten (24) Vielzahl von Betätigungselementen, wobei sich die bewegliche Elektrode zwischen der ersten und der zweiten Vielzahl von Betätigungselementen bewegt, um Umschalten zwischen dem ausgeschalteten und eingeschalteten Zustand zu ermöglichen.

    Saw-Filter mit ebener Barriereschicht und Herstellungsverfahren

    公开(公告)号:DE112012002979B4

    公开(公告)日:2017-12-28

    申请号:DE112012002979

    申请日:2012-06-29

    Abstract: Oberflächen-Schallwellen(SAW)-Filter (100), aufweisend: ein piezoelektrisches Substrat (110); eine ebene Barriereschicht (120), welche über dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist; und mindestens einen Metallleiter (132), welcher in mindestens einem Graben (125) in der ebenen Barriereschicht angeordnet ist, wobei jeder der mindestens einen Metallleiter ferner einen gestapelten Leiter in Damaszener-Konfiguration aufweist, umfassend: eine Diffusionsbarriereschicht (142), welche über dem mindestens einen Metallleiter angeordnet ist; und eine Al-Schicht (160), welche über der Diffusionsbarriereschicht angeordnet ist, wobei der Metallleiter, die Diffusionsbarriereschicht und die Al-Schicht selbstausrichtend sind, und wobei der mindestens eine Metallleiter Cu aufweist und in dem piezoelektrischen Substrat und der ebenen Barriereschicht vergraben ist.

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