公开(公告)号：DE102009031155B4

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：DE102009031155

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CARTER RICHARD ,  GRAETSCH FALK ,  TRENTZSCH MARTIN ,  BEYER SVEN ,  REIMER BERTHOLD ,  BINDER ROBERT ,  BAYHA BORIS

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/3105 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines Gatedielektrikumsmaterials (210) über einem ersten aktiven Gebiet (202a) und einem zweiten aktiven Gebiet (202b) eines Halbleiterbauelements (202); Bilden einer ersten Diffusionsschicht (221) mit einer ersten Metallsorte selektiv über dem ersten aktiven Gebiet (202a); Bilden einer zweiten Diffusionsschicht (226) mit einer zweiten Metallsorte über dem zweiten aktiven Gebiet (202b); Ausführen einer Wärmebehandlung, um eine Diffusion der ersten Metallsorte von der ersten Diffusionsschicht (221) mit der ersten Metallsorte in das Gatedielektrikumsmaterial (210) über dem ersten aktiven Gebiet (202a) zu initiieren und um eine Diffusion der zweiten Metallsorte von der zweiten Diffusionsschicht (226) mit der zweiten Metallsorte in das Gatedielektrikumsmaterial (210) über dem zweiten aktiven Gebiet (202b) zu initiieren; Entfernen von der ersten Diffusionsschicht (221) mit der ersten Metallsorte und der zweiten Diffusionsschicht (226) mit der zweiten Metallsorte, so dass das Gatedielektrikumsmaterial (210) über dem ersten und zweiten aktiven Gebiet (202a, 202b) freigelegt wird;...

公开(公告)号：DE102009031155A1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：DE102009031155

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CARTER RICHARD ,  GRAETSCH FALK ,  TRENTZSCH MARTIN ,  BEYER SVEN ,  REIMER BERTHOLD ,  BINDER ROBERT ,  BAYHA BORIS

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/3105 ,  H01L27/092

Abstract: Komplexe Gateelektrodenstrukturen für n-Kanaltransistoren und p-Kanaltransistoren werden auf der Grundlage einer im Wesentlichen gleichen Konfiguration strukturiert, wobei dennoch die Einstellung der Austrittsarbeit in einer frühen Fertigungsphase erfolgt. Zu diesem Zwecken werden die Diffusionsschicht- und Deckschichtmaterialien nach dem Einbau der gewünschten Metallsorte für die Austrittsarbeit in das dielektrische Material mit großem ε entfernt und nachfolgend wird ein gemeinsamer Gateschichtstapel abgeschieden und daraufhin strukturiert.

公开(公告)号：DE102012206405B4

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：DE102012206405

申请日：2012-04-18

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ERBEN ELKE ,  TRENTZSCH MARTIN ,  CARTER RICHARD ,  GRASS CARSTEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Schaltungselemente, etwa von Transistoren, Kondensatoren und dergleichen, unter Anwendung einer Kombination aus einem konventionellen dielektrischen Material und einem dielektrischen Material mit großem &egr; werden ein verbessertes Leistungsverhalten und eine höhere Zuverlässigkeit erreicht, indem ein hafniumoxidbasiertes dielektrisches Material mit großem &egr; auf einer konventionellen dielektrischen Schicht mit einer vorausgehenden Oberflächenbehandlung hergestellt wird, wobei beispielsweise APM bei Raumtemperatur angewendet wird. Auf diese Weise können aufwendige Transistoren mit verbessertem Leistungsverhalten und mit besserer Gleichmäßigkeit der Schwellwertspannungseigenschaften erhalten werden, wobei auch ein vorzeitiger Ausfall auf Grund eines dielektrischen Durchschlags, auf Grund des Einfangs von energiereichen Ladungsträgern und dergleichen, reduziert wird.

公开(公告)号：DE102010028466B4

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：DE102010028466

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CARTER RICHARD ,  BEYER SVEN ,  LENSKI MARKUS ,  PRESS PATRICK

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines verformungsinduzierenden Halbleitermaterials in einer Aussparung, die in einem aktiven Gebiet des Transistors ausgebildet ist, wobei das aktive Gebiet durch ein Isolationsgebiet lateral begrenzt ist, wobei der Transistor eine Gateelektrodenstruktur aufweist, die ein Materialsystem enthält, das ein dielektrisches Material mit großem &egr; und ein metallenthaltendes Deckmaterial aufweist; und Bilden einer schützenden Beschichtung über der Isolationsstruktur und dem aktiven Gebiet, das das verformungsinduzierende Halbleitermaterial enthält, bevor weitere nasschemische Reinigungsprozesse ausgeführt werden.

公开(公告)号：DE102010028466A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028466

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CARTER RICHARD ,  BEYER SVEN ,  LENSKI MARKUS ,  PRESS PATRICK

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Gateausfälle in komplexen Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr;, die in einer frühen Fertigungsphase hergestellt werden, können verringert werden, indem ein schützendes Beschichtungsmaterial nach dem Einbau einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung und vor dem Ausführen jeglicher kritischer nasschemischer Prozesse hergestellt wird. Auf diese Weise kann der Angriff auf empfindliche Gatematerialien nach dem Einbau des verformungsinduzierenden Halbleitermaterials vermieden werden, ohne dass die weitere Bearbeitung des Bauelements beeinflusst wird. Auf diese Weise können sehr anspruchsvolle Schaltungsentwurfsformen in komplexen Vorgehensweisen, in denen das Gate zuerst hergestellt wird, angewendet werden.

公开(公告)号：DE102010028459A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028459

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  LENSKI MARKUS ,  CARTER RICHARD

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/308

Abstract: In einer Fertigungsstrategie zur Bereitstellung von Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; in einer frühen Fertigungsphase können Prozesse in Bezug auf Ungleichmäßigkeiten während und nach dem Strukturieren der Gateelektrodenstrukturen verbessert werden, indem eine bessere Oberflächentopographie geschaffen wird. Zu diesem Zweck wird der Materialverlust in dem Isolationsgebiet generell verringert und es wird eine symmetrische Einwirkung von reaktiven Ätzatmosphären während des nachfolgenden Entfernens der Aufwachsmaske erreicht, indem eine zusätzliche Ätzmaske bereitgestellt wird, wenn die Aufwachsmaske von den aktiven Gebieten von n-Kanaltransistoren entfernt wird, nachdem das schwellwerteinstellende Halbleitermaterial auf den aktiven Gebieten der p-Kanaltransistoren aufgewachsen wurde.

公开(公告)号：DE102009015715B4

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：DE102009015715

申请日：2009-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CARTER RICHARD ,  BEYER SVEN ,  TRENTZSCH MARTIN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102011090163B4

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：DE102011090163

申请日：2011-12-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BAARS PETER ,  CARTER RICHARD ,  STEPHAN ROLF

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines Opferfüllmaterials lateral benachbart zu und über einer Gateelektrodenstruktur, die auf einem aktiven Gebiet eines Halbleiterbauelements ausgebildet ist und ein Platzhaltermaterial, das Germanium aufweist, aufweist; Freilegen einer Oberfläche des Platzhaltermaterials durch Einebnen des Opferfüllmaterials; Ersetzen des Platzhaltermaterials durch mindestens ein Elektrodenmetall in Anwesenheit des Opferfüllmaterials; Entfernen des Opferfüllmaterials derart, dass ein Kontaktgebiet des aktiven Gebiets freigelegt wird, nachdem das Platzhaltermaterial ersetzt ist; und Bilden eines leitenden Materials auf dem freigelegten Kontaktgebiet derart, dass ein Kontaktelement erzeugt wird.

公开(公告)号：DE102012215988B4

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：DE102012215988

申请日：2012-09-10

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KELWING TORBEN ,  TRENTZSCH MARTIN ,  BAYHA BORIS ,  GRASS CARSTEN ,  CARTER RICHARD

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/423

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Gate-Dielektrikumsschicht auf einem Halbleitergebiet eines Halbleiterbauelements, wobei die Gate-Dielektrikumsschicht ein dielektrisches Material mit großem &egr; enthält; Bilden einer Diffusionsschicht über der Gate-Dielektrikumsschicht, wobei die Diffusionsschicht eine Metallsorte enthält; Ausführen einer ersten Wärmebehandlung derart, dass ein Teil der Metallsorte durch Diffusion in die Gate-Dielektrikumsschicht verteilt wird; Entfernen der Diffusionsschicht derart, dass die Gate-Dielektrikumsschicht freigelegt ist; Ausführen einer zweiten Wärmebehandlung an der freigelegten Gate-Dielektrikumsschicht, wobei die Gate-Dielektrikumsschicht bei einer Temperatur von 400°C oder höher ausgeheizt wird; Bilden eines Elektrodenmaterials über der Gate-Dielektrikumsschicht; und Bilden einer Gate-Elektrodenstruktur eines Transistors auf der Grundlage des Elektrodenmaterials und der Gate-Dielektrikumsschicht.

公开(公告)号：DE102009021484B4

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE102009021484

申请日：2009-05-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  TRENTZSCH MARTIN ,  CARTER RICHARD

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Schicht aus einer schwellwertspannungseinstellenden Halbleiterlegierung (209) auf einer Halbleiterlegierung (202) eines Halbleiterbauelements (200); Bilden einer Isolationsstruktur (202c) in der schwellwertspannungseinstellenden Halbleiterlegierung (209) und der Halbleiterlegierung (202), wobei diese Isolationsstruktur (202c) ein erstes aktives Gebiet (202a) lateral von einem zweiten aktiven Gebiet (202b) trennt; nachfolgend Entfernen der Schicht aus der schwellwertspannungseinstellenden Halbleiterlegierung (209) selektiv von dem zweiten aktiven Gebiet (202b); und Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur (251a) eines ersten Transistors auf der Schicht aus Halbleiterlegierung (202) des ersten aktiven Gebiets (202a) und Bilden einer zweiten Gateelektrodenstruktur (251b) eines zweiten Transistors auf dem zweiten aktiven Gebiet (202b), wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur (251a, 251b) eine Gateisolationsschicht (258) mit einem Dielektrikum (253) mit großem &egr; und ein metallenthaltendes Gateelektrodenmaterial (254a, 254b) aufweisen.