公开(公告)号：DE102017207873A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：DE102017207873

申请日：2017-05-10

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HE ZHONG-XIANG ,  JAFFE MARK D ,  WOLF RANDY L ,  JOSEPH ALVIN J ,  CUCCI BRETT T ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/331 ,  H01L29/72

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung kann ein Transistorgate in einer Vorrichtungsschicht; eine Zwischenverbindungsschicht über der Vorrichtungsschicht; und einen Luftspalt umfassen, der sich durch die Zwischenverbindungsschicht erstreckt, um mit einer oberseitigen Oberfläche des Transistorgates in Kontakt zu treten. Der Luftspalt stellt einen Mechanismus zur Verringerung des Ein-Widerstands und der Aus-Kapazität für Anwendungen unter Verwendung von SOI-Substraten bereit, wie z. B. Radiofrequenzschalter.

公开(公告)号：DE102017207777A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：DE102017207777

申请日：2017-05-09

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHONG-XIANG HE ,  JAFFE MARK ,  WOLF RANDY L ,  JOSEPH ALVIN J ,  CUCCI BRETT T ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/76

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung kann ein Transistorgate in einer Vorrichtungsschicht; eine Zwischenverbindungsschicht über der Vorrichtungsschicht; und einen Luftspalt umfassen, der sich durch die Zwischenverbindungsschicht erstreckt, um mit einer oberseitigen Oberfläche des Transistorgates in Kontakt zu treten. Der Luftspalt stellt einen Mechanismus zur Verringerung des Ein-Widerstands und der Aus-Kapazität für Anwendungen unter Verwendung von SOI-Substraten bereit, wie z. B. Radiofrequenzschalter.

公开(公告)号：DE102017207873B4

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102017207873

申请日：2017-05-10

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HE ZHONG-XIANG ,  JAFFE MARK D ,  WOLF RANDY L ,  JOSEPH ALVIN J ,  CUCCI BRETT T ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

Abstract: Verfahren zum Bilden eines Luftspalts (188; 288; 388) für eine Halbleitervorrichtung (100; 200), wobei das Verfahren umfasst:Bilden einer Luftspaltmaske (160), die einen Bereich einer Zwischenverbindungsschicht (104) über einer Vorrichtungsschicht (102) freilegt, wobei die Vorrichtungsschicht (102) ein Transistorgate (118) umfasst;Ätzen einer Öffnung (166) durch die Zwischenverbindungsschicht (104) unter Verwendung der Luftspaltmaske (160) über dem Transistorgate (118), wobei die Öffnung (166) Seitenwände (170) eines Dielektrikums der Zwischenverbindungsschicht (104) freilegt;Entfernen der Luftspaltmaske (160);Ausnehmen der freiliegenden Seitenwände (170) des Dielektrikums der Zwischenverbindungsschicht (104) in der Öffnung (166) nach dem Entfernen der Luftspaltmaske (160); undBilden eines Luftspalts (188; 288; 388) über dem Transistorgate (118) durch Abscheiden einer Luftspaltdeckschicht (190) zum Verschließen der Öffnung (166) an einer Oberfläche der Zwischenverbindungsschicht (104).