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    Verfahren zum Bilden eines Luftspalts für eine Halbleitervorrichtung
    1.
    发明专利
    Verfahren zum Bilden eines Luftspalts für eine Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102017207873B4

    公开(公告)日：2019-07-11

    申请号：DE102017207873

    申请日：2017-05-10

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： HE ZHONG-XIANG ,  JAFFE MARK D ,  WOLF RANDY L ,  JOSEPH ALVIN J ,  CUCCI BRETT T ,  STAMPER ANTHONY K

    IPC: H01L21/764 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

    Abstract: Verfahren zum Bilden eines Luftspalts (188; 288; 388) für eine Halbleitervorrichtung (100; 200), wobei das Verfahren umfasst:Bilden einer Luftspaltmaske (160), die einen Bereich einer Zwischenverbindungsschicht (104) über einer Vorrichtungsschicht (102) freilegt, wobei die Vorrichtungsschicht (102) ein Transistorgate (118) umfasst;Ätzen einer Öffnung (166) durch die Zwischenverbindungsschicht (104) unter Verwendung der Luftspaltmaske (160) über dem Transistorgate (118), wobei die Öffnung (166) Seitenwände (170) eines Dielektrikums der Zwischenverbindungsschicht (104) freilegt;Entfernen der Luftspaltmaske (160);Ausnehmen der freiliegenden Seitenwände (170) des Dielektrikums der Zwischenverbindungsschicht (104) in der Öffnung (166) nach dem Entfernen der Luftspaltmaske (160); undBilden eines Luftspalts (188; 288; 388) über dem Transistorgate (118) durch Abscheiden einer Luftspaltdeckschicht (190) zum Verschließen der Öffnung (166) an einer Oberfläche der Zwischenverbindungsschicht (104).

    Kondensator mit ineinander greifenden Strukturen
    2.
    发明专利
    Kondensator mit ineinander greifenden Strukturen 未知

    公开(公告)号：DE112010003418B4

    公开(公告)日：2018-09-20

    申请号：DE112010003418

    申请日：2010-08-26

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： BOOTH JR ROGER A ,  COOLBAUGH DOUGLAS D ,  ESHUN EBENEZER E ,  HE ZHONG-XIANG

    IPC: H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

    Abstract: Bauelementstruktur, welche das Folgende umfasst:- mindestens eine dielektrische Schicht (100), die auf einem Substrat angeordnet ist;- mindestens eine erste und eine zweite ineinander greifende Struktur, die in die mindestens eine dielektrische Schicht eingebettet sind, wobei die ineinander greifenden Strukturen einen vertikalen Abstand voneinander aufweisen und jede der ersten und zweiten ineinander greifenden Struktur mindestens zwei erste Metallleitungen (10), mindestens eine zweite Metallleitung (20) und ringförmig angeordnete dritte Metallleitungen (110) umfasst, die die mindestens zwei ersten Metallleitungen elektrisch verbinden und von denen zwei unterschiedliche Längsrichtungen als eine Längsrichtung der mindestens zwei ersten Metallleitungen aufweisen, wobei die ersten, zweiten und dritten Metallleitungen einer ineinander greifenden Struktur jeweils in der selben horizontalen Ebene liegen;- mindestens eine erste vertikale leitfähige Durchkontaktierung (112), welche eine obere Fläche aufweist, die vertikal mit einer der dritten Metallleitungen (110) der ersten ineinander greifenden Struktur in Kontakt steht, und eine untere Fläche aufweist, die vertikal mit einer anderen der dritten Metallleitungen (110) der zweiten ineinander greifenden Struktur in Kontakt steht; und- mindestens eine zweite vertikale leitfähige Durchkontaktierung (22), welche eine obere Fläche aufweist, die vertikal mit einer der mindestens einen zweiten Metallleitung (20) der ersten ineinander greifenden Struktur in Kontakt steht, und eine untere Fläche aufweist, die vertikal mit einer anderen der mindestens einen zweiten Metallleitung (20) der zweiten ineinander greifenden Struktur in Kontakt steht;- wobei die mindestens zwei ersten Metallleitungen (10) und die dritten Metallleitungen (110) der ersten und zweiten ineinander greifenden Strukturen resistiv miteinander verbunden sind und elektrisch von der mindestens einen zweiten Metallleitung (20) der ersten und zweiten ineinander greifenden Strukturen isoliert sind und die mindestens eine zweite Metallleitung (20) der ersten und zweiten ineinander greifenden Strukturen resistiv miteinander verbunden sind;- und wobei die erste ineinandergreifende Struktur eine erste derdritten Metallleitungen umfasst, die mit einem Endabschnitt jeder der mindestens zwei ersten Metallleitungen in Kontakt steht, und eine zweite derdritten Metallleitungen umfasst, die mit dem anderen Endabschnitt jeder der mindestens zwei ersten Metallleitungen in Kontakt steht;- und wobei die erste ineinander greifende Struktur eine zweite Metallleitung umfasst, die eine erste Seitenwand und eine zweite Seitenwand parallel zu der ersten Seitenwand aufweist, und eine erste Metallleitung der ersten ineinander greifenden Struktur näher der ersten Seitenwand als der zweiten Seitenwand ist und die zweite Metallleitung mit allen anderen Elementen in der ersten ineinander greifenden Struktur nicht in Kontakt steht,- und wobei mindestens eine erste Metallleitung (10) in der ersten ineinander greifenden Struktur Seitenwandflächen aufweist, die orthogonal zu Seitenwandflächen der mindestens einen ersten Metallleitung in der zweiten ineinander greifenden Struktur stehen,- und wobei die ersten Metallleitungen der ersten und zweiten ineinander greifenden Strukturen nicht in Kontakt mit einer vertikalen leitfähigen Durchkontaktierung stehen,- und wobei zumindest die ersten und die zweite der dritten Metallleitungen mit einer der ersten vertikalen leitfähigen Durchkontaktierungen in Kontakt stehen.

    Struktur und Verfahren zum Verringern von vertikaler Rissausbreitung
    3.
    发明专利
    Struktur und Verfahren zum Verringern von vertikaler Rissausbreitung 未知

    公开(公告)号：DE112012003959B4

    公开(公告)日：2020-12-24

    申请号：DE112012003959

    申请日：2012-09-11

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： COONEY EDWARD C ,  GAMBINO JEFFREY P ,  HE ZHONG-XIANG ,  LIU XIAO-HU ,  MCDEVITT THOMAS L ,  MILO GARY L ,  MURPHY WILLIAM J

    IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

    Abstract: Halbleitereinheit, die aufweist:einen Isolator (102); undeine Vielzahl von vertikal gestapelten Schichten (E1, E2, En) auf dem Isolator (102), wobei jede der vertikal gestapelten Schichten (E1, E2, En) beinhaltet:zumindest einen ersten dielektrischen Isolatorabschnitt;zumindest einen ersten Leiter (104A, 104A') in dem ersten dielektrischen Isolatorabschnitt;zumindest eine erste Nitridabdeckung (106), die den ersten Leiter (104A, 104A') abdeckt;zumindest einen zweiten dielektrischen Isolatorabschnitt;zumindest einen zweiten Leiter (104B, 104B') in dem zweiten dielektrischen Isolatorabschnitt; undeine zweite Nitridabdeckung (106), die den zweiten Leiter (104B, 104B') abdeckt,wobei der erste Leiter (104A, 104A') in den vertikal gestapelten Schichten (E1, E2, En) erste vertikal gestapelte Leiterschichten ausbildet,wobei der zweite Leiter (104B, 104B') in den vertikal gestapelten Schichten zweite vertikal gestapelte Leiterschichten ausbildet,wobei die ersten vertikal gestapelten Leiterschichten (104A, 104A') zu den zweiten vertikal gestapelten Leiterschichten (104B, 104B') benachbart sind, wobei jede der vertikal gestapelten Schichten des Weiteren ein Zwischenstapelmaterial beinhaltet, das zwischen den ersten vertikal gestapelten Leiterschichten und den zweiten vertikal gestapelten Leiterschichten positioniert ist, unddas Zwischenstapelmaterial mehrere Luftspalte (302a) aufweist, wobei zwischen einem ersten und einem zweiten Luftspalt ein dielektrisches Isolationsmaterial vorgesehen ist.

    VERDRAHTUNGEN MIT ENGEM PITCH UND KONDENSATOR(EN)
    5.
    发明专利
    VERDRAHTUNGEN MIT ENGEM PITCH UND KONDENSATOR(EN) 未知

    公开(公告)号：DE102019219874A1

    公开(公告)日：2020-07-30

    申请号：DE102019219874

    申请日：2019-12-17

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  VAUGHN DAISY A ,  BOSLEY STEPHEN R ,  HE ZHONG-XIANG

    IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822

    Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleiterstrukturen und insbesondere auf Verdrahtungen mit engem Pitch und Kondensatoren, sowie auf Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: einen Kondensator, umfassend: eine untere Platte aus einem ersten leitfähigen Material; ein Isolationsmaterial auf der unteren Platte; und eine obere Platte aus einem zweiten leitfähigen Material auf dem Isolationsmaterial; und eine Vielzahl von Verdrahtungen auf der gleichen Ebene wie die untere Platte, wobei die Vielzahl von Verdrahtungen aus dem zweiten leitfähigen Material gebildet ist.

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