公开(公告)号：DE112013000360B4

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：DE112013000360

申请日：2013-01-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHENG KANGGUO ,  DORIS BRUCE B ,  LA TULIPE DOUGLAS C JR ,  KHAKIFIROOZ ALI

IPC: H01L21/336 ,  G06F17/50 ,  H01L21/84

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Einheit, aufweisend: Bereitstellen eines Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Substrats (110); Bilden eines Platzhalter-Gate-Stapels (111) auf dem SOI-Substrat (110); Bilden von Platzhalter-Abstandhaltern (155) in Nachbarschaft zu dem Platzhalter-Gate-Stapel (111); Bilden erhöhter Source/Drain(RSD)-Zonen (160) auf dem SOI-Substrat (110) in Nachbarschaft zu den Platzhalter-Abstandhaltern (155); Bilden einer Zwischenschichtdielektrikums(ILD)-Schicht (165) auf den Platzhalter-Abstandhaltern (155) und den RSD-Zonen (160); Entfernen des Platzhalter-Gate-Stapels (111) und der Platzhalter-Abstandhalter (155); Bilden von Low-k-Abstandhaltern (175) in Nachbarschaft zu den RSD-Zonen (160), wobei die Low-k-Abstandhalter (175) in die ILD-Schicht (165) eingebettet werden; und Bilden eines Ersatz-Gate-Stapels auf dem SOI-Substrat (110), wobei der Ersatz-Gate-Stapel eine Gate-Dielektrikums-Schicht (185) auf dem SOI-Substrat (110) und eine Gate-Leiter-Schicht (190) auf der Gate-Dielektrikums-Schicht (185) umfasst.

公开(公告)号：DE112012005166B4

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE112012005166

申请日：2012-09-13

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHENG KANGGUO ,  DORIS BRUCE B ,  KHAKIFIROOZ ALI ,  SHAHIDI GHAVAM

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/93

Abstract: Halbleiterstruktur auf einem SOI-Substrat, aufweisend:einen äußerst dünnen Halbleiter-auf-Isolator (ETSOI)-Transistor, welcher auf dem SOI-Substrat ausgebildet ist und ein Metall-Gate 35 aufweist; undeinen Kondensator oder Varaktor auf dem SOI-Substrat coplanar zu dem ETSOI-Transistor, welcher eine erste Elektrode 90, die durch eine stark dotierte rückwärtige Gate-Zone des ETSOI gebildet wird, eine zweite Elektrode 95, die durch das Metall-Gate 80 gebildet wird, und ein Ersatz-High-k-Dielektrikum 85 aufweist, welches die erste Elektrode 90 und zweite Elektrode 95 trennt, wobei das High-k-Dielektrikum Dotierstoffe umfasst.

公开(公告)号：DE112013004911B4

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：DE112013004911

申请日：2013-08-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHENG KANGGUO ,  S BASKER VEERARAGHAVAN ,  DORIS BRUCE B ,  KHAKI-FIROOZ ALI ,  RIM KERN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Halbleiterstruktur (100), aufweisend:ein Halbleitersubstrat (102);eine erste Finne (104), die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist;eine Oxidzone (514), die an der Basis der ersten Finne ausgebildet ist; undeine flache Grabenisolierungszone (412), die in Nachbarschaft zu und in physischem Kontakt mit der ersten Finne an der Basis ausgebildet ist, wobei sich die flache Grabenisolierungszone unterhalb der Höhe der Oberseite der ersten Finne (104) befindet;ferner aufweisend eine Gate-Dielektrikums-Schicht, die über der ersten Finne angeordnet ist, wobei die erste Finne eine Oxidzone an der Basis der ersten Finne aufweist;wobei die Oxidzone ein V-förmiges Profil aufweist.

公开(公告)号：DE112013002186B4

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：DE112013002186

申请日：2013-03-13

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： DORIS BRUCE B ,  CHENG KANGGUO ,  HARAN BALASUBRAMANIAN S ,  KHAKIFIROOZ ALI ,  KULKARNI PRANITA ,  KUMAR ARVIND ,  PONOTH SHOM

IPC: H01L21/762

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Halbleitereinheit (200, 300), aufweisend: Bilden einer High-k-Gate-Dielektrikums-Schicht (120) auf einem Halbleitersubstrat, welches eine erste Siliciumschicht (112), eine zweite Siliciumschicht (114) und eine vergrabene Oxidschicht (116) aufweist, die zwischen der ersten Siliciumschicht (112) und der zweiten Siliciumschicht (114) angeordnet ist; und Bilden einer Struktur einer flachen Grabenisolierung (230, 330), die in dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, wobei das Bilden der Struktur der flachen Grabenisolierung (220, 320) aufweist: Bilden eines flachen Grabens (140) in dem Substrat durch die erste Siliciumschicht (112), die vergrabene Oxidschicht (116) und teilweise durch die zweite Siliciumschicht (114) hindurch; Bilden einer ersten Auskleidung (160), die den flachen Graben formangepasst auskleidet; und Füllen des flachen Grabens mit einem Grabenfüllmaterial (170), wobei die erste Auskleidung (160) aus einem Material gebildet wird, welches eine Ätzselektivität gegenüber dem Grabenfüllmaterial (170) aufweist, wobei das Bilden der Struktur der flachen Grabenisolierung (230, 330) ferner aufweist: Ätzen der ersten Auskleidung (160), um die erste Auskleidung (160) in dem flachen Graben (140) nach unten auszusparen und eine Hohlraumregion (180) zu erzeugen, welche zwischen einer oberen ausgesparten Fläche der ersten Auskleidung (160) und einer oberen Fläche der ersten ...