公开(公告)号：DE102013200048A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：DE102013200048

申请日：2013-01-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： TANWAR KUNALJEET ,  ZHANG XUNYUAN ,  HE MING

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283

Abstract: Es werden Verfahren zum Herstellen integrierter Schaltungen bereitgestellt. Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung ein Abscheiden einer eine Ebene festlegenden dielektrischen Schicht. Gemäß dem Verfahren wird die dielektrische Schicht geätzt, um Gräben zu bilden. Dann wird eine die dielektrische Schicht überlagernde Ruthenium umfassende Schicht abgeschieden. Die Gräben werden mit einem Kupfer umfassenden Metall gefüllt. Das Verfahren umfasst ein Ausnehmen des Kupfer umfassenden Metalls in jedem Graben, um zwischen dem Kupfer umfassenden Metall und der Ebene einen Bereich festzulegen. Der Bereich wird mit einer Deckschicht gefüllt. Die Schichten werden dann wenigstens bis zu der Ebene planarisiert.

公开(公告)号：DE102013200048B4

公开(公告)日：2020-02-20

申请号：DE102013200048

申请日：2013-01-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： TANWAR KUNALJEET ,  ZHANG XUNYUAN ,  HE MING

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung (10), umfassend:Abscheiden einer dielektrischen Schicht (12) derart, dass die dielektrische Schicht (12) eine Oberfläche (14) aufweist, die eine Ebene (16) festlegt;Ätzen der dielektrischen Schicht (12), um Gräben (20) zu bilden;Abscheiden einer Ruthenium umfassenden Schicht (40), die die Gräben (20) und die Oberfläche (14) der dielektrischen Schicht (12) überlagert;Füllen der Gräben (20) mit einem Kupfer umfassenden Metall (50), wobei das Füllen der Gräben (20) mit dem Kupfer umfassenden Metall (50) ein Abscheiden des Kupfer umfassenden Metalls (50) umfasst, das die Ruthenium umfassende Schicht (40) überlagert;Ausnehmen des Kupfer umfassenden Metalls (50) in jedem Graben (20), um zwischen dem Kupfer umfassenden Metall (50) und der Ebene (16) einen Bereich (60) zu bilden, während die Ruthenium umfassende Schicht (40) zwischen den Gräben (20) die Oberfläche (14) der dielektrischen Schicht (12) bedeckt;Füllen des Bereichs (60) mit einer Deckschicht (70); undPlanarisieren der Schichten bis wenigstens zu der Ebene (16), die durch die dielektrische Schicht (16) festgelegt wird,wobei das Verfahren vor dem Ausnehmen des Kupfer umfassenden Metalls (50) ferner ein Planarisieren des Kupfer umfassenden Metalls (50) bis zu der Ruthenium umfassenden Schicht (40) umfasst.

公开(公告)号：DE102018208142A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE102018208142

申请日：2018-05-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BOMBARDIER COLIN ,  HE MING ,  CHAUHAN VIKRANT ,  KM MAHALINGAM ANBU SELVAM ,  DONEGAN KEITH

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Zwischenverbindungsstrukturen und Verfahren zum Fertigen einer Zwischenverbindungsstruktur. In einer dielektrischen Zwischenschicht werden erste und zweite Nicht-Dorn-Zwischenverbindungen gebildet. Die erste Nicht-Dorn-Zwischenverbindung und die zweite Nicht-Dorn-Zwischenverblndung weisen entsprechende Seitenoberflächen auf, die sich in einer ersten Richtung erstrecken. Die Verbinder-Zwischenverbindung erstreckt sich in einer zweiten Richtung quer zu der ersten Richtung von der Seitenoberfläche der ersten Nicht-Dorn-Zwischenverbindung zu der Seitenoberfläche der zweiten Nicht-Dorn-Zwischenverbindung.